半導��チップをどのような基�にも実�△任④襪箸い�i-SB�\術を開発した岩�}�j(lu┛)学は、学長から副学長、さらに�\術を担当する教�bをはじめとして�学を挙げて実�化に�Dり組んでいる。リジッドなプリント�v路基�だけではなく、フレキシブル基�にも260°C以下の�a度で��韻襪海箸�任④襦�海里燭疝凝杜┐�磴�禝�失の高周�S基�にはもってこいの�\術となる。しかも共�~�T合の分子接合�\術は表�Cを荒らす?ji└)㌫廚呂覆�△泙織櫂螢ぅ潺疋侫�襯爐里茲Δ淵侫譽⑤轡屮覺韶�やテフロンのように表�Cにこびりつきにくい基�でも配線金�錣�Cuなどを形成できる。

このi-SBの�@称は、iはIwateやInnovation、SはStrongやSimple、Superior、Surfaceなどを表現したB（Bonding）という�T味を含むことから来ている。何でも接合できるという��性を�W(w┌ng)�してまずは、高周�S基�への応�をまず念頭に�いた開発を進めている。ポリイミド�`脂基��屬貌次�Cu）配線を�Wくという実績もある。

図1　レジストのように分子接合膜を処理できる　出�Z：岩�}�j(lu┛)学

電子�v路の配線パターンを�Wく�\術では光反応性分子接合材を�いる。フォトリソグラフィ�\術に使われるレジストのように使える（図1）。この接合材では、光反応によって下地基�との密�性が�屬�襪燭瓠▲侫�肇泪好�鮹�いて光の当たる場所と当たらない場所を作り出し、�浄すると光の当たったところの分子膜だけが残る。ここに触��となるパラジウム（Pd）を��韻襪箸修�屬坊狙�垢覿�鑠譴箸龍�~�T合を�任拘陲�任④襦�海海北掬轍鬟瓮奪④垢襪海箸琶�釮ざ�鑠譴�侏�屬�襪箸い�lだ。

露光���の解�掬戮砲茲襪�∈�里箸海躰泰xでは線幅、線間隔とも2µmの配線が形成できているという。半導��チップを基�に接�させる場合には、�科���性といえそうだ。高機�Δ僻焼��チップ（CPUやSoCなど）をパッケージ基�に実�△垢訃豺腓砲�10µm�度の配線が要求されており、さらなる�Hピン化や微細配線に使える�\術となりそうだ。また、分子接合材料を入れた溶�]に室�aで1分�度浸すだけで2�|の材料同士を密�させることができる。�a度を�屬欧�㌫廚�覆い燭瓠�韶�の中にチップを�mめ込む実��\術にも使えそうだ。

岩�}�j(lu┛)学は、�業�cへの応�をにらみ、先端半導��パッケージングへの応�を念頭に�き、低誘電材料基�への電極配線形成�\術を狙っている。�来は、下地の基�と密�性が�Kくなるのを防ぐために表�Cを荒くする��(sh┫)法が使われていたが、下地が荒れている�霾�恋B�^が高くなるため、高周�Sなどで寄�暘B�^として現れる。�外光を当てると下地との�T合を��ち切ることができ、リソグラフィ�\術のように分子接合膜をパターニングできるため、微細な配線加工も可�Δ任△襦�

パワー半導��やマイクロプロセッサのように発�Xの�j(lu┛)きな半導��チップを封�Vできるトリアジン�Uシアナート�`脂やトリアジン�Uプロパルギル�U�`脂などの高耐�X性�`脂も開発している。転�｝a度300°C以�屐√X分解�a度400°C以�屬鰓uており、さらに�X伝導が良く絶縁性が高い�`脂として応�できるとしている。

岩�}�j(lu┛)学は、文�隹奮愍覆痢崔楼茱ぅ離戞璽轡腑鵝Ε┘灰轡好謄犒狙�廛蹈哀薀燹廚涼罎如△海諒�卆楾膓\術を推進してきた。この�\術をさらに発�tさせるため、「分子接合�\術センター」を2022�Q4月に設�した。ここには社会実�△鮨泙襪燭瓩慮�|�vが参加し、エレクトロニクス・実�∧�遒任留��を狙い、この�\術を発�tさせようというもの。

図2　2023�Q10月に設立を予定しているi-SB�業化プラットフォーム　出�Z：岩�}�j(lu┛)学

10月に立ち�屬欧�i-SB�業化プラットフォーム（図2)では、岩�}県工業�\術センターとも共同開発を行う。共同研�|を通じて、主に県内企業やエレクトロニクス実��奮阿留��、例えば�O動�Zや医�分野への�t開も��野に入れている。さらに分子接合�\術センターや県工業�\術センターなどで開発した�\術の中でも、接�剤に関するi-SB�\術はいおう化学研�|所を通して、�`脂合成に関しては�\術商社を通して�業化を�t開していく。このプラットフォームを使って�業化を�t開していくことになる。