少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発
![少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発](/assets_c/900px/131212-leap.png "少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発")
相変化メモリがRAMとして使える可��性が出てきた。��低電圧デバイス�\術研�|組合（LEAP）は、�T晶Aと�T晶Bの���，世韻覗蠹��，任�る原理を�W(w┌ng)��したメモリを開発し、1億�vを��える書き換え�v数を�uた。これ以�屬僚颪�換えテストは時間がかかりすぎるため、中�Vしたという。 [→��きを読む]
メモリ
2013�Qの世�c半導��ランキング見通しをIHSグローバルも発表
IHSグローバルが2013�Qの世�c半導���x場見通しを発表した。2013�Qの半導���x場見通しについてはすでにIC Insightsが発表している（参考�@料1）が、IHSの統��にはファウンドリを含まない。このため、本ランキングの合��金�Yが半導������の�x場を表していることになる。 [→��きを読む]
NANDフラッシュの�x場がデジカメ･スマホからデータストレージにも拡�j(lu┛)
ビッグデータ、データセンター、ストレージ、NANDフラッシュ、複雑な高集積プロセス。�k見関係のない言��だが、半導��のプロセスがITデータセンターの�\術と今、深く�Tびついている。AEC/APCレポート(参考�@料1)で報告したように、ビッグデータの解析に使うHadoopソフトウエアが、複雑な半導��プロセスパラメータの解析にも使われるようになり、NANDフラッシュはHDDと��き換わる�堙牢�にある。 [→��きを読む]
先端半導��をけん引するモバイル�\術〜ISSCC2014から見えるトレンド
ISSCC（International Solid-State Circuits Conference）2014の��要が�wまった。半導��の世�cはアジアシフトが�咾泙辰討い襪海箸�ら、東�Bを皮切りにソウル、����、シンガポール、���Bでも記�v会見を行った。この国際半導���v路会議は、アナログからRF、デジタル、低電��デジタル、プロセッサ、メモリ、イメージセンサなどをカバーし、ここから見えることはやはり、モバイル端��が�\術をけん引していることだろう。 [→��きを読む]
��湾好調、国内にも��るい�B��、パナが世�c初のHDMI2.0チップを商��化
��湾が好調だ。2013�Qにおける半導��関連�噞の売り�屬欧��垉邵嚢發如��i�Q比14%�\の1兆7577億��湾元（5兆8700億��）になるという見通しを��湾のIT�Uシンクタンクが発表したと日経�噞新聞が18日に伝えた。国内ではパナソニックが世�cで最初のHDMI2.0��拠の通信LSIを商��化した。�盜颪任�Texas Instruments社がコイルを�W(w┌ng)��するセンサの信��(gu┤)処理�v路を発表した。 [→��きを読む]
アップルiPhone5Sに初の64ビットAPU搭載、東��の積極投�@に�R�`
日本時間9月11日にアップルのiPhone5Sの発表があったものの、報�Oの�壹X感はさほどでもなかった中、64ビットアプリケーションプロセッサ（APU）が初めてスマートフォンに搭載された。この�T果、DRAMをいくらでも積めるようになる。東��は半導��・ストレージ��業を2015�Q度までに�Q平均6.8%で成長させるという中期��画を投�@アナリスト向けに発表した。 [→��きを読む]
��湾、モバイルDRAMをバネに復���`指す-21�vISSM/eMDC合同シンポから
21�vを迎えたISSMと、��湾TSIA主��のe-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC)のジョイントシンポジウムが9月6日、��湾、新�艚xのAmbassador Hsinchu Hotelにて開��され、260�@の参加�vが集った。会場はTSMCを中心とした��湾の�{いエンジニアが����の8割以�屬鰒�め、��気溢れる会合であった。 [→��きを読む]
東��、モバイルビジネスに向けNANDフラッシュ新工場の��工式
東��は8月23日、四日�x工場の��5���]棟の��2期工��の��工式を行ったと発表した。これまで伝えてきたように（参考�@料1）、NANDフラッシュの3Dプロセスや次世代リソグラフィプロセス��などの���]を�`的としており、2014�Q��に�A工予定となっている。 [→��きを読む]
サムスン、3次元NANDを64個搭載したSSDを量�凮始
8月6日にサムスン電子が3次元NANDフラッシュメモリの量��を開始するというニュースを発表したが(参考�@料1)、その完成度は実はかなり高いことがわかった。13日にはこの同じ3次元NANDフラッシュを��いたSSD（ソリッドステートドライブ）を�攵凮始したと発表したのである。 [→��きを読む]
サムスン、3次元�e構�]NANDフラッシュの量�凮始を発表
![サムスン、3次元�e構�]NANDフラッシュの量�凮始を発表](/assets_c/900px/130812-toshibasamsung.png "サムスン、3次元�e構�]NANDフラッシュの量�凮始を発表")
8月6日の日本経済新聞は、1�Cトップに「東��、サンディスクと半導��新工場、4000億��投�@、最新メモリーで巻き返し」という見出しの記��を掲載、半導��業�cを驚かせた。ただ、直後の7日に開��された東��の経営��(sh┫)針説��会では、このことに関して田中久�d社長は�k切�Bをせず��問も出なかった。 [→��きを読む]
<<�iのページ 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 次のページ »
