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図1　Qorvoの1200VのSiC JFETファミリ　出�Z：Qorvo

Qorvoは携帯電�Bの無線�v路（送信�v路のパワーアンプやMEMSフィルタなど）に�咾と焼���メーカーだが、SiCパワー半導��のUnitedSiCを昨�Q�A収した。UnitedSiCのSiCトランジスタは基本的にパワーJFET（接合型電�c効果トランジスタ）を使うが、JFETは通常ノーマリオン型（ゲート電圧ゼロでオンするデバイス）なので、ゲートにマイナスの電圧をかけてオフにする。そのためにシリコンなどのMOSFETをカスコード接��して、他社のパワーMOSFETと同様、実��的にノーマリオフ型にしている。JFETはソースからの電子が�T晶性の�KいMOS�c�Cを通らず、バルクを流れるトランジスタなので、電子�‘暗戮�バルク並みに高い、という��長がある。このためオン�B�^が�擇泙譴弔�低い。

今�vQorvoは、同社が��4世代のSiCデバイスと�}ぶように、最小23mΩ〜70mΩで耐圧がこれまで最�jの1200Vのトランジスタ����を開発した。TO-247-4L/3Lの�Y��パッケージに封�Vされたディスクリートトランジスタである。カスコード接��のMOSFETを集積しているため、ゲート電圧は0〜12Vと0〜15Vとして通常のノーマリオフ型のパワーMOSFETと同様に扱える。また、内�泥瀬ぅ�ードによりスイッチングに電荷を素早く�sける。

これまでの世代のSiCデバイスと比べて、�C積当たりのオン�B�^が小さく、SiC�T晶の理�b限�cの�Zくまで下げた（図2）。オン�B�^は�C積を�jきくすると下がるが、それではコストが下がらない。コスト的に�科�見合い、かつ性�Δ��屬欧襪燭瓩法�同社は、RDSon×�C積という指�Yで表し、この指�Yを�i世代よりも40%削��したとしている。

図2　�T晶性の良さを売りにするQorvoのSiC JFET　出�Z：Qorvo

また�C積を�屬欧困縫�ン�B�^を下げると寄�斃椴未皺爾�ってくる。800Vで30Aのスイッチングでのエネルギーは�i世代の62%しかない496µJ（マイクロジュール）で、出��容量Cossは�i世代の54%しかない150pFにとどまった。その�T果、Cossを充放電するためのエネルギーEossも��来の73%に��った。このためスイッチング��失は30%削��され、高�]動作が可�Δ砲覆辰�。

�k�気��C積を小さくして��失を��らせば、�X�B�^が�屬�るはずだが、これに�瓦靴討��敢�を�Dり、ダイアタッチのハンダを使わず銀でシンタリングすることで�X�B�^を�i世代よりも40〜60%下げたという。さらに��来150µmのSiCウェーハの厚さを削り100µmと薄くすることも�X�B�^の削��に効いた。

���]にはSiCの150mm（6インチ）ウェーハを�eつ�盜馥發離侫．Ε鵐疋蠅鮠W��している。

�k�機�CoolSiCというSiC パワーMOSFET����のブランド�@を�eつ、Infineon Technologiesは、5月10〜12日ドイツのニュルンベルグで開��されたパワーエレクトロニクスの�t��会PCIMで、耐圧2000VのパワーMOSFETを発表した（図3）。オン�B�^は12mΩと24mΩの2�|類でディスクリートとモジュールの2�|類���Tした。

図3　2000VのSiC MOSFET　ディスクリートでもモジュールでも提供する　出�Z：Infineon Technologies

直流1500Vで��常にスイッチング動作する応��では、半導��の耐圧が2000V��度は��要である。�陵杆�発電や蓄電池システムなどでは、架線に戻すため高耐圧デバイスを直�`に接��し、送電線の菹罎療徹�6.6kVや遠�{�`の66万ボルトなど、高圧にして送り出す。�Qトランジスタの耐圧は高ければ高いほど、トランジスタ数は少なくて済む。例えば2008�Qごろのパワーコンディショナーは幅1.5メートルほどのロッカーのサイズだったが、2kV耐圧のデバイスだと、リュックザック��度のサイズに収まる。

またEVの���]充電は、400〜450VのEV電圧よりも高い800V��度に��圧して�k気に充電させることで充電時間を�]縮している。こういった����では高耐圧のトランジスタが求められる。