リチウムイオン電池を10倍長�eちさせられる負極材料を英ベンチャーが量��へ
シリコンという材料を、リチウムイオン電池の負極に採��することで、電流容量を数倍から10倍に�屬欧茲Δ箸い�試みが始まっているが、充放電の繰り返しによる電極劣化が著しい。この劣化を�ﾀKできる�\術を英国nexeon社が開発した。まだ試作レベルながら、サイクル��命は��来並みを確保、電流容量は業�cトップクラスの3.1Ahを軽くクリヤーし、4.1Ahを�uている。 [→��きを読む]
�\術分析（プロセス）
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6インチのGaN on Siウェーハで1 mm2のパワーLEDチップの光出��が634mW
ドイツのフィリップスから独立したLEDメーカーであるオスラム社（OSRAM Opto Semiconductors：www.osram-os.com）は、6インチSiウェーハ�屬�GaN層を形成し、�E色LEDおよび黄色い薄膜を被�戮気擦診鮨�LEDを開発、試作量��ラインに流した��使われたシリコンウェーハは�x販のものを��いた。 [→��きを読む]
英ベンチャーがMEMS��(sh┫)式IRセンサをけん引、高感度の商��ラインを拡�j中
英国のベンチャーPyreos社がMEMSを使い、検出�S長が0.7〜500μmと極めて広いIR（�軍粟�）センサの商��ラインを拡充している。欧�Δ�IMECやLETIが今、研�|開発しているテーマ（MEMSのIRセンサ）を先�~けた。MEMSメンブレンを使うと、検出する�X成分が逃げにくいため、感度が高く、冷却する��要がない。 [→��きを読む]
MEMSでなければ性��出せない����が登場、センサネットワークへの応��も進�t
MEMS����の性�Δ��屬�っている。振動子では水晶の性�Δ鬯�えた����も出てきた。ドイツのボッシュ（Bosch）からスピンアウトした�櫂汽ぅ織ぅ燹�SiTime）社は水晶の��き換えを狙い、-40〜+85℃に渡り周�S数�W定性がわずか±10ppmで、1〜220MHzでプログラム可�Δ�MEMS発振�_����を発売し、��MEMSICは慣性センサをコアにスマホからセンサネットワークまでの応��を可�Δ砲垢襯轡好謄爐泙�����を広げている。 [→��きを読む]
TSMCが20nmのプロセスを来�Q��3四半期にリリース、14nmにも開発���}
最先端のIC開発では28nmの量��が始まったが、早くも20nmプロセスを2012�Qの��3四半期にリリースする、と��湾TSMC社のCTOであるJack Sun��(図1)は語った。Sun��は次の14nm以�Tについてもその見通しを語り、ここからはリソグラフィもデバイス構�]も�jきく変わることを��唆している。しかし、�O信に充ち溢れている。なぜか。 [→��きを読む]
サファイヤ�T晶の�j口径化によりLED基��価格は2013�Qに半��を期待
白色LED照��の原材料となるサファイヤ基���T晶を���]する����と、サファイヤ�T晶インゴットを���]販売する��GT Advanced TechnologyがLED Japanで�T在感を��した。�jきな��積のサファイヤ基��の8インチ化を可�Δ砲�、しかもインゴット直径当たりの価格も下げられる見通しだ。サファイヤの�x場は拡�j成長すると見る。�t��会での同社の�Y語はGrowth begins here（成長はここから始まる）であった。 [→��きを読む]
GaN-on-Siのベンチャー��出、白色LED・パワーHEMTを狙いVCも��発に投�@
Siウェーハ�屬�GaNをエピタキシャル成長させ、GaNパワーデバイスや白色LEDを実��化させるベンチャー企業が�盜颪鮹羶瓦又�出している。このGaN-on-Si�\術はもはや研�|フェーズではない。実��化開発に��点が�，辰討い襦８堕螢罅璽供叱�けにサンプル出荷をしている所もある。 [→��きを読む]
高い�X伝導性をもつ新しい絶縁材料、エポキシ�`脂とフィラーの開発進む
�Xをよく逃がすが、電気は通さない、という放�X��の絶縁材料を、エポキシにフィラー��子として混ぜることで�X伝導の優れた�`脂が使えるようになる日が�Zい。AlNのフィラーを開発しているトクヤマ、�X伝導率の高いエポキシ�`脂を研�|している関�ｽj学の原田研�|室が、マイクロ・ナノファブリケーション研�|会で顔を合わせた。 [→��きを読む]
8インチSiウェーハ�屬坊狙�した白色LEDが160 lm/Wの��度を達成
�盜颪�LED（発光ダイオード）専門メーカーのBridgelux社は、8インチSiウェーハ�屬�GaNの白色LEDを作り、色�a度4350Kのクールホワイトで160 lm/Wと、��来のサファイヤやSiC基��で作ったLED並みの��るさを実現した。クラックのないGaN�T晶層を実現できたためで、2�Q後には商��化したいとしている。 [→��きを読む]
MEMS��集：デジタルマイクICに徹するAkustica、水晶��き換え狙うSiTime
MEMS�x場は比較的中小企業でも参入できるという��長がある。それも応��に��化したメーカーは��実に�x場をつかもうとしている。マイクロフォンに��化するアクースティカ（Akustica）社、水晶発振�_の��き換えを狙うサイタイム（SiTime）社は、それぞれの応��に向け設��から���]・応���\術、��てを提供する。 [→��きを読む]
