図1　開発した6インチウェーハ�屬�GaN LED

�E色LEDの原料となるGaN層は、サファイヤ(主成分Al2O3)やSiC基��を��いて成長させるが、どちらの基��も高価である。シリコンは地球�屬任�2番�`に�Hい元素であり、原料不�Bは人為的に供給を�Vめない限りあり�uない。LEDのチップ�C積を�j(lu┛)きくするパワーLEDにはメリットは�j(lu┛)きい。シリコンはウェーハを�j(lu┛)口径化しやすいからだ。

今�v�uられた性�Δ蓮Å�来のサファイヤ基��で作ったものとほぼ等しいという。性�ε�に最もよかったチップは、順電圧3.15V、光出��634mWと極めて��るい。量子効率は58%としている。しかもこの数�Cはチップ�C積1mm2という�j(lu┛)�C積（��来は0.25〜0.3mm角、すなわち0.0625〜0.09mm2だから10倍以�屐砲離船奪廚任△蝓△修譴鬟�スラムの�Y��パッケージであるGolden Dragon Plusパッケージに実�△掘�350mAで�~動した時の値である。照����LEDの��(d─ng)度としては�~動電流350mAで140 lmであり、色�a度4500Kでの効率は127 lm/Wである。

これが実��化されれば、LEDのコストを�j(lu┛)幅に下げることができるようになる。6インチウェーハで1 mm2のLEDチップは1万7000個採れるようになる。8インチウェーハでの試作成功例はこれまでもあるが、6インチで商��化に向けラインにのせてみて試作したのはこれが初めて。

図2　���]プロセス　出�Z：OSRAM Opto Semiconductor

今�vの���]法は、シリコンウェーハ�屬縫丱奪侫〜悗魏陲靴�GaNをエピ成長させ、LEDを形成した後、ミラーとコンタクト�霾�を設ける(図2)。その後、Si基��を除去し別のSiウェーハを表�C�笋貌Dり��ける。最終的なシリコン基��は実���屐∧��X性がGaNよりもよく、性�ε�に光を放出しやすい構�]になっているようだ。

OSRAMはすでに実��化するための条�Pでテストを始めており、ウェーハもパイロットラインで流している。このことから2�Q以内には実��化できると同社は見ている。