帽擦の光騙で輝眷が凱びなくなってきたDRAM
メモリバブルはいつまで魯くのか。NANDフラッシュは帽擦が布がってきており、欄緩翁も籠えてきたため、輝眷が弓がり喇墓へ羹かっている。しかしDRAMはむしろビット喇墓が帽擦光騙のために娃えられてきた。欄緩翁さえ懼がれば喇墓烯俐に捐るが、その斧哈みはどうか。勢輝眷拇漢柴家IC Insightsがビット喇墓について尸老している。 [ⅹ魯きを粕む]
メモリ
メモリの丁惦稍顱でスマホの叫操にブレ〖キ、だが15帛駱を仆撬
2017鉗のスマ〖トフォンの叫操駱眶は瘋してマイナスではないが、喇墓唯がわずか2.7%にとどまったものの、15帛3654它駱と介めて15帛駱を仆撬した。これは2奉22泣にGartnerが券山したもの。メモリをはじめとする排灰嬸墑の丁惦稍顱と欄緩墻蝸の嘎腸によるところも驢かった。 [ⅹ魯きを粕む]
フラッシュメモリは士箕の猛布がり妒俐に捐りつつある
染瞥攣メモリの擦呈がようやく士撅箕に提りつつある。これまでは、バブルのように佰撅に帽擦が猛懼がり魯けていた。DRAMはいまだに猛懼がり魯けているが、NANDフラッシュメモリのスポット擦呈が3ヵ奉漣に孺べ1充奧漣稿の擦呈で夸敗している、と2奉18泣の泣塑沸貉糠使が帕えた。 [ⅹ魯きを粕む]
Samsung、クルマ脫256GBのフラッシュストレ〖ジを翁緩倡幌
Samsung Electronicsがクルマ脫256 GB繞脫寥み哈みフラッシュストレ〖ジ∈eUFS∷の翁緩を倡幌した。票家は2017鉗9奉に128GBのクルマ脫のeUFSを介めて翁緩步したが、海攙はストレ〖ジ推翁を擒籠させた懼に、JEDEC UFS 3.0篩潔憚呈に潔凋したもの。 [ⅹ魯きを粕む]
Micronの糠房SSDは64霖で59mm2の3D-NANDを何脫
Micron Technologyは64霖の3D-NANDフラッシュメモリを烹很したSSD≈Crucial MX500∽を券卿した。ストレ〖ジ推翁は250GBから2TBまで4鹼梧(哭1)。Micronの3D-NANDはIntelと鼎票倡券した、赦頭ゲ〖ト房のメモリセル菇隴を積つ。澎記やSamsungがMNOS菇隴を何脫したのとは灤救弄。SSDとしての供勺も驢い。 [ⅹ魯きを粕む]
2017鉗の坤腸染瞥攣は22.2%籠の4197帛ドル≥Gartner拇べ
2017鉗の坤腸染瞥攣卿懼馳は漣鉗孺22.2%籠の4197帛ドル∈46名5867帛邊∷となった、と勢輝眷拇漢柴家のGartnerが券山した。トップはメモリバブルで獅いたSamsungで、52.6%籠の612帛1500它ドル。1992鉗笆丸1疤の郝にいたIntelは577帛1200它ドルで2疤に促皖した。メモリ措度の凱びが螟しい。トップ10疤笆柒では停辦NXPだけがマイナス喇墓となった。 [ⅹ魯きを粕む]
面柜染瞥攣緩度、メモリ、ファブレス、ファウンドリで喇墓へ
面柜の染瞥攣は、メモリとファウンドリ、そしてファブレスが肩蝸になりそうだ。これはSEMICONジャパン2017でのセミナ〖で面柜輝眷を拇漢したSEMI駱涎のClark Treng會が績したもの。メモリはDRAMと3D-NANDフラッシュが肩蝸となる。面柜孟眷措度だけではなく嘲柜措度の抨獲による肋灑抨獲も籠裁している。 [ⅹ魯きを粕む]
DRAM、12奉は1×3%猛懼がり
DRAM擦呈が浩び懼競に羹かった。12奉5泣の泣沸は1降粗漣に孺べ1%布皖したと鼠じたが、12奉の絡庚擦呈は11奉と孺べ1×3%懼がったと16泣の泣沸が鼠じた。iPhone Xの攻拇によりDRAM見妥が動まっている。iPhone Xを欄緩している廣長籃泰供度の11奉の卿懼馳は漣奉孺9.3%と攻拇さがそれを微燒けている。澎記とウェスタンデジタル∈WD∷はようやく傅のさやに羌まりそうだ。 [ⅹ魯きを粕む]
2017鉗の染瞥攣輝眷はメモリバブル
2017鉗媽4煌染袋のDRAM任卿馳は、64%籠の210帛6100它ドルとなりそうだ、と勢輝眷拇漢柴家IC Insightsが券山した∈哭1∷。2017鉗を奶して漣鉗孺は74%になる。やはり2017鉗の染瞥攣輝眷はメモリバブルと咐えそうだ。この媽4煌染袋の211帛ドルは煌染袋ベ〖スでも海鉗呵光馳。 [ⅹ魯きを粕む]
DRAMの卿懼喇墓はまだ歐版夢らず、染瞥攣肥丹は魯く
海泣の未攔をけん苞しているDRAMの媽3煌染袋における坤腸の卿懼馳が漣煌染袋孺16.2%籠という睹佰弄な凱びを巴臉として斧せている。DRAMの防腆擦呈も票5%籠であるため、海は欄緩翁も凱びて丸たことから卿り懼げ籠に絡きく棺弗しているが、欄緩翁が凱びてもまだ見妥が并攔だということになる。 [ⅹ魯きを粕む]
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