NANDフラッシュ、絡緘トップ3家を布疤3家が納いかける
NANDフラッシュの2014鉗媽4煌染袋でのトップ6家が漣煌染袋孺2%籠の87帛4620它ドルになったとDRAMeXchangeが券山した。1疤Samsungから6疤のIntelまでの界疤に恃わりはないが、布疤3家が漣袋孺で2峰喇墓を績し、懼疤3家を納い懼げている∈哭1∷。
哭1 NANDフラッシュ絡緘6家の卿懼馳
叫諾¨TrendForce槐布のDRAMeXchangeのデ〖タを傅にセミコンポ〖タルが裁供
山1 NANDフラッシュのランキング 叫諾¨Trend Force
DRAMeXchangeは、駱涎ベ〖スの輝眷拇漢柴家TrendForceの辦嬸嚏。海攙の潑魔として、Samsung、澎記、SanDiskの懼疤3家が漣煌染袋ベ〖スで鏈てマイナス喇墓だったが、布疤3家は鏈て2峰喇墓を儈げた (山1)。懼疤3家はこの煌染袋にビット眶を凱ばしたが、猛布げ妥滇を胞むことで喇墓唯はマイナスになった。毋えば、Samsungは叫操另ビット眶が5%凱びたが、士堆帽擦が10%奪く布皖したため、喇墓唯は-4.2%となった。
ただし、Samsungのビット喇墓唯は2015鉗には度腸篩潔の35×40%籠よりも光い凱びを績すと斧られている。度壇脫のSSDが惟ち懼がり、また、3D NANDフラッシュ禱窖も漿較されてくるからだ。
澎記の媽3煌染袋(10×12奉)のNANDフラッシュの卿り懼げは、漣煌染袋とほぼ票じだったようだ。と咐うのは、叫操ビット眶が6~7%籠裁したが、士堆帽擦が7%你布したためだ。帽擦が你布したのは、邊奧や、19nmプロセスの殊偽まり猖簾、15nmへの敗乖の渴乖などの妥傍だとDRAMeXchangeは尸老する。腮嘿步禱窖への敗乖に簇しては、海鉗も15nmへのシフトが魯き、海鉗の財までに欄緩眶翁の50%笆懼が15nm瀾墑になると斧ている。ファブ5では、15nm墑の欄緩と、3D NANDフラッシュの翁緩活侯が渴むであろう。
SanDiskも澎記の煌泣輝供眷にラインを積つが、15nmへの敗乖は澎記とほぼ票じ、2015鉗の稿染の幌めとされている。2015鉗のビット喇墓は漣鉗孺35×40%だが、帽擦は20×22%で布がるため、鏈攣として30%鎳刨のSSDの卿懼になると斧哈んでいる。
SK HynixとMicron、Intelらは海鉗の稿染から措度羹けSSD羹けの欄緩翁を籠やしていく。Hynixは海鉗稿染から3ビット/セルのNANDフラッシュの翁緩を幌める。2015鉗の媽4煌染袋漣までに20它綏/奉の欄緩の墻蝸を積つようになりそうだという。Micronは、モバイルNANDの孺唯を靳」に懼げて乖く。裁えて、MicronのSSDは16nmの2ビット/セルの欄緩翁を籠やし、3ビット/セルはその肌の煌染袋にモジュ〖ルメ〖カ〖への叫操が袋略される。Intelの3D NANDを網脫するSSD瀾墑は、玲ければ海鉗の媽3煌染袋瑣に袋略されている。
1. NANDフラッシュ、澎記とSamsungの汗、浩び教まる (2014/11/11)
