Samsung、4チップ姥霖TSVで128GBのDIMMを翁緩倡幌
Samsung ElectronicsがTSV∈Through silicon via∷を蝗い、DRAMチップを4綏腳ねた菇隴のメモリパッケ〖ジを9改蝗った128GバイトのDDR4メモリモジュ〖ルの翁緩を倡幌した。ハイエンドの措度羹けサ〖バ〖やデ〖タセンタ〖羹けのメモリモジュ〖ル。
哭1 Samsungが翁緩倡幌した128GB DDR4モジュ〖ル 叫諾¨Business Wire
DRAMチップを剩眶綏腳ねてTSV禱窖などで推翁を籠やし、メモリとCPUとの調(diào)違を沒くしコンピュ〖タシステムの廬刨を懼げようという瓢きは呵奪潑に驢い。もはやプロセッサ∈CPU∷の廬刨でコンピュ〖タシステムの拉墻が懼がる條ではなく、メモリ推翁を懼げ、CPUと絡(luò)翁のデ〖タをやり艱りする數(shù)がシステム廬刨は光まる。
瀾隴プロセスとしては、DRAM推翁をシングルチップで懼げることは豈しくなってきている。DRAMのキャパシタを籠裁させる禱窖が嘎腸に奪燒いてきているためだ。海攙蝗われたチップは、DRAMとして呵も腮嘿な20nmル〖ルで瀾隴され、チップ帽攣の推翁は8Gビット∈♂1Gバイト∷である。辦つのモ〖ルドパッケ〖ジにはチップを4綏腳ねているため、1パッケ〖ジ碰たり4Gバイトの推翁となる。このメモリモジュ〖ルRDIMM∈Registered Dual In-line Memory Module∷は尉燙悸劉しており、鏈嬸で36改のメモリパッケ〖ジを烹很している。濕妄弄には、鏈嬸で144Gバイトを姥んでいる妨になる。このモジュ〖ルでは1ビットを疙り檸賴のためのパリティビットとしているため、禍悸懼は8ビット+1ビットの9ビットを1バイトと眶えている。だから悸狠に蝗える悸跟メモリ推翁は128Gバイトとなる。
Samsungは2014鉗に呵介のTSVスタックで64GバイトのDDR4 DRAM RDIMMを倡券していた。海攙のRDIMMは推翁をさらに2擒に籠やした。
驕丸のDRAMは、ワイヤ〖ボンディングによって、DRAMチップを腳ねていたが、チップを高い般いに姥み腳ねざるを評なかった。ボンディングパッド嬸尸がチップの憋に芹彌されてあったためだ。これでは、チップ粗の芹俐の調(diào)違が墓くなり、デ〖タ升を弓げると芹俐の覓變やスキュ〖、レ〖シングなどの啼瑪が券欄しやすくなり、疙瓢侯につながった。このためバンド升の橙絡(luò)には嘎腸があった。
海攙のようにTSVを脫いれば、1綏のシリコンチップの更さは眶澆µmと泅いため、チップ粗の芹俐墓も眶澆µmと沒教できる。さらに、海攙は、1パッケ〖ジに4綏の腳ねたチップの柒の辦つをマスタ〖チップとして、デ〖タバッファ怠墻を積たせた。このことによって、拉墻と久銳排蝸を呵努步できた。この馮蔡、海攙のメモリモジュ〖ルでは呵光2.4 Gbpsと驕丸の64GバイトLR∈Load reduced∷DIMM墑(4綏スタックだがワイヤ〖ボンディング蝗脫)よりも2擒の拉墻が評られると票箕に、久銳排蝸は染負した。
票家はTSVの欄緩を裁廬し、20nm 8GビットDRAMチップの翁緩惟ち懼げを廬めることで、DRAMの畝絡(luò)推翁步に炳えていく。さらに糠しいTSV禱窖を蝗ったDRAMモジュ〖ルを橙磨し、128GバイトのLR DIMMなどのモジュ〖ルも眶降粗笆柒に路えていく紛茶だ。海稿、TSVによるDRAMモジュ〖ルの構(gòu)なる光廬步にも灤炳していくとして、呵絡(luò)2,667Mbps、および3,200Mbpsといったデ〖タ啪流廬刨のモジュ〖ルも鷗倡し、HBM∈High Bandwidth Memory∷などの瀾墑へも弓げていくとしている。
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1. Samsung Starts Mass Producing Industry∏s First 128-Gigabyte DDR4 Modules for Enterprise Servers, Business Wire (2015/11/25)
