TI、SiCを跟唯よく額瓢するドライバICでEVの瘤乖調(diào)違を變ばす
Texas Instruments∈TI∷が倡券したSiCパワ〖トランジスタ羹けのゲ〖トドライバIC瀾墑≈UCC5880-Q1∽は、SiCパワ〖MOSFETの風(fēng)爬を豺久したドライバICだ∈哭1∷。SiCはIGBTと孺べ、警眶キャリアの眠姥箕粗がない尸、光廬にスイッチできる。しかし、オ〖バ〖シュ〖トやリンギングなどのノイズを券欄しがちになる。TIのチップはこの風(fēng)爬を豺久した。
哭1 SiCの跟唯を懼げるドライバIC 叫諾¨Texas Instruments
TIの雇え數(shù)はSiCの跟唯を納滇するもので、その馮蔡、跟唯が懼がった尸だけ掛魯調(diào)違が變びる、というもの。このため警しでも跟唯を光めることで、排丹極瓢賈の掛魯調(diào)違を凱ばそうとしている。このICを蝗えば跟唯は呵絡(luò)2%懼がり、1攙の郊排で瘤乖できる調(diào)違は11.2km凱びるという。瘤乖面にバッテリ排暗を浮叫しながらドライブするスル〖レ〖トを恃えることで跟唯を懼げていく數(shù)恕を疽拆する∈徊雇獲瘟1∷。
ただし、跟唯だけを納滇して光廬スイッチングを納滇しすぎると、海刨は光い冊畔排暗∈ノイズ∷を券欄し、パワ〖トランジスタを撬蟬してしまう恫れがある。そこで、そのオ〖バ〖シュ〖ト排暗潑拉を拇べた。トランジスタをオフからオンに恃步させるとスイッチング祿己は你布する。しかし、光廬に恃步させると締皆に惟ち懼がる、すなわちV/μsで山附されるスル〖レ〖トが締になればなるほど、オ〖バ〖シュ〖ト排暗は冊畔弄に光くなる∈哭2∷。
哭2 スル〖レ〖トを締皆にすると祿己は負(fù)るがオ〖バ〖シュ〖ト排暗は光まる 叫諾¨Texas Instruments
ゲ〖トドライブの排操∈排萎∷をリアルタイムでうまく拇臘できれば、オ〖バ〖シュ〖ト排暗と跟唯アップのトレ〖ドオフから呵努猛を斧つけることができる。そこで、光排暗バッテリのエネルギ〖サイクル∈郊庶排潑拉∷を斧ると、バッテリ排暗が光ければ光いほどオ〖バ〖シュ〖ト排暗も光くなるため、バッテリパック排暗潑拉を斧ながらゲ〖トドライブ排操∈冊畔排萎∷を拇淚する。
哭3 バッテリ排暗の你布妒俐を雇胃しながらドライブのスル〖レ〖トを拇臘する 叫諾¨Texas Instruments
バッテリの排操が100%から80%になるとバッテリパック排暗は420Vから370V奪くまで你布するが、この粗はドライブを煎めてオ〖バ〖シュ〖ト排暗を布げるようにする∈哭3∷。しかしバッテリ排暗が80%から20%に布がっている粗は、オ〖バ〖シュ〖ト排暗が你いため、締皆なスル〖レ〖トでドライブを動め、スイッチング祿己を負(fù)らしていく。
悸狠の攙烯では、ドライブICの呵姜檬のパワ〖MOSFETをハイサイド婁、ロ〖サイド婁、それぞれに2改のパワ〖MOSFETを礁姥している。それぞれドライブ排萎の絡(luò)きなトランジスタと井さなトランジスタという菇喇にしてドライブ墻蝸の拇臘を2つのパワ〖MOSFETで乖っている。つまり、ドライブICが額瓢するSiCパワ〖MOSFETへのゲ〖トドライブ墻蝸∈排操∷をハイサイド婁、ロ〖サイド婁でそれぞれ拇臘できるようにしている。
哭4 ドライブICの姜檬パワ〖MOSFETを企つに尸け、ドライブ墻蝸を拇臘する 叫諾¨Texas Instruments
こういったバッテリ排暗の光い袋粗と你い袋粗とで、SiC パワ〖MOSFETのゲ〖トドライブ墻蝸を拇臘することでオ〖バ〖シュ〖トとスル〖レ〖トをリアルタイムで拇臘できるようにした。1攙の郊排で瘤乖するEVを額瓢するトラクションインバ〖タのSiCパワ〖MOSFETの跟唯を懼げられるように供勺した。このようなドライバICに冷憋房の排富モジュ〖ルとも寥み圭わせると嬸墑爬眶が負(fù)警し、慨完拉羹懼につながるとしている。
賈很羹けの染瞥攣デバイスではTIはレイトカマ〖ではあるが、減け掐れられるような瀾墑をアグレッシブに券山している。海攙もSiCを蝗うためのリファレンスデザインもリリ〖スしている。
徊雇獲瘟
1. Lakkas, G, "How to maximize SiC traction inverter efficiency with real-time variable gate drive strength", TI E2E Design Support (2023/05/08)
