パッケ〖ジング禱窖でパワ〖MOSFETの錢鳥鉤を絡きく猖簾したInfineon
パワ〖染瞥攣の叼客Infineon Technologiesが、胚の箕洛を忿えているパワ〖染瞥攣への肌の緘を慮ち幌めた。シリコンのパワ〖MOSFETやIGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTなどパワ〖染瞥攣の瀾墑ポ〖トフォリオを弓げ、しかもクルマ輝眷をにらみながら糠房コロナ稿を晾って緬」と潔灑を渴めている。
哭1 賈很、パワ〖染瞥攣、セキュリティのチップに動いInfineon 叫諾¨Infineon Technologies
Infineonは、パワ〖染瞥攣では2疤笆布を擒笆懼苞き違している冷灤撥莢である(哭1)。クルマ脫染瞥攣においても1疤のNXPの輝眷シェア12.0%に灤して11.2%とその汗を低めてきた。票家がシリコンMOSFETの糠房パッケ〖ジを券山しながら、GaNでもSiCでも欄緩を幌めている。さらに苞き違す晾いだ。
附哼、糠房コロナウイルスの逼讀により驢くのクルマメ〖カ〖が頌勢やドイツの供眷での欄緩を匿賄している。OEMのクルマメ〖カ〖の欄緩が賄まるとティア1、ティア2などのサプライヤも息嚎弄に叫操できない。クルマ脫の染瞥攣にとってまさに胚の箕洛である。しかしInfineonは2021鉗窗喇の300mmウェ〖ハプロセス供眷の蒼漂に灑え、シリコンのパワ〖染瞥攣で庶錢拉を20%あるいは30%猖簾した禱窖を券山している。
票家がOptiMOSと鈣ぶパワ〖MOSFETでは、ソ〖スダウン悸劉によってオン鳥鉤を30%、錢鳥鉤を20%も布げた禱窖を倡券した。これまでのパワ〖MOSFETでは、シリコン答饒婁にドレイン眉灰があり、山燙婁にソ〖スとゲ〖トを肋けて、そのままドレインをリ〖ドフレ〖ム懼に悸劉してきた。この菇隴をさかさまにして、ソ〖ス婁にフラットな眉灰を肋け、このソ〖ス眉灰婁が布にくるようにパッケ〖ジする(哭1)。このQFNパッケ〖ジをそのままプリント攙烯答饒に悸劉できる。ドレイン眉灰もやはりフラットなリ〖ドでプリント答饒に艱り燒けられる。
哭2 ソ〖スダウンパッケ〖ジ∈布の哭∷で跟唯を20×30%懼げた 叫諾¨Infineon Technologies
この菇隴にすると、チップを警し絡きくできるため、オン鳥鉤を布げることができたという。3mm∵3mmのPQFNパッケ〖ジにアセンブリした卵暗25Vの瀾墑ではオン鳥鉤が0.5mΩとなった。
さらにこの菇隴のメリットは、プリント攙烯答饒に悸劉するとソ〖ス眉灰が攙烯答饒山燙に木馮しているため、攙烯答饒のソ〖ス排端婁に錢を屁がすためのサ〖マルビアを7×8カ疥も肋けることができるため、錢鳥鉤も布がる。驕丸の1.8K/Wから1.4K/Wに布がったとしている。オン鳥鉤、錢鳥鉤の尉燙からパワ〖MOSFETの跟唯が懼がるため、3mm∵3mmの井さなパッケ〖ジに、25V墑から150V墑まで、0.65mΩから22mΩまでの瀾墑を鏈て箭めることができた。
もう辦つ、撅急を勝すパワ〖MOSFETのパッケ〖ジを倡券した。山燙悸劉タイプのパワ〖MOSFETでは答饒の微婁に庶錢フィンを艱り燒けなければならなかった。山燙姥の絡きなシリコン答饒婁のドレイン眉灰をプリント攙烯答饒に木儡艱り燒けていたためだ。そこで、これも嫡啪の券鱗で、やはりフラットなメタルのソ〖ス眉灰をリ〖ドフレ〖ムに艱り燒けた稿、ガルウイングを靠嫡に妒げて、ソ〖ス垛擄眉灰を懼婁むき叫しにするモ〖ルド甚賄を乖う(哭3)。
哭3 ガルウイングの眉灰を嫡に擂り妒げ、ソ〖スに庶錢フィンを艱り燒けた 叫諾¨Infineon Technologies
この菇隴は3眉灰をプリント答饒に艱り燒けると、山燙のソ〖ス垛擄眉灰に庶錢饒を艱り燒けられるようになる。排丹弄には庶錢饒と冷憋するためのTIM∈Thermal Interface Material∷を拆して、パワ〖MOSFETから錢を屁がす。驕丸のドレイン答饒だとドレイン眉灰から攙烯答饒を奶してチップの錢が庶錢饒まで毗茫していたが、糠パッケ〖ジだとソ〖ス婁から庶錢フィンに木儡、錢を屁がすことができる。これによって錢跟唯が懼がり、パワ〖MOSFETの跟唯が光くなり、井房にできる。また、プリント攙烯答饒の數燙から庶錢できるため、微燙婁に減瓢嬸墑を悸劉できるというメリットもある。
シリコンのパワ〖MOSFETだけではなく、GaN HEMT∈High Electron Mobility Transistor∷トランジスタは、サ〖バ〖脫排富から癱欄脫のパソコンやスマ〖トフォンの排富にまで蝗われ幌めており、Infineonは卵暗400Vと600VのGaNトランジスタは翁緩攣擴に掐っている。サ〖バ〖では、嘲嬸の光排暗∈240V/400Vなど∷の流排俐から柒嬸の48Vまで你布させる、AC-DC/DC-DCコンバ〖タ脫のパワ〖染瞥攣が澀妥となる。絡排蝸のIGBTやパワ〖MOSFETはもちろん絡翁に蝗われるが、サ〖バ〖塑攣を井房ˇ你久銳排蝸にするためGaNの蝗脫によって件僑眶を懼げ、インダクタやコンデンサのような絡きな減瓢嬸墑を井さくする排富も叫てきている。
SiCは、排丹極瓢賈∈EV∷に蝗われ幌めているが、インバ〖タではなくオンボ〖ドチャ〖ジャ〖から幌まった。ここではディスクリ〖トのSiC MOSFETが光甸賈に烹很されようとしている。EVではバッテリを木誤儡魯して300V鎳刨まで競暗するため、600V笆懼の光卵暗瀾墑が滇められる。SiCをインバ〖タに蝗う眷圭はディスクリ〖トではなく、SiCショットキ〖ダイオ〖ドと1灤にして6灤寥のモジュ〖ルで丁惦する數が蝗いやすい。3陵モ〖タでEVを額瓢するためだ。ここでもSiCは光甸賈から幌まるだろうと斧られているが、烹很したクルマが任卿されるのはこれからになる。
SiCもGaNも光廬でスイッチングするため、減瓢嬸墑を井さくできるというメリットがある。井房ˇ汾翁を妥滇するクルマ羹けにはSiCは羹くが、啼瑪はコスト。まだIGBTよりも1峰奪く光いようだ。
Infineonが勢柜Cypress Semiconductorに捏捌していた傾箭がこのほど窗位した。Cypressには奠少晃奶のエンジニアが驢く、Spansion 箕洛のNORフラッシュをはじめ、マイコンやアナログ嬸嚏もあり、クルマ脫染瞥攣としては腳なる瀾墑は警ない。このため陵捐跟蔡は絡きく、クルマ脫染瞥攣メ〖カ〖としてトップになる泣は奪い。
