GaN-on-Siのベンチャ〖魯叫、球咖LEDˇパワ〖HEMTを晾いVCも寵券に抨獲
Siウェ〖ハ懼にGaNをエピタキシャル喇墓させ、GaNパワ〖デバイスや球咖LEDを悸脫步させるベンチャ〖措度が勢柜を面看に魯叫している。このGaN-on-Si禱窖はもはや甫墊フェ〖ズではない。悸脫步倡券に廄爬が敗っている。嘎年ユ〖ザ〖羹けにサンプル叫操をしている疥もある。
哭1 レアア〖ス煥步遂を網(wǎng)脫したトランスル〖セント家のGaN-on-Si禱窖
叫諾¨http://www.translucentinc.com/documents/presentation_ICNS9.pdf
GaN-on-Si禱窖の肩たる晾いはもちろん、絡(luò)庚仿ウェ〖ハによる球咖LEDのコストダウン。シリコンなら8インチウェ〖ハはもっともこなれた庚仿であり、このウェ〖ハ懼にGaN霖をエピタキシャル喇墓しようというもの。つい眶泣漣、坤腸の染瞥攣度腸を睹かせた勢ブリッジラックス∈Bridgelux∷家は8インチSiウェ〖ハ懼にクラックのないGaN霖を喇墓させた∈徊雇獲瘟1∷。シリコンバレ〖にあるフリ〖モントから30km頌澎に疤彌するリバモア∈Livermore∷に塑家を菇える票家は、井憚滔な活侯ラインを積ちエピ馮窘喇墓だけではなくLEDも活侯できるチ〖ムを積つ。ただし、翁緩できるほどの憚滔ではないため、この禱窖をライセンス丁涂することを雇えている。2鉗笆柒に睛墑步を謄回すとしている。
GaN-on-Si禱窖のベンチャ〖はブリッジラックスだけではない。シリコンバレ〖のパロアルトで彈度したトランスル〖セント∈Translucent∷家は4インチのGaN-on-Siウェ〖ハを睛脫步したと券山した。このウェ〖ハは、レアア〖ス∈歹炮梧∷煥步遂∈REO∷をバッファ霖としSiウェ〖ハの懼にGaNを喇墓させている(哭1)。
バ〖チャルGaN答饒と票家が鈣ぶこの禱窖は、(111)Si答饒懼にREO遂∈Gd2O3など∷、さらに(111)Si遂、REO遂、(111)Si遂と蛤高に妨喇した稿、呵稿にGaN霖を妨喇する。球咖LED∈賴澄には濫咖LEDであり、その懼に搏咖の分各派瘟をコ〖トする∷やパワ〖FETは呵稿のGaNに妨喇する。馮窘REO遂がストレスを此下しウェ〖ハを士たんにする此咀亨となる。
球咖LEDなどの各デバイス∈LED∷では、SiとREO遂を蛤高に姥んでいく畝呈灰菇隴にすることでDBR∈distributed Bragg reflector∷ミラ〖を侯りLEDの各を痰綠なく漣燙に庶紀(jì)することが材墻になる。6インチと8インチのウェ〖ハは丸鉗、睛墑步する徒年だとしている。トランスル〖セント家はオ〖ストラリアの甫墊倡券措度Silex Systems家∈徊雇獲瘟2∷の98%灰柴家。
光卵暗のパワ〖トランジスタを晾ったGaN-on-Siデバイスのベンチャ〖も判眷している。勢トランスフォ〖ム∈Transphorm∷家はパワ〖染瞥攣羹けのGaN HEMTを倡券、卵暗600V、オン鳥鉤310mΩと井さい瀾墑TPH2002PSおよび180mΩのTPH2006PSを嘎年ユ〖ザ〖にサンプル叫操している。2011鉗瑣には墑劑千年を懲評する徒年だ。
GaN HEMTはノ〖マリオン房であるためこのままでは蝗いにくい。泣塑柜柒も崔め、ノ〖マリオフ房のパワ〖GaN HEMTを倡券している甫墊倡券怠簇はあるが、このやり數(shù)では6V笆懼の排暗を裁えることはできない。パワ〖トランジスタなのにドレイン排萎をさらに籠やすためのゲ〖ト排暗をかけられない、という擴(kuò)腆がある。これに灤して票家はノ〖マリオン房のまま、MOSFETをカスコ〖ド儡魯することで悸劑弄にノ〖マリオフ房デバイスにしてパワ〖エレクトロニクス措度に卿り哈む紛茶だ。
祁カリフォルニアのゴレタ∈Goleta∷に肋惟した票家には、クライナ〖パ〖キンスやグ〖グルベンチャ〖ズなど嘆光いベンチャ〖キャピタル∈VC∷5家が抨獲しており、その經(jīng)丸拉が軍司されている。
ベルギ〖の甫墊倡券怠簇であるIMECに勢グロ〖バルファウンドリ〖ズが徊裁し、GaN-on-Si禱窖を倡券することが瘋まっている。IMECではSiウェ〖ハメ〖カ〖のドイツSiltronic家、勢マイクロンテクノロジ〖家、勢ウルトラテック家、勢アプライドマテリアルズ家などが徊裁してGaN-on-Siプロジェクトのプロセスおよび劉彌倡券を渴めている。
GaN-on-Siデバイスの睛墑步ではルネサスエレクトロニクスが1GHz掠のパワ〖アンプモジュ〖ルを6奉に券卿し黎乖した。ただし、3インチウェ〖ハ懼に侯瀾し、しかもパワ〖アンプとはいえ眶Aも排萎を萎す脫龐ではない。驕丸奶りのノ〖マリオフ房であるため、ゲ〖ト排暗を絡(luò)きく磅裁できないという煎爬があり、絡(luò)排蝸パワ〖デバイスはまだ黎になりそうだ。
徊雇獲瘟
1. 8インチSiウェ〖ハ懼に妨喇した球咖LEDが160 lm/Wの當(dāng)刨を茫喇 (2011/08/15)
2. Silex家ホ〖ムペ〖ジ
3. ルネサスがSiウェ〖ハ懼に妨喇したGaNのRFパワ〖アンプをサンプル叫操 (2011/06/29)
