2015鉗の坤腸染瞥攣輝眷は玻ばいとWSTSが斧奶しを券山
WSTS∈坤腸染瞥攣輝眷琵紛∷が2015×2017鉗の染瞥攣輝眷の斧奶しについて、11奉面杰に柴的を倡き、徒鱗を惟て、このほど券山した。これによると2015鉗の坤腸染瞥攣輝眷は、5奉箕爬での斧奶しの漣鉗孺3.4%籠の3472帛4800它ドルから布數(shù)餞賴し、0.2%籠の3363帛9200它ドルになると徒鱗する。 [ⅹ魯きを粕む]
WSTS∈坤腸染瞥攣輝眷琵紛∷が2015×2017鉗の染瞥攣輝眷の斧奶しについて、11奉面杰に柴的を倡き、徒鱗を惟て、このほど券山した。これによると2015鉗の坤腸染瞥攣輝眷は、5奉箕爬での斧奶しの漣鉗孺3.4%籠の3472帛4800它ドルから布數(shù)餞賴し、0.2%籠の3363帛9200它ドルになると徒鱗する。 [ⅹ魯きを粕む]
Samsung ElectronicsがTSV∈Through silicon via∷を蝗い、DRAMチップを4綏腳ねた菇隴のメモリパッケ〖ジを9改蝗った128GバイトのDDR4メモリモジュ〖ルの翁緩を倡幌した。ハイエンドの措度羹けサ〖バ〖やデ〖タセンタ〖羹けのメモリモジュ〖ル。 [ⅹ魯きを粕む]
ISSCC2016は、IoT辦咖といえそうだ。緩度腸からの怪遍が籠え(哭1)、しかも泣塑からの券山が勢柜に肌ぐ鳳眶となっている。徊裁莢も60%が緩度腸から。ISSCCは撅に箕洛の糠しいトレンドを何り哈み、答拇怪遍はそのトレンドを瓤鼻している。アナログ、パワ〖、ロジック、メモリ、RF、奶慨?dāng)v烯、プロセッサなどテクノロジ〖の渴步を斧ることができる。 [ⅹ魯きを粕む]
メモリのIPライセンスビジネスを鷗倡してきたRambusが、ファブレスとしてDRAMチップ任卿ビジネスも緘齒けることになった。呵黎眉光廬DRAMとしてのDDR4憚呈に潔じたDRAMおよびそれを烹很したメモリモジュ〖ルDIMM脫メモリインタ〖フェ〖スチップをチップセットとして任卿する。 [ⅹ魯きを粕む]
DRAMの帽擦が布がり、2015鉗媽2煌染袋における坤腸のDRAM卿懼馳は、漣煌染袋孺4.8%負(fù)の114帛ドルに布がる辦數(shù)∈徊雇獲瘟1∷、モバイルDRAMは嫡に票7.7%籠で喇墓している(徊雇獲瘟2)。このような拇漢馮蔡をTrendForce槐布のDRAMeXchangeが券山した。トップ5家ランキングも非很している(山1)。 [ⅹ魯きを粕む]
8奉4泣に澎記が48霖姥霖の256Gビット3D NANDフラッシュの倡券をアナウンスした甜黎、Samsungは票じように48霖の256Gビット3D NANDフラッシュの翁緩を幌めたというニュ〖スが若び哈んできた。勢柜サンタクララで倡かれたFlash Memory Summit 2015で湯らかにしたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
IntelとMicron technologyは鼎票で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ糠房メモリを倡券した(哭1)。3D XPoint∈スリ〖ディ〖クロスポントと鈣ぶ∷禱窖と嘆燒けたこの稍帶券拉メモリは、ストレ〖ジクラスメモリである。NANDよりも3ケタ廬く、DRAMよりも10擒光泰刨で、NANDよりも今き垂え攙眶が1000擒驢いという。 [ⅹ魯きを粕む]
今哈みレイテンシが15µs、とストレ〖ジ劉彌としては3ケタ光廬のフラッシュストレ〖ジ瀾墑(哭1)をSanDiskが6奉1泣から叫操する。これまでの10×20msというSSDと100nsというDRAMメモリとの粗(メモリギャップ)を雖めることができる懼、ストレ〖ジそのものの廬刨を攆懼げすることになりそうだ。 [ⅹ魯きを粕む]
セミコンポ〖タル肩號のSPIフォ〖ラム≈3肌傅悸劉への蘋∽が3奉25泣、倡號された(哭1)。光礁姥步の緘檬をこれまでの腮嘿步だけではなく、僥に姥み懼げる數(shù)及も裁わると斧て、措茶した。システムから斧た3D、ブ〖ムになりそうなFO-WLP、悸狠にメモリシステムを菇喇するHMC、など附悸豺は緬悸に渴んでいる。 [ⅹ魯きを粕む]
黎降瑣、澎記が3D-NANDの瀾墑を券山した外泣にMicron TechnologyとIntelのグル〖プからも3D-NANDの券山があった。3D-NANDは3D-ICとは般い、モノリシックのSi柒に僥數(shù)羹にメモリを木誤儡魯した菇隴で、リソグラフィを驢警此くしても推翁を懼げられる。ただし、2グル〖プの粗で、3肌傅と咐ってもメモリセル菇隴に絡(luò)きな汗があった。 [ⅹ魯きを粕む]
<<漣のペ〖ジ 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 肌のペ〖ジ »