Samsungは48霖256Gビット3肌傅NANDを翁緩倡幌
8奉4泣に澎記が48霖姥霖の256Gビット3D NANDフラッシュの倡券をアナウンスした甜黎、Samsungは票じように48霖の256Gビット3D NANDフラッシュの翁緩を幌めたというニュ〖スが若び哈んできた。勢柜サンタクララで倡かれたFlash Memory Summit 2015で湯らかにしたもの。
哭1 Samsungが券山した48霖3肌傅NANDフラッシュ瀾墑 叫諾¨Samsung Tomorrow
Samsungのチップも澎記と票屯、3ビット/セルの48霖256Gビット(32Gバイト)NANDフラッシュチップだが、澎記のチップは9奉からサンプル叫操であった(徊雇獲瘟1)。これに灤してSamsungのチップは翁緩倡幌となっており、辦殊黎んじている。候鉗の8奉、Samsungは32霖の3ビット/セル菇隴の128Gビット3肌傅NANDフラッシュを翁緩し幌めたが、1鉗稿に2擒の推翁のNANDフラッシュを瀾墑步したことになる。セル菇隴は、驕丸と票屯、3D CTF (Charge Trap Flash)菇隴を網脫。
Samsungによると、驕丸の128Gビット墑と孺べ、票じデ〖タ翁をストアするのに久銳排蝸は30%猴負され、欄緩拉は40%笆懼光いとしている。この馮蔡、SSD∈蓋攣ディスク劉彌∷輝眷でのコスト頂凌蝸は、驕丸墑よりも光まるとしている。
Samsungは驕丸の128Gビット瀾墑で2TバイトSSDを癱欄脫に叫操しているが、この256Gビットの糠瀾墑を蝗ったSSDは、措度羹けやデ〖タセンタ〖ストレ〖ジ羹けに絡推翁のSSDを任卿する徒年だ。ここでは、PCIe、NVMe、SASインタフェ〖スを烹很する徒年である。
徊雇獲瘟
1. 48霖姥霖プロセスを脫いた坤腸介の256ギガビット3肌傅フラッシュメモリ≈BiCS FLASH∽の瀾墑步について (2015/08/04)
