Arm、3鹼梧のCPUコアとGPUコア、鼎銅キャッシュ俠妄をセットで捏丁
Armが肌坤洛スマ〖トフォン羹けの呵糠惹64ビットIPコアセット≈Arm Total Compute 2023 (TCS23)∽∈哭1∷を券山した。スマホに腳妥な呵糠のCPUコアとGPUコアをまとめただけではなく、屯」なCPUと鼎銅キャッシュメモリを辦米させる∈コヒ〖レントな∷システムコアDSU-120も辦斤にしたパッケ〖ジである。 [ⅹ魯きを粕む]
禱窖尸老
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Nordic Semiconductor、BLE+Wi-Fi+Thread+Matterの痰俐チップを瀾墑步
バッテリ瓢侯が材墻な你久銳排蝸ながら、Bluetooth LE∈Low Energy∷やWi-Fi、さらにメッシュネットワ〖ク慌屯のThreadにも灤炳し、鏈ての憚呈に灤炳できるMatterプロトコルを積ち、IoTセキュリティ憚呈PSA千沮で呵も光いレベル3にも灤炳する奪調違痰俐チップ≈nRF54H20∽をノルウェ〖のNordic Semiconductorが泣塑へ撮斧せした。 [ⅹ魯きを粕む]
TI、SiCを跟唯よく額瓢するドライバICでEVの瘤乖調違を變ばす
Texas Instruments∈TI∷が倡券したSiCパワ〖トランジスタ羹けのゲ〖トドライバIC瀾墑≈UCC5880-Q1∽は、SiCパワ〖MOSFETの風爬を豺久したドライバICだ∈哭1∷。SiCはIGBTと孺べ、警眶キャリアの眠姥箕粗がない尸、光廬にスイッチできる。しかし、オ〖バ〖シュ〖トやリンギングなどのノイズを券欄しがちになる。TIのチップはこの風爬を豺久した。 [ⅹ魯きを粕む]
踏丸賈很コンピュ〖タ羹けLPDDRのNORフラッシュ、Infineonがサンプル叫操
クロックの惟ち懼がりと慣布でトリガ〖をかけるLPDDR∈Low Power Double Data Rate∷禱窖は、これまでDRAMの光廬步禱窖であった。これを光廬アクセスに蝗ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが倡券、サンプル叫操を倡幌した。晾いは賈很コンピュ〖タのリアルタイム瓢侯である。LPDDR4のDRAMと孺べ粕み叫しアクセス箕粗が10nsと5擒廬いという。 [ⅹ魯きを粕む]
Applied、EUVの潰恕を染負させるパタ〖ンシェイピング劉彌を倡券
僑墓13.5nmのEUV∈Extreme Ultra Violet∷リソグラフィでもダブルパタ〖ニングが瞥掐され幌めた。ただし、豺嚨刨が30nmまでしか評られないため、疤彌圭わせが豈しい。Applied Materialsは、呵井のパタ〖ン升を奧年に妨喇するパタ〖ンシェイピング禱窖を瞥掐する劉彌≈Centura Sculpta∽を倡券した。これを蝗えばダブルパタ〖ニングと票霹な潰恕を奧年に妨喇できる。 [ⅹ魯きを粕む]
NvidiaがASML、TSMC、Synopsysと寥み、紛換怠リソで2nmノ〖ドを仆撬へ
プロセスノ〖ド2nm笆慣の肌坤洛染瞥攣チップ瀾隴に風かせない、紛換怠リソグラフィ∈Computational Lithography∷のエコシステムをTSMCとNvidia、ASML、Synopsysが肋惟した。3nmノ〖ドの悸チップ懼での呵井潰恕が13nm駱までやってきて、僑墓13.5nmのEUVリソでもOPC∈各奪儡跟蔡輸賴∷の瞥掐が風かせなくなってきた。紛換怠リソはそのための禱窖である。 [ⅹ魯きを粕む]
芹俐垛擄遂をどのような答饒にも燒けられるi-SB禱窖を翠緘絡が禍度步へ
プリント答饒だけではなく、テフロンなどの答饒にも泰緬拉の紊い芹俐を妨喇できる禱窖を翠緘絡池が倡券、光件僑潑拉の庭れた攙烯を推白に妨喇できるようになる。翠緘絡のi-SBと鈣ばれる禱窖は、尸灰儡圭亨を脫いる佰鹼亨瘟儡圭禱窖である。緩度腸もすでに緬謄し幌め、悸脫步に羹けたエコシステムの菇蜜面だ。この禱窖を舍第させるためのプラットフォ〖ムを海僵には菇蜜する紛茶で渴めている。 [ⅹ魯きを粕む]
Imec、忙煤燎のためのリソとエッチング供鎳の刪擦緘恕を倡券
染瞥攣供眷の忙煤燎步が滇められるようになってきたが、ベルギ〖の甫墊倡券柴家であるimecは、リソグラフィとエッチング供鎳における茨董砷操を年翁弄に刪擦するシミュレ〖ションを券山した。染瞥攣プロセスの茨董刪擦によりCO2猴負への灤忽を慮つことができる。まずはリソとエッチング供鎳でEUVの庭疤拉が績された。 [ⅹ魯きを粕む]
≈警翁驢墑鹼のAIチップにはFPGAが呵努∽、澎供絡券ベンチャ〖
AIチップならFPGAが羹いている。こういった雇えでAI∈怠常池漿∷プラットフォ〖ムを侯り、さまざまな尸填に炳脫するため彈度した澎疊供度絡池券のスタ〖トアップがいる。Tokyo Artisan Intelligence∈TAI∷家だ。爹の蛙浚眷での薩眶紛盧侯度を極瓢步し、糯蘋のレ〖ル浮漢などにもAIを寵脫し、POC∈悸沮悸賦∷を姜えたところにいる。 [ⅹ魯きを粕む]
GaNの撅急を勝す1200Vの禱窖でEV輝眷を晾うパワ〖染瞥攣ベンチャ〖
光卵暗のパワ〖染瞥攣には、濕劑潑拉としてSiよりも冷憋卵暗の光いSiCやGaNの數が銅網だ。しかしながらSiCでは1200Vの卵暗を評られるが、光擦でなかなか舍第しない。GaNの玻房HEMTトランジスタは650V鎳刨しか卵暗が評られない。こんな撅急がSi、SiC、GaNのパワ〖染瞥攣でこれまでまかり奶っていた。 [ⅹ魯きを粕む]
