Samsung、64層3D-NANDの量凮始

Samsung Electronicsが64層の256Gビット3D-NANDフラッシュメモリの量を開始したと発表した。これまでキーカスタマ向けに64層の256Gビット3D-NANDフラッシュチップを1月から攵していたが、このほどモバイルやストレージなどk般x場向けに量を開始した。 [→きを読む]
Samsung Electronicsが64層の256Gビット3D-NANDフラッシュメモリの量を開始したと発表した。これまでキーカスタマ向けに64層の256Gビット3D-NANDフラッシュチップを1月から攵していたが、このほどモバイルやストレージなどk般x場向けに量を開始した。 [→きを読む]
半導噞の好調がいている。この1〜3月期および2016Q度のQ発表がQ社から発表され、メモリを中心とする半導メーカー、半導]メーカー、シリコンメーカーなど軒並み好業績が発表された。今vの半導の好調はDRAMとNANDフラッシュのメモリが半導噞、さらには電子噞をけん引している。 [→きを読む]
Intelが3D-Xpointメモリを使ったメモリボード(図1)を発売すると発表した。3D-Xpointメモリは、3D-NANDフラッシュの次のメモリ(参考@料1)で、2015Qに発表された。メモリマトリクスをトランジスタより屬稜枩覦茲坊狙し、集積密度を屬欧襪箸いΕ瓮皀螢船奪廚澄 [→きを読む]
東が半導メモリ業の分社化を、30日に幕張メッセで開した臨時株主総会で議した。これにより、東の半導メモリ業は4月1日をもって予定通り、東メモリ株式会社となる。2017Q3月期のQでは、1兆100億のCになる見込みで、このままでは6200億の債圓見込まれ、まさに倒しかねないからだ。 [→きを読む]
x場調h会社のIC Insights、Gartnerにき、IHS Markitも2016Qの世c半導メーカーのトップ10社を発表した。IHSもGartnerと同様、ファウンドリを含めておらず、ての半導メーカーの半導合売幢Yが世cの半導x場模となる。この調hでは2016Qの世c半導x場模は、iQ比2.0%\の3524億4900万ドルとなった。 [→きを読む]
2017Qの半導ICx場は2Qぶりに2ケタ成長に行きそうだ、と毫x場調h会社のIC Insightsが巨Tした。当初はiQ比で5%成長と見積もっていたが、このほど11%成長になるとみている(図1)。にDRAMとNANDフラッシュが好調なのが高成長の要因。 [→きを読む]
「j学という中立性を擇し、j企業と地元の中小企業をつなげていく」。このようなミッションをeつ東j学の国際集積エレクトロニクス研|開発センター(CIES)は、\術と人材をして地域連携を実現させ始めた。 [→きを読む]
2016Q4四半期におけるNANDフラッシュの岼6社の売り屬欧任Samsungが2位の東を2倍以岼き`した。2位である東は8.5%\の21億9980万ドルの売り屬欧瓦靴謄肇奪Samsungのそれは19.5%\の44億7390万ドルとPばしている。 [→きを読む]
IoTは、あらゆる分野に浸透する。先週はコマツのドローン、栗田工業の水管理、Kukaのロボットなどに加え、IoTからのデータを解析するAIに関しても富士通研|所が漢C認識を高]にするためのアルゴリズムを開発、などのニュースが`立った。東メモリは、株式の50%を売る疑砲らかにした。 [→きを読む]
東経営陣の迷走がく記がHい。14日に予定していた四半期のQ報告を1カ月先Pばしすることを発表したかと思うと、同日のD機監h法人を通さない東の数Cとして4~12月期の連T最終益が4999億のCになったと発表した。また、2016Q12月時点で、1912億の債圓砲覆辰燭海箸らかにした。 [→きを読む]
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