2014�Q1Qの世�c半導��トップ20社ランキング
2014�Q��1四半期(1〜3月)の世�c半導��20社ランキングを、�盜驂x場調�h会社のIC Insightsが発表した。最新のランキングデータである。スマホ向けチップメーカーは相変わらず好調、パソコンおよびサーバ向けマイクロプロセッサを�攵�しているIntelとAMDも共にプラス成長を記�{した。 [→��きを読む]
メモリ
直�Zでは値下がりあるもスマホ��NANDフラッシュの好調��く
スマートフォン�x場に向けた半導��は好調が��いている。NANDフラッシュメモリメーカーの東��の業績が�餮譴辰討い襦�4月10日の日経�噞新聞は、「2013�Q10〜12月期の3ヵ月だけで約500億��の営業�W益を�nぎ、来月発表予定の14�Q1〜3月期���Qでも500億��に�Zい水��の�W益を�nぐ見通し」と報じた。 [→��きを読む]
2013�Qの世�c半導��ランキング、出荷�Yが確定、Micronが5位に躍進
2013�Qの世�c半導��販売�Yランキングが確定した。これは�x場調�h会社のIC Insightsが発表したもの(表1)。これまで昨�Qの11月に発表された2013�Qランキング(参考�@料1)はあるが、見込みの出荷�Yであり今�vは実績値である。数�Cにはファウンドリの出荷�Yも含まれているため、合���Yは半導��の�x場��模を���vることに�R�Tする��要がある。 [→��きを読む]
世�c的には成長するも停�]する日本�x場に�Z戦−��湾eMemoryの例
![世�c的には成長するも停�]する日本�x場に�Z戦−��湾eMemoryの例](/assets_c/900px/140401-ememory.png "世�c的には成長するも停�]する日本�x場に�Z戦−��湾eMemoryの例")
半導���噞は、世�c中が�Pび日本だけが成長していないという現実が突きつけられている。例えば、不ｧ発性メモリIPベンダーの��湾eMemory社は、日本でのビジネスに�Z戦している。しかし同社のメモリIPを集積したシリコンウェーハは、世�c�x場では2013�Qだけで8インチで200万��を��え、����で730万��を突破した。 [→��きを読む]
AMD、5��のディスプレイを同時に動かせるGPUをリリース
AMDが新しいGPU「Radeon E8860：コード�@Adelaar」をリリースした。このシリーズは、コンピュータ向けというよりも、ゲーム機（パチンコやスロットマシーンなど）、デジタルサイネージ、医��画������、�噞���U御機�_、通信インフラなどの組み込み機�_を狙ったグラフィックスプロセッサ。組み込み�Uに��を入れた����の�k環だ。 [→��きを読む]
東��NANDフラッシュの研�|データ�eち出し���Pを考える
東��の半導��メモリに関する�\術情報を、東��の提携先であるSanDisk元社�^が�eち出したとして�j捕された。今�vの���Pの��1報は、13日の日本経済新聞�D刊に掲載された。その後、���Pは��らかになってきた。これは、企業秘密を�eち出し、��合企業に提供するといった�噞スパイ行為そのものである。 [→��きを読む]
メモリ��給が緩み始め、クルマ�\術が��発に動く
2013�Qの半導���x場はDRAMやフラッシュなどのメモリがけん引したが、メモリの��給が緩み始めている。また、クルマ向けのカーエレクトロニクスは依��として��発であり、ルネサスが28nmのフラッシュメモリIPを開発した。欧�Δ任流�小型EV（電気�O動�Z）の実�xにはトヨタが参加し、ホンダが参加を�`指す。 [→��きを読む]
Spansion、333MB/sと高�]のシリアルバスを提案、フラッシュNOR����発売
![Spansion、333MB/sと高�]のシリアルバスを提案、フラッシュNOR����発売](/assets_c/900px/140221-spansion.png "Spansion、333MB/sと高�]のシリアルバスを提案、フラッシュNOR����発売")
Spansionが最�j333MB/sと高�]のデータレートで読み出せる新しいメモリインタフェースバスHyperBusを提案、このインタフェースを組み込んだ高�]のNORフラッシュ����HyperFlashの��1��をリリースした。ピン数はわずか12ピンで読み出せるため、省スペースのクルマなどに向く。 [→��きを読む]
新型相変化メモリをTRAMとLEAPが命�@
LEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）が2013 IEDM（International Electron Devices Meeting）で発表した新しい相変化メモリ(参考�@料1)は、TRAM（Topological switching RAM）と�@��けることが��まった。GeTe/Sb2Te3��格子の中のGeの�‘阿世韻把笘B�^と高�B�^をスイッチングする。このカルコゲン材料による��格子を、トポロジカル絶縁��と�饑��駘�学の世�cで�}んでいる。 [→��きを読む]
��めに転じる半導��業�c
�盜颪任蓮�AMDやTI（Texas Instruments）の収益構�]が改��、エルピーダはDRAMに800億��を投�@する��画を発表、東��は��OCZ Technology社のSSD��業�A収を完了した。ソニーはインドの����業��委�m�j�}Evalueserveとの合弁会社を設立、欧�櫃悗�����出願を�膿覆垢襦� [→��きを読む]
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