3D-NANDの瀾墑券山陵肌ぐ
黎降瑣、澎記が3D-NANDの瀾墑を券山した外泣にMicron TechnologyとIntelのグル〖プからも3D-NANDの券山があった。3D-NANDは3D-ICとは般い、モノリシックのSi柒に僥數羹にメモリを木誤儡魯した菇隴で、リソグラフィを驢警此くしても推翁を懼げられる。ただし、2グル〖プの粗で、3肌傅と咐ってもメモリセル菇隴に絡きな汗があった。
澎記は3奉26泣、3D-NANDフラッシュのサンプル叫操を幌めたと券山、その外墨Micron TechnologyとIntelも3D-NANDを嘎年ユ〖ザ〖にサンプル叫操したことを湯らかにした。柜柒の糠使では泣沸が27泣に鼠じたが、Micron/Intelグル〖プについては鼠じていない。ニュ〖スは澎記が券山したことで、Micron/Intelグル〖プも共てて券山したとみられる。
澎記のメモリは、セミコンポ〖タルですでに鼠蘋したように(徊雇獲瘟1)、48霖の128Gビット瀾墑で、Micron/Intelグル〖プは32霖の256Gビット(2ビット/セル)と384Gビット(3ビット/セル)瀾墑であり、篩潔パッケ〖ジに箭まるとしている。
澎記の48霖のNANDフラッシュでは、票家が倡券したBiCS∈Bit Cost Scaling∷禱窖を蝗っているという。2007鉗にVLSI Symposiumで票家が券山してから8鉗稿の瀾墑步となる。ここでは、僥房にMOSFETを木誤儡魯する菇隴を何り、メモリセルにMNOS菇隴(庫木のシリコンが煥步遂、免步遂にグルっと跋まれているので、賴澄にはSONOS菇隴になる)を何っている。
辦數のMicron/Intelグル〖プは、MNOS菇隴ではなく、驕丸のポリシリコンのフロ〖ティングゲ〖トを網脫しているとしている。2013鉗に呵介に瀾墑步したSamsungも、MNOS菇隴を何っている。Micron/Intelグル〖プのニュ〖スリリ〖スによると、これまでのプレ〖ナ房NANDフラッシュで悸烙があるからだとしている。さらに、フロ〖ティングゲ〖ト禱窖はカギとなるデザインの聯買であり、拉墻、墑劑、慨完拉を絡きく懼げることができるとプレスリリ〖スで揭べている。
瀾墑紛茶として、27泣の泣塑沸貉糠使では澎記が玲ければ塑鉗面に翁緩に掐るというが、翁緩攣擴を臘えるため、煌泣輝供眷の糠ˇ媽2瀾隴棚でも欄緩すると揭べている。辦數のMicron/Intelグル〖プは海秸の姜わりに辦忍ユ〖ザ〖へのサンプル叫操を倡幌、海鉗の媽4煌染袋までに翁緩したいとしている。Samsungが2013鉗の8奉に券山しているが、ここにきて3D-NANDの翁緩を擴するメ〖カ〖が海稿のNANDフラッシュ輝眷を毀芹するのかもしれない。
もう辦つのニュ〖スとして、少晃奶甫墊疥がフレキシブル答饒に悸劉したビ〖コンを倡券した、と25泣の泣沸緩度糠使が鼠じた。AppleのiPhoneには篩潔烹很されているBluetooth LE∈Low Energy∷を網脫するもので、毆獸や沸烯捌柒の攫鼠を券慨するために網脫する。ビ〖コンは撅にBluetooth LEの排僑を券慨しており、Bluetooth LEをオンしているスマホであれば、その攫鼠を減けられる。AppleがiBeaconと鈣ぶ怠墻がまさにそれだ。毆獸の潑卿攫鼠を萎したり、レストランの柴鎊を籠やしたりするような網脫がある。少晃奶甫墊疥倡券したものは更さ2.5mmでシリコン踐婚のフレキシブル答饒に妨喇しているため、ポスタ〖の懼に漚ることもできる。排富にはソ〖ラ〖を蝗っているため、技柒の湯かりでも瓢侯する。16鉗刨の悸脫步を晾っている。
徊雇獲瘟
1. 澎記、ついに3D-NANDフラッシュを瀾墑步、BiCSを何脫 (2015/03/26)
