フラッシュメモリは平時の値下がり曲線に乗りつつある
半導��メモリの価格がようやく平常時に戻りつつある。これまでは、バブルのように異常に単価が値�屬�り��けていた。DRAMはいまだに値�屬�り��けているが、NANDフラッシュメモリのスポット価格が3ヵ月�iに比べ1割�W�i後の価格で推�，靴討い襦△�2月18日の日本経済新聞が伝えた。 [→��きを読む]
メモリ
Samsung、クルマ��256GBのフラッシュストレージを量�凮始
Samsung Electronicsがクルマ��256 GB�@��組み込みフラッシュストレージ（eUFS）の量��を開始した。同社は2017�Q9月に128GBのクルマ��のeUFSを初めて量�僝したが、今�vはストレージ容量を倍�\させた�屬法�JEDEC UFS 3.0�Y����格に��拠したもの。 [→��きを読む]
Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採��
Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4�|類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮�^ゲート型のメモリセル構�]を�eつ。東��やSamsungがMNOS構�]を採��したのとは�款氾�。SSDとしての工夫も�Hい。 [→��きを読む]
2017�Qの世�c半導��は22.2%�\の4197億ドル−Gartner調べ
2017�Qの世�c半導��売�幢Yは�i�Q比22.2%�\の4197億ドル（46兆5867億��）となった、と�毫x場調�h会社のGartnerが発表した。トップはメモリバブルで�{いたSamsungで、52.6%�\の612億1500万ドル。1992�Q以来1位の座にいたIntelは577億1200万ドルで2位に陥落した。メモリ企業の�Pびが著しい。トップ10位以内では唯�kNXPだけがマイナス成長となった。 [→��きを読む]
中国半導���噞、メモリ、ファブレス、ファウンドリで成長へ
中国の半導��は、メモリとファウンドリ、そしてファブレスが主��になりそうだ。これはSEMICONジャパン2017でのセミナーで中国�x場を調�hしたSEMI��湾のClark Treng��が��したもの。メモリはDRAMと3D-NANDフラッシュが主��となる。中国地場企業だけではなく外国企業の投�@による設��投�@も�\加している。 [→��きを読む]
DRAM、12月は1〜3%値�屬�り
DRAM価格が再び�峺�に向かった。12月5日の日経は1週間�iに比べ1%下落したと報じたが、12月の�j口価格は11月と比べ1〜3%�屬�ったと16日の日経が報じた。iPhone Xの好調によりDRAM��要が�咾泙辰討い襦�iPhone Xを�攵�している�V�L�@密工業の11月の売�幢Yは�i月比9.3%と好調さがそれを裏��けている。東��とウェスタンデジタル（WD）はようやく元のさやに納まりそうだ。 [→��きを読む]
2017�Qの半導���x場はメモリバブル
2017�Q��4四半期のDRAM販売�Yは、64%�\の210億6100万ドルとなりそうだ、と�毫x場調�h会社IC Insightsが発表した（図1）。2017�Qを通して�i�Q比は74%になる。やはり2017�Qの半導���x場はメモリバブルと言えそうだ。この��4四半期の211億ドルは四半期ベースでも今�Q最高�Y。 [→��きを読む]
DRAMの売�崟�長はまだ�W井�瑤蕕此�半導��景気は��く
今日の隆�rをけん引しているDRAMの��3四半期における世�cの売�幢Yが�i四半期比16.2%�\という驚異的な�Pびを依��として見せている。DRAMの契約価格も同5%�\であるため、今は�攵盋も�Pびて来たことから売り�屬音\に�jきく貢献しているが、�攵盋が�Pびてもまだ��要が旺�rだということになる。 [→��きを読む]
Intel/Micronの3D Xpoint工場を拡張
IntelとMicron Technologyは、両社合弁の不ｧ発性メモリ会社であるIM Flashが�盜颯罐��Ε譟璽い砲△�IM Flashの工場の内、ビルディング60（B60）の拡張工��を終えたと発表した（参考�@料1）。ここは3D Xpointメモリの主��工場である。 [→��きを読む]
東��メモリの売却にWDのライバルSeagateも参加
日本経済新聞をはじめ、さまざまなメディアが報じたニュースだが、東��は9月28日、東��メモリの売却先を「日�毬f」連合に��めた。先週��から土日にかけてこのニュースとその解説が飛び交った。日本の半導���噞にとっても歴史的な「���P」である。 [→��きを読む]
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