オートモーティブワールド2020（1）〜可動�霽塒�LiDARや60GHzレーダーなど
��12�vオートモーティブワールド（図1）では、クルマ����での新しい提案が登場した。表�C発光レーザー（VCSEL）による可動�霾�のないLiDARシステムをオーストリアの中��半導��ams社が提案、周�S数帯域が7GHzと広い60GHz帯でのレーダーでクルマ内の人�颪凌瑤笋修凌看鐃瑤魃R定、可��化する提案をInfineonが行った。 [→��きを読む]
�\術分析（半導������）
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Cerebras社、ウェーハ��模のAIチップを実�△靴織灰鵐團紂璽燭鯣�売
AIチップのスタートアップ、��Cerebras社の巨�jなウェーハスケールAIチップを8月に紹介したが（参考�@料1）、Cerebras社はこの21.5cm×21.5cmというこのチップを組み込んだAIアクセラレータエンジンCS-1を日本で販売するため、東�Bエレクトロンデバイスと提携した（参考�@料2）。 [→��きを読む]
Lattice、28nm SOIプロセスのFPGAプラットフォームを開発
中��FPGAメーカーのLattice SemiconductorがSamsungの28nm SOIプロセスをプラットフォームとする新しいFPGA戦�Sを発表、まず消�J電��1/4でパッケージサイズ6mm角と小型で最�j4万ロジックセル搭載の����ファミリ「CrossLink-NX」をサンプル出荷し始めた。これまで同��模のFPGAと比べ、パッケージサイズで1/6と小さく実�△��O�y度が高い。 [→��きを読む]
ET & IoT Technology 2019(2)〜IoTネットワークでBluetoothの応��広がる
ET & IoT Technology 2019�tでは、IoTデバイスをつなぐBluetoothも����されている。Bluetoothビーコンはアンテナを����することで位���@度が�屬�り、Bluetooth Mesh��格が確立したことで応��が広がった。加えて、Bluetoothのソフトウエア開発ツールも充実してきており、プログラムによる独�O仕様のしやすさが普及を後押しする。 [→��きを読む]
Intelが新型GPUを発表、ヘテロアーキテクチャ向けソフトも新開発へ
Intelが新しいXeアーキテクチャをベースにしたGPUを発表した。�@��のGPUだとしながらも、狙う分野はAI（ディープラーニング）とHPC（High Performance Computing）だ。CPUとGPUのヘテロ集積により複雑になりがちなソフトウエア開発を�~単にする�}法を創出するための仕組み作りOneAPIイニシアティブを提案した。 [→��きを読む]
Maxim、��純����の����を検出するセキュリティICを開発
クルマ��半導��チップ認定の�kつであるAEC-Qグレード1に��拠する認証��セキュリティチップをMaxim Integratedが開発、販売を始めた(図1)。このチップは、��純����の����を接��すると、保証された純����ではないことを検出する。Liイオンバッテリやカメラなど信頼性が�_要な����を守る。 [→��きを読む]
3D-Xpointメモリの位��づけをMicronが��確に
NANDフラッシュとDRAM、ストレージクラスメモリの他にも今後10�Qに渡り、コンピュータおよびAIシステムを構成するメモリ階層の構�[をMicron Technologyが�]ち出した。ストレージクラスメモリとしての3D-Xpointメモリだけではなく、NVDIMM、TLCとQLCの役割分担なども��確にした。 [→��きを読む]
Micron、メモリからAIアクセラレータへ����ポートフォリオを拡�j
Micron Technologyが日本とシンガポールで工場の拡張に��を入れていることを�J報したが（参考�@料1、2）、�盜颪任�����ポートフォリオを広げる�疑砲鯣�表した。これまで、DRAMとNANDフラッシュ、3D-Xpointメモリというメモリ��業にフォーカスしてきたが、NORフラッシュやAIアクセラレータボードにまで�}を広げることを��らかにした。 [→��きを読む]
ロームがなぜ今オリジナルマイコンコアを開発したか〜CEATECで実演
これぞ逆転の発�[だ。ロームは、アナログ�v路内にマイコン��のCPUコアを集積するという新しいモータ�U御ICを開発した。これまでマイコンIC内にアナログ�v路IPを集積したpSoCなどはあったが、ロームのICはその��く逆だ。主要機�Δ魯癲璽��U御。ここにソフトウエアで�U御命令を�△┐織泪ぅ灰鵐灰△鮑椶擦燭里澄�これをCEATECで��した。 [→��きを読む]
Samsung、DRAMアレイを12��TSVで積層、24GBのHBMをまもなく量��へ
Samsungは、12��のDRAMアレイチップを積層し、TSV（Through Silicon Via）で接��した24GBのHBMデバイスを開発、ハイエンド�x場向けにまもなく量��すると発表した。TSVで穴をあけた総数は6万個以�屬肪�するとしている。 [→��きを読む]
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