2013Q嵌彰の世c半導メーカートップ20社ランキング、メモリ復

2013Q嵌彰の世cの半導メーカートップ20社ランキングを毫x場調h会社のIC Insightsが発表した。これによると1位Intel、2位Samsung、3位TSMC、4位QualcommはiQ同期と変わらないが、5位にメモリメーカーのSK Hynixが入った。 [→きを読む]
2013Q嵌彰の世cの半導メーカートップ20社ランキングを毫x場調h会社のIC Insightsが発表した。これによると1位Intel、2位Samsung、3位TSMC、4位QualcommはiQ同期と変わらないが、5位にメモリメーカーのSK Hynixが入った。 [→きを読む]
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本的にらす\術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性Αδ秕嫡J電を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消J電を削できる。 [→きを読む]
この1週間で久しぶりにるいBが登場した。東とエルピーダがスマートフォンの好調をpけて投@を再開した。7月18日の日本経済新聞によると、東はNANDフラッシュメモリの設∋\咾忘能j300億を投@、エルピーダも湾のRexchipの工場において、モバイルDRAM攵を、4月の300mmウェーハ1万からQまでに4万/月に\する。 [→きを読む]
DRAMの平均単価ASP(average selling price)が2010Q4四半期レベルにまで戻った。2013Q1四半期の1.97ドルが2四半期には2.42ドルになり、以Tの3四半期、4四半期はそれぞれ2.53ドル、2.52ドルとx場調h会社のIC Insightsは予Rしている。 [→きを読む]
日本の半導]メーカーは世cx場で依、健hしている。VLSI Researchが行った半導]・検hj}の顧客満B度調hでは、日本企業が岼10社中6社をめている、と6月17日の日経噞新聞が伝えた。先週は、設関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→きを読む]
NEDO(新エネルギー・噞\術総合開発機構)とLEAP(低電圧デバイス\術研|組合)は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日からB都で開されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称VLSI Symposium)で発表した。 [→きを読む]
世c半導x場統(WSTS)が2013Qの半導x場見通しを、iv(2012Q11月)の4.5%成長から2.1%成長へと下巨Tした。この最jの理yは、Wによってドル換Qでの日本のx場模がjきく押し下げられたためである。もし、為レートがく変わらなかったと仮定するなら、今vの予RはQ4.0%\になる。 [→きを読む]
パソコンからモバイルへの動きが加]している。先週のニュースはこの動きを見に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基、モバイル通信インフラ、てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→きを読む]
John Kispert、CEO Spansion Spansionが富士通のマイコンとアナログの業靆腓A収することがまった。業靆1億1000万ドル、^卸@6500万ドルの合1億7500万ドル(約175億)で富士通からA収する。Spansion CEOのJohn Kispert(図1)にその狙いを聞いた。 [→きを読む]
IBMはフラッシュメモリシステムを新たに開発するために10億ドルを投@すると発表した。`的はサーバやストレージシステム、ミドルウエアのポートフォリオを拡張するため。新しいフラッシュソリューションをこれらに組み込むための設、]などの研|開発を膿覆垢襦 [→きを読む]