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VLSI Symposium、日本\術のT在感

VLSI Symposium、日本\術のT在感

6月13〜17日ハワイで開される2016 Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称、VLSI Symposium)の採Ib文がまった。VLSIのデバイス・プロセスを扱うTechnologyでは、投MP数214の内、採Iされたb文は85P、v路\術を扱うCircuitsでは、375Pの投Mに瓦靴97Pの採Iであった。v路関係の内容はIoTk色である。 [→きを読む]

Intelの3D-NAND SSDは32層チップを採

Intelの3D-NAND SSDは32層チップを採

Intelは、盜饂間3月31日に開されたCloud Dayにおいて、クラウドx場でのストレージの高]化のため、3D-NANDフラッシュをW(w┌ng)したSSD(半導ディスク)をはじめ、XeonプロセッサE5-2600 v4もセットで発表した。Intelが3D-NANDのSSDを発表したのはこれが初めて。 [→きを読む]

SanDisk、クルマのフラッシュカードに進出

SanDisk、クルマのフラッシュカードに進出

東の四日x工場でNANDフラッシュを攵しているSanDiskがSDカードでZ載分野に進出する。4月には、8GBから16GB、32GB、64GBという容量をeち、最j(lu┛)20MB/sのシーケンシャル書き込み/読み出し性Δ鮗存修、しかもW仕様AEC-Q100格の認証をDuしたSDカードを出荷する。動作a度J(r┬n)囲が-40℃〜85℃と広く、O動Zに使えるレベルに達している。 [→きを読む]

東、メモリを軸にパワー、システムLSIはM

東、メモリを軸にパワー、システムLSIはM

先週の3月18日金曜日のD(sh┫)、東は「2016Q度業画説会」を開した。仙でのD材を終えると筆vは東Bへとんぼ返りし、説会に参加した。在Bテレビ局が集Tし、テレビカメラがずらりと並んでいた。そのような中、室町志代表執行役社長は、淡々と説会@料を読み屬欧。同日Samsungが設投@を半(f┫)するというニュースも入った。 [→きを読む]

2018Qに半導出荷数が1兆個に

2018Qに半導出荷数が1兆個に

半導チップの出荷個数が2018Qには1兆個を突破しそうだ(図1)。このような予Rを]ち出したのは毫x場調h会社のIC Insights。2015Qの時点で、ICとディスクリートも含めた半導デバイスの出荷個数は8400億個を突破している。 [→きを読む]

MRAMを軸に成長の機会を探る、2nd CIES Tech Forum

MRAMを軸に成長の機会を探る、2nd CIES Tech Forum

「東日本j(lu┛)震uからの復興とは、元に戻すことだけにとどまらない。次への成長を期待できる仕組みを作ることだ」。このような思いを胸に、東j(lu┛)学は「2nd CIES Technology Forum」3月17〜18日、仙で開する。東j(lu┛)学が進めているスピントロニクスW(w┌ng)のMRAMとその応を中心とするテーマで、2日間に渡る。 [→きを読む]

新しいメモリ企業が誕

新しいメモリ企業が誕

久々に新しい半導メーカーが誕擇靴修Δ澄2012Qに経営破たんしたエルピーダメモリの社長をめたZ本mdが半導新会社「サイノキングテクノロジー」を設立した、と2月22日の日本経済新聞が伝えた。これから開される記v会見の案内が19日にセミコンポータルにも届いていたため、これは、日経が会見iに報じた記といえる。 [→きを読む]

2015Qの世c半導x場は横ばいとWSTSが見通しを発表

2015Qの世c半導x場は横ばいとWSTSが見通しを発表

WSTS(世c半導x場統)が2015〜2017Qの半導x場の見通しについて、11月中旬に会議を開き、予[を立て、このほど発表した。これによると2015Qの世c半導x場は、5月時点での見通しのiQ比3.4%\の3472億4800万ドルから下(sh┫)Tし、0.2%\の3363億9200万ドルになると予[する。 [→きを読む]

ISSCC 2016、の共通キーワードはIoT、日本が高採I率

ISSCC 2016、の共通キーワードはIoT、日本が高採I率

ISSCC2016は、IoTk色といえそうだ。噞cからの講演が\え(図1)、しかも日本からの発表が盜颪房,因P数となっている参加vも60%が噞cから。ISSCCは常に時代の新しいトレンドを採り込み、基調講演はそのトレンドを反映している。アナログ、パワー、ロジック、メモリ、RF、通信?d─ng)v路、プロセッサなどテクノロジーの進化を見ることができる。 [→きを読む]

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