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SuVolta社、富士通にき、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

SuVolta社、富士通にき、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本的にらす\術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性Αδ秕嫡J電を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消J電を削できる。 [→きを読む]

東、エルピーダが設投@を再開

東、エルピーダが設投@を再開

この1週間で久しぶりにるいBが登場した。東とエルピーダがスマートフォンの好調をpけて投@を再開した。7月18日の日本経済新聞によると、東はNANDフラッシュメモリの設∋\咾忘能j300億を投@、エルピーダも湾のRexchipの工場において、モバイルDRAM攵を、4月の300mmウェーハ1万からQまでに4万/月に\する。 [→きを読む]

日本の半導]メーカー、世cでも顧客満B度依として高い

日本の半導]メーカー、世cでも顧客満B度依として高い

日本の半導]メーカーは世cx場で依、健hしている。VLSI Researchが行った半導]・検hj}の顧客満B度調hでは、日本企業が岼10社中6社をめている、と6月17日の日経噞新聞が伝えた。先週は、設関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→きを読む]

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、ビット動作確認

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、ビット動作確認

NEDO(新エネルギー・噞\術総合開発機構)とLEAP(低電圧デバイス\術研|組合)は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日からB都で開されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称VLSI Symposium)で発表した。 [→きを読む]

嗄なWの影xで、2013Qの世c半導x場は2.1%\に下巨T

嗄なWの影xで、2013Qの世c半導x場は2.1%\に下巨T

世c半導x場統(WSTS)が2013Qの半導x場見通しを、iv(2012Q11月)の4.5%成長から2.1%成長へと下巨Tした。この最jの理yは、Wによってドル換Qでの日本のx場模がjきく押し下げられたためである。もし、為レートがく変わらなかったと仮定するなら、今vの予RはQ4.0%\になる。 [→きを読む]

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