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Spansion、333MB/sと高�]のシリアルバスを提案、フラッシュNOR��発売

2014年2月21日｜�\術分析（半導��）

Spansionが最�j(lu┛)333MB/sと高�]のデータレートで読み出せる新しいメモリインタフェースバスHyperBusを提案、このインタフェースを組み込んだ高�]のNORフラッシュ��HyperFlashの��1��をリリースした。ピン数はわずか12ピンで読み出せるため、省スペースのクルマなどに向く。 [→�きを読む]

新型相変化メモリをTRAMとLEAPが命�@

2014年2月18日｜�\術分析（プロセス）

LEAP（�低電圧デバイス�\術研�|組合）が2013 IEDM（International Electron Devices Meeting）で発表した新しい相変化メモリ(参考�@料1)は、TRAM（Topological switching RAM）と�@��韻襪海箸��まった。GeTe/Sb2Te3�格子の中のGeの�‘阿世韻把笘B(ni┌o)�^と高�B(ni┌o)�^をスイッチングする。このカルコゲン材料による�格子を、トポロジカル絶縁��と�饑�駘�悗寮つcで�}んでいる。 [→�きを読む]

�めに転じる半導��業�c

2014年1月27日｜週間ニュース分析

��(sh━)国では、AMDやTI（Texas Instruments）の収益構�]が改�、エルピーダはDRAMに800億�を投�@する�画を発表、東�は��(sh━)OCZ Technology社のSSD�業�A収を完了した。ソニーはインドの��業��儔m�j(lu┛)�}Evalueserveとの合弁会社を設立、欧��(sh━)への��出願を�膿覆垢襦� [→�きを読む]

少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発

2013年12月12日｜�\術分析（プロセス）

相変化メモリがRAMとして使える可��④�个討④拭��低電圧デバイス�\術研�|組合（LEAP）は、�T晶Aと�T晶Bの��，世韻覗蠹�，任④觚桐�鮠W(w┌ng)�したメモリを開発し、1億�vを�える書き換え�v数を�u(p┴ng)た。これ以�屬僚颪⑳垢┘謄好箸六�屬��蠅垢�襪燭瓠�聆Vしたという。 [→�きを読む]

2013�Qの世�c半導��ランキング見通しをIHSグローバルも発表

2013年12月 6日｜�x場分析

IHSグローバルが2013�Qの世�c半導��x場見通しを発表した。2013�Qの半導��x場見通しについてはすでにIC Insightsが発表している（参考�@料1）が、IHSの統�にはファウンドリを含まない。このため、本ランキングの合�金�Yが半導��の�x場を表していることになる。 [→�きを読む]

NANDフラッシュの�x場がデジカメ･スマホからデータストレージにも拡�j(lu┛)

2013年12月 2日｜週間ニュース分析

ビッグデータ、データセンター、ストレージ、NANDフラッシュ、複雑な高集積プロセス。�k見関係のない言�だが、半導��のプロセスがITデータセンターの�\術と今、深く�Tびついている。AEC/APCレポート(参考�@料1)で報告したように、ビッグデータの解析に使うHadoopソフトウエアが、複雑な半導��プロセスパラメータの解析にも使われるようになり、NANDフラッシュはHDDと�き換わる��(c┬)渡期にある。 [→�きを読む]

先端半導��をけん引するモバイル�\術～ISSCC2014から見えるトレンド

$先端半導��をけん引するモバイル�\術～ISSCC2014から見えるトレンド$

2013年11月28日｜会議報告（プレビュー）

ISSCC（International Solid-State Circuits Conference）2014の�(ch┘)要が�wまった。半導��の世�cはアジアシフトが��(d┛ng)まっていることから、東�Bを皮切りにソウル、��、シンガポール、��Bでも記�v会見を行った。この国際半導��v路会議は、アナログからRF、デジタル、低電�デジタル、プロセッサ、メモリ、イメージセンサなどをカバーし、ここから見えることはやはり、モバイル端�が�\術をけん引していることだろう。 [→�きを読む]