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DRAMの卿懼喇墓はまだ歐版夢(mèng)らず、染瞥攣肥丹は魯く

2017年11月17日 ∶輝眷尸老

海泣の未攔をけん苞しているDRAMの媽3煌染袋における坤腸の卿懼馳が漣煌染袋孺16.2%籠という睹佰弄な凱びを巴臉として斧せている。DRAMの防腆擦呈も票5%籠であるため、海は欄緩翁も凱びて丸たことから卿り懼げ籠に絡(luò)きく棺弗しているが、欄緩翁が凱びてもまだ見妥が并攔だということになる。 [ⅹ魯きを粕む]

Intel/Micronの3D Xpoint供眷を橙磨

2017年11月14日 ∶緩度尸老

IntelとMicron Technologyは、尉家圭售の稍帶券拉メモリ柴家であるIM Flashが勢(shì)柜ユタ劍レ〖イにあるIM Flashの供眷の柒、ビルディング60∈B60∷の橙磨供禍を姜えたと券山した∈徊雇獲瘟1∷。ここは3D Xpointメモリの肩蝸供眷である。 [ⅹ魯きを粕む]

澎記メモリの卿笛にWDのライバルSeagateも徊裁

2017年10月 2日 ∶降粗ニュ〖ス尸老

泣塑沸貉糠使をはじめ、さまざまなメディアが鼠じたニュ〖スだが、澎記は9奉28泣、澎記メモリの卿笛黎を≈泣勢(shì)躥∽息圭に瘋めた。黎降瑣から炮泣にかけてこのニュ〖スとその豺棱が若び蛤った。泣塑の染瞥攣緩度にとっても悟凰弄な≈禍鳳∽である。 [ⅹ魯きを粕む]

企啪話啪する澎記沸蹦控への稍塔十叫

2017年9月19日 ∶降粗ニュ〖ス尸老

澎記沸蹦控が搪瘤を魯ける面、恫れたことが彈きつつある�？秃嗑也馥怠讥鹰工煊洢幞猊辘违抓恁互攻ē螗弗衰ⅳ违攻Ε趣似挨い皮い毪取�9奉14泣の泣沸緩度糠使が鼠じた。勢(shì)柜箕粗12泣にはAppleが糠しいiPhoneを券山し、NANDフラッシュの墑泅炊を裁廬することになろう。澎記メモリの附眷は≈もういい裁負(fù)に∽という塑不を銑らす。 [ⅹ魯きを粕む]

澎記がWestern Digitalと澎記メモリ臭及柴家の卿笛に羹けて庭黎蛤灸することを瘋めた、というニュ〖スが8奉25泣の泣塑沸貉糠使に非很された。22泣の泣沸では、澎記とWDとのトップ柴錳を奪」倡き、WDによる潦舉艱り布げを妥懶するもよう、と帕えていたから、締啪木布の冉們となった。また、蠟紹の車換妥滇の膽淚となり、AI、IoT、5Gなどこれからのハイテクへの徒換梳り圭里が幌まった。 [ⅹ魯きを粕む]

NANDフラッシュランキング; 澎記、2疤を穢奸するも秦稿に逼

2017年8月23日 ∶輝眷尸老

NANDフラッシュ媽2疤の澎記と4疤のMicron Technologyとの輝眷シェアの汗が2017鉗媽1煌染袋は7.3%ポイントあったが、媽2煌染袋には4.6%ポイントに低まってきた(山1)。媽1煌染袋から媽2煌染袋での懼疤6家の卿懼馳は士堆8%で喇墓したが、澎記は0.5%しか凱びなかったからだ。 [ⅹ魯きを粕む]

肋灑抨獲ˇ糠IP柴家ˇ籠緩へと僻み叫す染瞥攣緩度

2017年8月14日 ∶降粗ニュ〖ス尸老

染瞥攣緩度のさらなる喇墓に羹けた肋灑抨獲、糠柴家、欄緩墻蝸の籠動(dòng)などの瓢きが黎降あった。さらに、セキュリティやAIに灤借するための客亨伴喇の紛茶が魯叫し、モノづくり緩度を?qū)櫪工搿諱aker Movement∽のイベントがビッグサイトで倡かれた。すなわち、染瞥攣を網(wǎng)脫する婁も寵拉步してきている。 [ⅹ魯きを粕む]

ST-MRAMは1Gビットに、Everspinがサンプル叫操

2017年8月 9日 ∶禱窖尸老∈染瞥攣瀾墑∷

Everspin Technologies家は、1Gビットという光礁姥のST∈spin torque∷-MRAM∈Magnetoresistive random access memory∷チップのサンプル叫操を幌めた。�？簸螡娔辚妗讥丁几堡违隶氓驻扦ⅳ辍⑽叹彜咸つ辍￥长欷蓼扦蜸T-MRAMの呵光礁姥刨は256Mビットだった。 [ⅹ魯きを粕む]

Western Digital、4ビット/セルの768Gビット3D-NANDフラッシュを倡券

2017年7月26日 ∶禱窖尸老∈染瞥攣瀾墑∷

澎記メモリと煌泣輝供眷を鼎銅しているWestern Digitalは、64霖の3D-NANDフラッシュ禱窖を蝗った、4ビット/セルの768Gビット∈96Gバイト∷メモリを倡券した∈哭1∷。驕丸と票じ眶のメモリセルを積つ3ビット/セルのNANDフラッシュだと、メモリ推翁は512Gビット∈64Gバイト∷だったが、これよりも50%籠裁した。 [ⅹ魯きを粕む]