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半導��チップをどのような基��にも実�△任�るというi-SB�\術を開発した岩�}�j学は、学長から副学長、さらに�\術を担当する教�bをはじめとして��学を挙げて実��化に�Dり組んでいる。リジッドなプリント�v路基��だけではなく、フレキシブル基��にも260°C以下の�a度で��けることができる。このため誘電率が低く低��失の高周�S基��にはもってこいの�\術となる。しかも共�~�T合の分子接合�\術は表�Cを荒らす��要はなく、またポリイミドフィルムのようなフレキシブル基��やテフロンのように表�Cにこびりつきにくい基��でも配線金�錣�Cuなどを形成できる。

このi-SBの�@称は、iはIwateやInnovation、SはStrongやSimple、Superior、Surfaceなどを表現したB（Bonding）という�T味を含むことから来ている。何でも接合できるという��性を�W��してまずは、高周�S基��への応��をまず念頭に��いた開発を進めている。ポリイミド�`脂基���屬貌次�Cu）配線を�Wくという実績もある。

図1　レジストのように分子接合膜を処理できる　出�Z：岩�}�j学

電子�v路の配線パターンを�Wく�\術では光反応性分子接合材を��いる。フォトリソグラフィ�\術に使われるレジストのように使える（図1）。この接合材では、光反応によって下地基��との密��性が�屬�るため、フォトマスクを��いて光の当たる場所と当たらない場所を作り出し、��浄すると光の当たったところの分子膜だけが残る。ここに触��となるパラジウム（Pd）を��けるとその�屬坊狙�する金�鑠譴箸龍��~�T合を�任拘陲�できる。ここに無電解メッキすることで分厚い金�鑠譴�出来�屬�るという�lだ。

露光����の解�掬戮砲茲襪�、今のところ実�xでは線幅、線間隔とも2µmの配線が形成できているという。半導��チップを基��に接��させる場合には、�科�な��性といえそうだ。高機�Δ僻焼���チップ（CPUやSoCなど）をパッケージ基��に実�△垢訃豺腓砲�10µm��度の配線が要求されており、さらなる�Hピン化や微細配線に使える�\術となりそうだ。また、分子接合材料を入れた溶�]に室�aで1分��度浸すだけで2�|の材料同士を密��させることができる。�a度を�屬欧���要がないため、基��の中にチップを�mめ込む実���\術にも使えそうだ。

岩�}�j学は、�噞�cへの応��をにらみ、先端半導��パッケージングへの応��を念頭に��き、低誘電材料基��への電極配線形成�\術を狙っている。��来は、下地の基��と密��性が�Kくなるのを防ぐために表�Cを荒くする�桔，�使われていたが、下地が荒れている�霾�の�B�^が高くなるため、高周�Sなどで寄�暘B�^として現れる。��外光を当てると下地との�T合を��ち切ることができ、リソグラフィ�\術のように分子接合膜をパターニングできるため、微細な配線加工も可�Δ任△�。

パワー半導��やマイクロプロセッサのように発�Xの�jきな半導��チップを封�Vできるトリアジン�Uシアナート�`脂やトリアジン�Uプロパルギル�U�`脂などの高耐�X性�`脂も開発している。転�｝a度300°C以�屐√X分解�a度400°C以�屬鰓uており、さらに�X伝導が良く絶縁性が高い�`脂として応��できるとしている。

岩�}�j学は、文�隹奮愍覆痢崔楼茱ぅ離戞璽轡腑鵝Ε┘灰轡好謄犒狙�プログラム」の中で、この分子接合�\術を推進してきた。この�\術をさらに発�tさせるため、「分子接合�\術センター」を2022�Q4月に設��した。ここには社会実�△鮨泙襪燭瓩慮��|�vが参加し、エレクトロニクス・実�∧�野での応��を狙い、この�\術を発�tさせようというもの。

図2　2023�Q10月に設立を予定しているi-SB��業化プラットフォーム　出�Z：岩�}�j学

10月に立ち�屬欧�i-SB��業化プラットフォーム（図2)では、岩�}県工業�\術センターとも共同開発を行う。共同研�|を通じて、主に県内企業やエレクトロニクス実��以外の応��、例えば�O動�Zや医��分野への�t開も��野に入れている。さらに分子接合�\術センターや県工業�\術センターなどで開発した�\術の中でも、接��剤に関するi-SB�\術はいおう化学研�|所を通して、�`脂合成に関しては�\術商社を通して��業化を�t開していく。このプラットフォームを使って��業化を�t開していくことになる。