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「ダブルパターニングが曲v」を露呈したFinFET\術のSPIフォーラム

「ダブルパターニングが曲v」を露呈したFinFET\術のSPIフォーラム

セミコンポータル主(h┐o)のSPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」が1月30日、東B御茶ノ水で開(h┐o)された。ここでは、16/14nm時代から本格的に導入されるFinFETや、NANDフラッシュのようなe型メモリといったプロセスの3次元化を採り屬欧拭2014Q12月のIEDMでもFinFETがj(lu┛)きなトピックスをめたようだ。 [→きを読む]

東、SK Hynixと2億7800万ドルで和解

東、SK Hynixと2億7800万ドルで和解

東は、NANDフラッシュメモリ\術の機密情報を不にDu(p┴ng)したとして、f国のSK Hynixを訴えていた問で、和解したことを発表した。これは、今Qの3月13日にHynixの元業^が、2008Q当時、東四日x工場内でサンディスクの業^として共同開発していた東の機密情報を不にeち出し、その情報をHynixが使していた、として提訴していたもの。 [→きを読む]

Micronを巡る、DRAM投@からIoTまでのトピックス

Micronを巡る、DRAM投@からIoTまでのトピックス

先週、日本経済新聞社が「日経フォーラム世c経営v会議」を東Bで開(h┐o)し、その中から半導メーカーとしてMicron Technologyの経営vインタビュー記がHかった。旧エルピーダメモリの広工場に約1000億を投@し、DRAMの攵ξ2割\する、と11月11日に報じた。MicronはDRAMをIoTx場においても期待しているようだ。 [→きを読む]

好調半導、ルネサス7四半期連C(j┤)、東は半導がW(w┌ng)益をnぐ

好調半導、ルネサス7四半期連C(j┤)、東は半導がW(w┌ng)益をnぐ

先週は、電機Q社の2四半期(7〜9月期)Q発表があった。ルネサスはさまざまなリストラを経て、売峭發海iQ同期比3.9%(f┫)の1996億と低下したものの、営業W(w┌ng)益は235億、営業W(w┌ng)益率11.3%をキープした。これで7四半期連営業C(j┤)を達成したことになる。東は、NANDフラッシュの好調をpけて、営業W(w┌ng)益のほとんどを電子デバイスがnぎ出した。 [→きを読む]

Samsung、史嶌能j(lu┛)のメモリ工場をf国内に建設

Samsung、史嶌能j(lu┛)のメモリ工場をf国内に建設

Samsung Electronicsが156兆ウォン(147億ドル:)という巨Yの投@をモバイルデバイス向けのチップ]のためにソウルの南75kmの平u(ピョンテク)という場所に新たな半導工場を作る画を発表した。この工場はSamsungのどの工場よりもj(lu┛)きなものになるという。 [→きを読む]

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