図1　3D XPointテクノロジーを使った128Gビットのメモリ
出�Z：Intel、Micron Technology

このようなストレージクラスメモリは、DRAMとNANDフラッシュのようなストレージデバイスを�mめるためのメモリである。これまでのコンピュータアーキテクチャでは、プロセッサとデータを絶えずやり�DりするDRAMは、本当は�j(lu┛)容量を組むことでコンピュータシステムを高�]化できるが、システムが高価になってしまう。しかし、DRAM容量が限られていると、プロセッサはストレージとやり�Dりせざるを�u(p┴ng)なくなり、アクセスは��(r┫n)常に�くなる。このため、DRAMとストレージをつなぐ�W価なメモリが求められている。

現在のNANDフラッシュなら、レイテンシは数�王�sと�いが、この新型メモリでは数��nsとNANDよりも3ケタ�]い。このため、DRAMとNANDフラッシュとの間の�]度ギャップを�mめることができる。もちろん、NANDフラッシュでさえ、HDD(ハードドライブ)と比べると3ケタ高�]だから、ストレージデバイスは�k般にHDDからNANDフラッシュアレイへ?c│i)々圓靴弔弔△襦��vの3D XPointメモリはHDDよりも6ケタ�]くなる。

高�]で�W価なストレージクラスメモリができるようになると、データを数��nsでアクセスできるようになり、例えば小売り業�vは、商��との�D引での偽のIDパターンを�t座に見破ることができる。ヘルスケア研�|�vは、膨�j(lu┛)なデータをリアルタイムで処理・解析できるようになり、�C伝子解析や伝���の�{跡などが高�]にできるようになる。

図2　クロスポイントアーキテクチャの3D XPointメモリ　出�Z：Intel、Micron

メモリ構�]はクロスポイントアレイ構�]で、図2のオレンジ�霾�鯊�(li│n)�Iデバイス、�u�霾�鬟瓮皀螢札襪箸靴道箸Α�肇薀鵐献好織譽垢世箸靴討い襦Ｂ�(li│n)�Iデバイス、メモリセルともどのような材料でできており、どのような原理で動作するのかについては��蕕�砲靴討い覆ぁ�PCRAMかSTT-MRAMかさえ、���靴討い覆ぁ�

アクセスする場合は、�屬離錙璽廟�伐爾離咼奪叛�謀徹気鬚�吋�譽鵐舷Г梁�(li│n)�Iデバイスを通してメモリセルに書き込み読み出しする。このクロスポイントアレイは、図2のようにアレイ�Cを2段に積み�_ねて容量を�\やすことができる。DRAMではトランジスタをメモリセルの横に配�していたが、3D XPointではトランジスタはなく、�(li│n)�Iデバイスをメモリセルに�e積みできるため、メモリ容量をDRAMの10倍にできるという。

すでに現在量�可�Δ淵廛蹈札攻\術で、128Gビットの試作��を�攵�ており、今�Qの後半にはサンプル出荷を始める予定だ。この�\術はIntel、Micronからそれぞれ����として販売することになる。