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5Gの新しい基地局�\術O-RANに見られるようにシステムを分割するディスアグリゲーションが進んでいる。これまでは何でもかんでも��て統合化する��向にあったが、それらを分割し、�@��性を�eたせて顧客が専��機を作れるようにする「レゴ」のような発�[だ。それに向けたFPGA����をLatticeがリリース、O-RANソリューションスタックも���Tした。 [→��きを読む]
今後�Z載カメラが�何�個搭載されるようになると、カメラからのデータをクルマ内のドメインコントローラやECUなどカーコンピュータユニットに送られる配線は極めて複雑になる。複数の配線を1本にまとめるSerDesチップは�Lかせなくなる。この�x場を狙ったイスラエルのValens Semiconductorが日本の�O動�Z�x場にやってきた。 [→��きを読む]
Industry 4.0は、そう�~単には進まない。世�c�Q地の工場はそれぞれ独�Oのネットワーク��格やプロトコルで動いているからだ。独�O��格をIndustry 4.0を実現するTSN（Time Sensitive Network）��格に変換しながら下位互換性を�eたせる作業を工場ごとにしなければならない。NXPはTSN��格と主要な��数の�噞��ネットワークを切り��えられるマイコン「i.MX RT1180」を����化した。 [→��きを読む]
コンピュータの最�jのメリットは、共通のハードウエアを基にソフトウエアを入れ��えるだけでさまざまな機�Δ鮗存修任�ることだが、ロボットでもそれが可�Δ砲覆�。AMD-Xilinxは、FPGAを集積したSoCを搭載しR（ロボット）OS2 を採��したロボット向けのシステムオンモジュール（SoM）「Kria」を開発、そのスターターキットを発売した。ロボット開発が�j幅に�]縮されそうだ。 [→��きを読む]
![1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV���]充電/再エネ��要加�]](/assets_c/900px/220524-sic2kv1_2kv.png "1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV���]充電/再エネ��要加�]")
EV（電気�O動�Z）の���]充電や再�擴��Ε┘優襯�ーのDC-ACコンバータなどの����に向け、1200Vあるいは2000VのパワーSiC MOSFETでオン�B�^を��らした����が��い合っている。UnitedSiCを�A収したQorvoが1200V耐圧でオン�B�^23mΩ(図1)、SiCデバイス販売�YトップのSTMicroelectronicsを�{いかけるInfineonが2000V耐圧でオン�B�^20mΩ��度のSiC MOSFETを発表した。 [→��きを読む]
ArmはIoTや組み込みシステムを�]期間に開発できるソリューション「Total Solutions for IoT」（図1）を拡充すると発表した。これは、最初からCPUコアを搭載したSoCモデルである「Corstone」を使いSoCを設��することを�i提とし、クラウドベースで開発するツール「Arm Virtual Hardware」を提供する。さらに再�W��可�Δ淵愁侫肇Ε┘△鬚い蹐い蹐淵蓮璽匹濃箸┐襪茲Δ忘Y��化するProject Centauriも進�tさせている。 [→��きを読む]
Keysight Technologiesは、最�j54GHzまでの高周�S信�､鯣��擇垢襯戰�トル信�ﾈ��昊_「M9484C VXG」（図1）を発売した。5G あるいはBeyond 5G��のICチップや高周�S�v路にテストに使う。オプションで「V3080A Vector SG」周�S数エクステンダを�⊂�すると、最�j周�S数を110GHzまで�Pばすことができる。 [→��きを読む]
耐圧1200Vと高く、しかもオン�B�^7mΩと��失の小さなSiCパワーMOSFETをInfineon Technologiesが出荷し始めた。このCoolSiC MOSFET 1200V M1Hファミリには、�Y��のTO247パッケージの単��トランジスタに加え、インバータなどに適したパワーモジュールEasy 3Bパッケージも提供する。 [→��きを読む]
先端パッケージ（Advanced Package）�\術が今後ICパッケージの中で最も�jきな成長を�~げると�x場調�h会社が予�Rしている通り、Appleのパソコン��プロセッサであるM1チップやNvidiaの最新GPUチップH100（図1）などに使われている（参考�@料1）。ここではインターポーザ�\術がカギを�曚�。TSMCは�~機インターポーザによるCoWoS�\術が性�Δ世韻任呂覆�信頼性も優れていることを��らかにした。 [→��きを読む]
GPU（グラフィックスプロセッサ）メーカーのファブレス半導��Nvidiaが800億トランジスタを集積、TSMCの4nmプロセスノード（4N）で���]した次世代GPUとなるNvidia H100（図1）を開発した。今週開��されているGTC（GPU Technology Conference）2022の基調講演で、同社CEOのJensen Huang��が��らかにした。パッケージングにもTSMCのCoWoS�\術を使った。 [→��きを読む]
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