TI、ブラシレスモ〖タ〖の聾不を擴告禱窖で娃え哈む

Texas Instruments家は、さまざまな排瓢供惡やポ〖タブルな踩排怠達に蝗われるブラシレスDCモ〖タ〖の聾不を負らすための擴告禱窖を攔り哈んだモ〖タ〖ドライブICを券卿した。ノ〖トPCの呵も瑯かなファンよりも6×7dB你いとしている。姜檬のパワ〖MOSFETも礁姥しているため、チップを烹很した答饒燙姥はディスクリ〖トで寥む眷圭の1/3と井さくなる。 [ⅹ魯きを粕む]
» セミコンポ〖タルによる尸老 » 禱窖尸老 » 禱窖尸老∈染瞥攣瀾墑∷
Texas Instruments家は、さまざまな排瓢供惡やポ〖タブルな踩排怠達に蝗われるブラシレスDCモ〖タ〖の聾不を負らすための擴告禱窖を攔り哈んだモ〖タ〖ドライブICを券卿した。ノ〖トPCの呵も瑯かなファンよりも6×7dB你いとしている。姜檬のパワ〖MOSFETも礁姥しているため、チップを烹很した答饒燙姥はディスクリ〖トで寥む眷圭の1/3と井さくなる。 [ⅹ魯きを粕む]
USB-Cのパワ〖デリバリ〖∈惦排∷を網(wǎng)脫して締廬郊排を材墻にする光卵暗∈呵絡28V∷のMCU(マイコン)である≈PMG1ファミリ〖∽をInfineon Technologiesが橙絡した。スマホだけではなく、排瓢供惡、AIスピ〖カ〖、排丹カミソリなどの締廬郊排も材墻になり、USB-Cのパワ〖デリバリ〖怠墻は橙絡が袋略されている∈哭1∷。 [ⅹ魯きを粕む]
ルネサスエレクトロニクスが毖Dialog Semiconductor家を傾箭したことで、糠たなウィニングコンボ∈Winning Combo∷瀾墑、すなわちシナジ〖跟蔡を欄み叫す瀾墑凡を39瀾墑にまで橙郊した。すでに極瓢賈脫から緩度脫IIoT、そしてインフラ羹けの瀾墑まで努脫した。これにより、デジタル步の悸沮悸賦や悸脫步への袋粗を辦丹に沒教できるようになる∈哭1∷。 [ⅹ魯きを粕む]
2011鉗、パナソニックから3嘆のエンジニアがスピンオフしてスタ〖トアップArchiTekを肋惟、鵝汐を腳ね、ようやく2018鉗にシリ〖ズAの獲垛拇茫に喇根。エッジAIを寥み哈んだ茶嚨借妄チップを坤の面に叫していくという恢を積ったシニア坤洛と、糠憚何脫した箋い家鎊が緘を寥み、AIチップの翁緩を謄回し瓢き叫した。2020鉗12奉にはシリ〖ズBの獲垛拇茫にも喇根した。 [ⅹ魯きを粕む]
Texas Instrumentsは、これからの10Gbps EtherCATをはじめとする緩度脫光廬ネットワ〖ク羹けの奶慨プロトコルやリアルタイム擴告、モ〖タの籃泰擴告、劉彌粗の票袋をとりレイテンシの警ない炳脫に羹けた光拉墻マイコン≈Sitara AM243xシリ〖ズ∽を倡券した∈哭1∷。Industry 4.0やTSN、ロ〖カル5Gなどこれからの供度脫劉彌粗でのデ〖タ借妄を晾う。 [ⅹ魯きを粕む]
10它ゲ〖トの面憚滔FPGAながら、パッケ〖ジ燙姥が81mm2しかない瀾墑≈CertusPro-NX∽をLattice Semiconductorがサンプル叫操を倡幌した。Samsungの28nm FD-SOI∈Fully Depleted Silicon on Insulator∷プロセスを蝗っているため、SRAMベ〖スのFPGAながらソフトエラ〖唯が1/100 FITとかなり井さい。 [ⅹ魯きを粕む]
これからのプロセッサはドメインコントロ〖ラという漓脫プロセッサが渴鷗しそうだ。VLSI Technology and Circuitsの答拇怪遍で、AMDのCTO敷Technology & Engineering么碰VPのMark Papermaster會は、カスタムコンピュ〖タ禱窖の箕洛が丸るとして、ハ〖ドウエアもソフトウエアも辦斤に呵努步するコンピュ〖タ禱窖が腳妥になる、と揭べた。 [ⅹ魯きを粕む]
Texas Instrumentsは、リアルタイム擴告を晾ったA-Dコンバ〖タの瀾墑ポ〖トフォリオを弓げた。このほど、尸豺墻14ビット、サンプリング廬刨125MS/sのADC3664から、票18ビット、65MS/sのADC3683など、尸豺墻は14/16/18ビットでサンプリング廬刨10/65/125 MS∈サンプル∷/sながら久銳排蝸は71×100mW/チャネルの瀾墑凡ADC3660シリ〖ズを券卿した。 [ⅹ魯きを粕む]
Micron Technologyは、候鉗呵絡176霖のNANDフラッシュメモリの倡券を券山していたが∈徊雇獲瘟1、2∷、このほどComputex Taipei 2021にて、そのチップを烹很したPCIe Gen4 SSDの叫操倡幌を券山した。裁えて、DRAMでは呵黎眉の腮嘿步ノ〖ドである1α nmのDDR4x LPDRAMを叫操した。 [ⅹ魯きを粕む]
パワ〖染瞥攣のトップメ〖カ〖、Infineon Technologiesがいよいよ極瓢賈羹けのSiCパワ〖モジュ〖ルやトランジスタの欄緩を塑呈步させる。それも1200Vへの灤炳だ。卵暗1200Vであれば、800V廢光排暗の排丹極瓢賈∈EV∷にも灤炳できる。EVのメインドライブとしてSiCへの袋略は泣塑メ〖カ〖も絡きいが、その塑呈瞥掐の箕袋を斧紛らっている。 [ⅹ魯きを粕む]