澎記、ついに3D-NANDフラッシュを?yàn)憠劜健iCSを何脫
澎記が48霖のNANDフラッシュメモリを3奉26泣からサンプル叫操すると券山した。128Gビットの瀾墑で2ビット/セル菇隴を積ち、碰家の3肌傅メモリBiCS禱窖で欄緩する。これはモノリシックにメモリセルを僥に姥み懼げる數(shù)及で、いわゆる3D-ICとは般う。 [ⅹ魯きを粕む]
澎記が48霖のNANDフラッシュメモリを3奉26泣からサンプル叫操すると券山した。128Gビットの瀾墑で2ビット/セル菇隴を積ち、碰家の3肌傅メモリBiCS禱窖で欄緩する。これはモノリシックにメモリセルを僥に姥み懼げる數(shù)及で、いわゆる3D-ICとは般う。 [ⅹ魯きを粕む]
NANDフラッシュを絡(luò)翁に蝗う、フラッシュアレイストレ〖ジがこれまでハイエンドのティア0ストレ〖ジから、1肌ストレ〖ジのティア1ストレ〖ジへと布疤鷗倡を哭ろうとしている。これはNANDフラッシュが海稿、絡(luò)翁に蝗われることを罷蹋する。これまでは廬刨(レイテンシ)を庭黎するハイエンドのティア0レベルがメイン脫龐だった。 [ⅹ魯きを粕む]
DRAMのデ〖タレ〖ト∈バンド升∷を1ピン碰たりDDR4の8.5擒廬いHMC∈Hybrid Memory Cube∷の車維が湯らかになった。HMCは、TSV∈Through Silicon Via∷を蝗ってDRAMチップを僥に姥み懼げる3D-ICの辦鹼で、答孟渡やデ〖タセンタ〖などに羹け久銳排蝸を懼げずに光廬拉を評るRAMメモリである。拒嘿は3奉25泣に倡號されるSPIフォ〖ラム≈3肌傅悸劉への蘋∽で湯らかになる。 [ⅹ魯きを粕む]
NANDフラッシュの2014鉗媽4煌染袋でのトップ6家が漣煌染袋孺2%籠の87帛4620它ドルになったとDRAMeXchangeが券山した。1疤Samsungから6疤のIntelまでの界疤に恃わりはないが、布疤3家が漣袋孺で2峰喇墓を績し、懼疤3家を納い懼げている∈哭1∷。 [ⅹ魯きを粕む]
セミコンポ〖タル肩號のSPIフォ〖ラム≈3肌傅プロセスの噬とソリュ〖ション∽が1奉30泣、澎疊告勉ノ垮で倡號された。ここでは、16/14nm箕洛から塑呈弄に瞥掐されるFinFETや、NANDフラッシュのような僥房メモリといったプロセスの3肌傅步を何り懼げた。2014鉗12奉のIEDMでもFinFETが絡(luò)きなトピックスを貍めたようだ。 [ⅹ魯きを粕む]
染瞥攣緩度の攻拇が巴臉として魯いている。この2014鉗10×12奉袋の煌染袋瘋換が湯らかになり、染瞥攣メ〖カ〖だけではなく、簇息亨瘟メ〖カ〖やテスタ〖メ〖カ〖も攻拇という馮蔡が叫ている。澎記、ルネサス、慨臂步池、JSR、ディスコ、アドバンテストの煌染袋瘋換が陵肌いで鼠蘋された。 [ⅹ魯きを粕む]
2014 IEDM∈International Electron Devices Meeting∷での絡(luò)きな啼瑪は、IC度腸が經(jīng)丸に羹けてどこに羹かっているのかを湯澄にすることだった。 [ⅹ魯きを粕む]
2014鉗の坤腸染瞥攣ランキング斧哈みを勢輝眷拇漢柴家のIHS Technologyも券山した。泣塑メ〖カ〖は邊奧の逼讀もありドル山績では凱び唯が布がりそうだ。1疤Intel、2疤Samsung、3疤Qualcommと魯き、9疤までは2013鉗と票じだが、10疤は絡(luò)きく恃わる。 [ⅹ魯きを粕む]
澎記は、NANDフラッシュメモリ禱窖の怠泰攫鼠を稍賴に艱評したとして、躥柜のSK Hynixを潦えていた啼瑪で、下豺したことを券山した。これは、海鉗の3奉13泣にHynixの傅驕度鎊が、2008鉗碰箕、澎記煌泣輝供眷柒でサンディスクの驕度鎊として鼎票倡券していた澎記の怠泰攫鼠を稍賴に積ち叫し、その攫鼠をHynixが蝗脫していた、として捏潦していたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
黎降、泣塑沸貉糠使家が≈泣沸フォ〖ラム坤腸沸蹦莢柴的∽を澎疊で倡號し、その面から染瞥攣メ〖カ〖としてMicron Technologyの沸蹦莢インタビュ〖淡禍が驢かった。奠エルピ〖ダメモリの弓噴供眷に腆1000帛邊を抨獲し、DRAMの欄緩墻蝸2充籠緩する、と11奉11泣に鼠じた。MicronはDRAMをIoT輝眷においても袋略しているようだ。 [ⅹ魯きを粕む]
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