リチウムイオン排糜を10擒墓積ちさせられる砷端亨瘟を毖ベンチャ〖が翁緩へ
シリコンという亨瘟を、リチウムイオン排糜の砷端に何脫することで、排萎推翁を眶擒から10擒に懼げようという活みが幌まっているが、郊庶排の帆り手しによる排端昔步が螟しい。この昔步を詭繩できる禱窖を毖柜nexeon家が倡券した。まだ活侯レベルながら、サイクル檻炭は驕丸事みを澄瘦、排萎推翁は度腸トップクラスの3.1Ahを汾くクリヤ〖し、4.1Ahを評(píng)ている。 [ⅹ魯きを粕む]
禱窖尸老∈プロセス∷
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6インチのGaN on Siウェ〖ハで1 mm2のパワ〖LEDチップの各叫蝸が634mW
ドイツのフィリップスから迫惟したLEDメ〖カ〖であるオスラム家∈OSRAM Opto Semiconductors¨www.osram-os.com∷は、6インチSiウェ〖ハ懼にGaN霖を妨喇し、濫咖LEDおよび搏咖い泅遂を蕊勝させた球咖LEDを倡券、活侯翁緩ラインに萎した。蝗われたシリコンウェ〖ハは輝任のものを脫いた。 [ⅹ魯きを粕む]
毖ベンチャ〖がMEMS數(shù)及IRセンサをけん苞、光炊刨の睛墑ラインを橙絡(luò)面
毖柜のベンチャ〖Pyreos家がMEMSを蝗い、浮叫僑墓が0.7×500μmと端めて弓いIR∈樂(lè)嘲俐∷センサの睛墑ラインを橙郊している。菠劍のIMECやLETIが海、甫墊倡券しているテ〖マ∈MEMSのIRセンサ∷を黎額けた。MEMSメンブレンを蝗うと、浮叫する錢(qián)喇尸が屁げにくいため、炊刨が光く、武笛する澀妥がない。 [ⅹ魯きを粕む]
MEMSでなければ拉墻叫せない瀾墑が判眷、センサネットワ〖クへの炳脫も渴鷗
MEMS瀾墑の拉墻が懼がっている。慷瓢灰では垮窘の拉墻を畝えた瀾墑も叫てきた。ドイツのボッシュ∈Bosch∷からスピンアウトした勢(shì)サイタイム∈SiTime∷家は垮窘の彌き垂えを晾い、-40×+85☆に畔り件僑眶奧年拉がわずか∞10ppmで、1×220MHzでプログラム材墻なMEMS券慷達(dá)瀾墑を券卿し、勢(shì)MEMSICは捶拉センサをコアにスマホからセンサネットワ〖クまでの炳脫を材墻にするシステムまで瀾墑を弓げている。 [ⅹ魯きを粕む]
TSMCが20nmのプロセスを丸鉗媽3煌染袋にリリ〖ス、14nmにも倡券緬緘
呵黎眉のIC倡券では28nmの翁緩が幌まったが、玲くも20nmプロセスを2012鉗の媽3煌染袋にリリ〖スする、と駱涎TSMC家のCTOであるJack Sun會(huì)(哭1)は胳った。Sun會(huì)は肌の14nm笆慣についてもその斧奶しを胳り、ここからはリソグラフィもデバイス菇隴も絡(luò)きく恃わることを績(jī)憾している。しかし、極慨に郊ち邦れている。なぜか。 [ⅹ魯きを粕む]
サファイヤ馮窘の絡(luò)庚仿步によりLED答饒擦呈は2013鉗に染負(fù)を袋略
球咖LED救湯の付亨瘟となるサファイヤ答饒馮窘を?yàn)戨]する劉彌と、サファイヤ馮窘インゴットを?yàn)戨]任卿する勢(shì)GT Advanced TechnologyがLED Japanで賂哼炊を績(jī)した。絡(luò)きな攣姥のサファイヤ答饒の8インチ步を材墻にし、しかもインゴット木仿碰たりの擦呈も布げられる斧奶しだ。サファイヤの輝眷は橙絡(luò)喇墓すると斧る。鷗績(jī)柴での票家の篩胳はGrowth begins here∈喇墓はここから幌まる∷であった。 [ⅹ魯きを粕む]
GaN-on-Siのベンチャ〖魯叫、球咖LEDˇパワ〖HEMTを晾いVCも寵券に抨獲
Siウェ〖ハ懼にGaNをエピタキシャル喇墓させ、GaNパワ〖デバイスや球咖LEDを悸脫步させるベンチャ〖措度が勢(shì)柜を面看に魯叫している。このGaN-on-Si禱窖はもはや甫墊フェ〖ズではない。悸脫步倡券に廄爬が敗っている。嘎年ユ〖ザ〖羹けにサンプル叫操をしている疥もある。 [ⅹ魯きを粕む]
光い錢(qián)帕瞥拉をもつ糠しい冷憋亨瘟、エポキシ踐婚とフィラ〖の倡券渴む
錢(qián)をよく屁がすが、排丹は奶さない、という庶錢(qián)脫の冷憋亨瘟を、エポキシにフィラ〖緯灰として寒ぜることで錢(qián)帕瞥の庭れた踐婚が蝗えるようになる泣が奪い。AlNのフィラ〖を倡券しているトクヤマ、錢(qián)帕瞥唯の光いエポキシ踐婚を甫墊している簇讕絡(luò)池の付拍甫墊技が、マイクロˇナノファブリケ〖ション甫墊柴で撮を圭わせた。 [ⅹ魯きを粕む]
8インチSiウェ〖ハ懼に妨喇した球咖LEDが160 lm/Wの當(dāng)刨を茫喇
勢(shì)柜のLED∈券各ダイオ〖ド∷漓嚏メ〖カ〖のBridgelux家は、8インチSiウェ〖ハ懼にGaNの球咖LEDを侯り、咖補(bǔ)刨4350Kのク〖ルホワイトで160 lm/Wと、驕丸のサファイヤやSiC答饒で侯ったLED事みの湯るさを悸附した。クラックのないGaN馮窘霖を悸附できたためで、2鉗稿には睛墑步したいとしている。 [ⅹ魯きを粕む]
MEMS潑礁¨デジタルマイクICに虐するAkustica、垮窘彌き垂え晾うSiTime
MEMS輝眷は孺秤弄面井措度でも徊掐できるという潑墓がある。それも炳脫に潑步したメ〖カ〖は緬悸に輝眷をつかもうとしている。マイクロフォンに潑步するアク〖スティカ∈Akustica∷家、垮窘券慷達(dá)の彌き垂えを晾うサイタイム∈SiTime∷家は、それぞれの炳脫に羹け肋紛から瀾隴ˇ炳脫禱窖、鏈てを捏丁する。 [ⅹ魯きを粕む]
