ISSCC 2016、鏈攣の鼎奶キ〖ワ〖ドはIoT、泣塑が光何買唯
ISSCC2016は、IoT辦咖といえそうだ。緩度腸からの怪遍が籠え(哭1)、しかも泣塑からの券山が勢柜に肌ぐ鳳眶となっている。徊裁莢も60%が緩度腸から。ISSCCは撅に箕洛の糠しいトレンドを何り哈み、答拇怪遍はそのトレンドを瓤鼻している。アナログ、パワ〖、ロジック、メモリ、RF、奶慨攙烯、プロセッサなどテクノロジ〖の渴步を斧ることができる。
この柴的鏈攣のテ〖マは≈Silicon Systems for the Internet of Everything∈IoT羹けのシリコンシステム∷∽である。答拇怪遍は4鳳あり、それを斧臂したテ〖マが驢い。テ〖マと怪遍莢は肌の奶り〃
ˇMoore∏s Law: A Path Forward≥IntelのWilliam Holt會
ˇ5G Mobile Technology Evolution Toward 2020 and Beyond≥NTTドコモの薩懼攬壟會
ˇThe Road Ahead for Security Connected Cars≥NXP SemiconductorのLars Reger會
ˇThree Pillars Enabling the Internet of Everything≥XeroxのSophie Vandebroek會
Intelのム〖アの恕摟の渴鷗は、IoTのクラウドやエッジコンピュ〖ティング∈IoT眉瑣婁での遍換怠墻∷で蝗われる。5Gは10Gbpsという光廬デ〖タレ〖トだけではなく、エネルギ〖跟唯の絡升な羹懼や、レイテンシ1ms笆布という慌屯もあり、IoTの奶慨にも絡きな逼讀を涂える。クルマのセキュリティに簇してもクルマがインタ〖ネットとつながるために風かせない。呵稿のXeroxのCTOの怪遍はIoTそのものである(試礁技廟)。
券山鳳眶に簇して、柜侍では勢柜の83鳳がトップで、2疤の泣塑が24鳳、躥柜22鳳、ベルギ〖12鳳、駱涎11鳳となっている。あとは9鳳笆布となっている。券山怠簇侍では、トップがベルギ〖IMECの10鳳、躥柜Samsung9鳳、IntelとMichigan絡池が8鳳、KAISTとUCLAが7鳳、MediaTek6鳳、Broadcomと澎記、MIT、Texas絡池が5鳳と魯いている。泣塑からの券山は、澎記笆嘲はルネサスエレクトロニクスとパナソニックが3鳳、ソニ〖と澎疊供度絡池が2鳳、となっている。底」に泣塑の浮皮が謄惟つ。
何買唯では、ベルギ〖の80%が凡を卻いているが、肌が泣塑の50%、勢柜は38%、躥柜33%となっている。泣塑からは劑の光い俠矢券山が袋略されている。
IoTに稍材風な禱窖として奶慨禱窖がある。奶慨件僑眶の光件僑步は驕丸のミリ僑からTHz(テラヘルツ)へと渴んできた。GHzの懼のTHzを悸附するPLL件僑眶シンセサイザが判眷する。0.56THzをはじめ、0.55THz、0.35THzを網脫するセンシング禱窖への炳脫は、X俐を蝗わずに譬冊するテラヘルツの墻蝸を網脫できるようになる。
アナログでも16nmFinFET
アナログにも腮嘿なプロセスが瞥掐される箕洛になってきた。件僑眶掠拌が160MHzと弓く久銳排蝸が40mWのΣ恃拇達をMediaTekが16nm FinFETプロセスで肋紛、Analog Devicesも28nmプロセスで掠拌465MHzのA-Dコンバ〖タを肋紛、その喇蔡を券山する。排富ではシステムLSIへのオンチップ礁姥を晾ったスイッチトキャパシタ數及のDC-DCコンバ〖タが魯叫している。スイッチトキャパシタ數及はこれまで跟唯が礙かったが、澎記が95.8%、Leuven絡池が94/8%と跟唯を懼げた。
IoTの眉瑣羹けには你久銳排蝸が稍材風だが、135×175µWという畝你久銳排蝸のレシ〖バ∈Twente絡池∷や1.5×2.3mWのGNSSレシ〖バ(ソニ〖)などの券山がある。銅俐奶慨では各帕流禱窖としてシリコンフォトニクスで56Gbps/300mWのトランスミッタ∈STMicro、Pavia絡池∷や、32Gbpsで4チャンネルのトランスミッタ∈Intel∷などが券山される。Intelは14nm FinFETプロセスを蝗脫。
プロセッサではサ〖バ〖脫のハイエンドではなく、モバイルプロセッサが驢い。また、潤ノイマン房のディ〖プラ〖ニングなどのア〖キテクチャの券山もある。モバイルプロセッサでは、ARMのbig.LITTLEの2クラスタ菇喇に裁え、その面粗も崔めた3クラスタ菇喇のARMv8ア〖キテクチャで10コアのモバイルプロセッサをMediaTekが券山する。ルネサスは、クルマのインフォテインメント羹けにレイテンシが70msと井さく12チャンネルのフルHDのビデオプロセッサを礁姥したSoCを券山する。ルネサスはクルマの奧鏈慌屯であるISO26262 ASIL-Bを塔顱する、16nm FinFETプロセスのヘテロジニアスマルチコアSoCも券山する。
ディ〖プラ〖ニング簇犯では、躥柜の絡池薄絡池KAISTがウェアラブルAR∈簿鱗附悸∷羹けにディ〖プラ〖ニングコアを灑えたUI/UXプロセッサについて揭べる。MITからも、ディ〖プラ〖ニングの辦鹼であるディ〖プCNN∈コンボリュ〖ション數及のニュ〖ラルネットワ〖ク∷羹けに浩菇喇材墻なアクセラレ〖タの券山がある。你い久銳排蝸と弓いメモリバンド升稍妥というメリットがある。
メモリはさすがにアジアからの俠矢券山が驢い。NANDフラッシュでは、Samsungが48霖のV-NAND菇隴で3ビット/セル數及の256Gビットフラッシュメモリを、Micronの泣塑恕客がフロ〖ティングゲ〖ト房で3肌傅菇隴の3ビット/セル數及768GビットNANDフラッシュメモリを券山する。MicronはIntelと鼎に、フロ〖ティングゲ〖ト房の3D-NANDを倡券することを山湯していた。辦數、澎記やSamsungはMONOS菇隴のセルを網脫している。
腮嘿なプロセスでは、10nm FinFETプロセスを脫いたSRAMをSamsungが券山する。これまで呵井のデザインル〖ルなので、セルサイズは0.04µm2と井さい。プロセッサに烹很するSRAMの礁姥刨を懼げるため、Intelはビット俐碰たり256セルと驢くのセルを事べたアレイを材墻にするセンスアンプについて揭べる。
DRAM簇犯では、Samsungが9Gbps/ピンのGDDR5の8GビットDRAMと、バンド升307GB/sのHBM2∈8霖スタックのHigh Bandwidth Memory∷のDRAMモジュ〖ルをウェ〖ハ懼で乖うテスト恕も崔めて券山する。
笆懼、漣刪冉の光い肩な券山俠矢を濺ったが、ここで疽拆しきれない庭れた俠矢も驢い。これらの拒嘿は、2016鉗1奉31泣×2奉4泣のISSCCで券山される。介泣の1奉31泣(泣)はチュ〖トリアルセッションが乖われ、10嘆の漓嚏踩がビギナ〖羹けの怪盜を乖う。泣塑からも坷竿絡池の筆拍靠兜鑒がミクストシグナルSoCのノイズシミュレ〖ションに簇して怪盜する。
(試礁技廟) 勢柜や菠劍では、IoTという咐駝あるが、IoEとは咐わない。≈IoT or Internet of Everything∽と廈すことが驢い。セミコンポ〖タルでは、臼維妨で山す箕は坤腸鼎奶胳になっているIoTを蝗う。
徊雇獲瘟
1. 3D-NANDの瀾墑券山陵肌ぐ (2015/03/30)
