3D菇隴攣に辮った芹俐攙烯を詞帽に妨喇する糠インモ〖ルド禱窖
オランダ炳脫彩池甫墊怠菇∈TNO: The Netherlands Organization for Applied Scientific Research∷はベルギ〖のIMECと鼎にフレキシブルエレクトロニクスに蝸を掐れてきたが、涇攣や3肌傅菇隴に芹俐を詞帽に閃くことのできるインモ〖ルド禱窖をこのほど倡券した。コストが奧く、これまでの3D芹俐禱窖を彌き垂えられる材墻拉がある。 [ⅹ魯きを粕む]
禱窖尸老∈プロセス∷
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144cm2の絡(luò)燙姥で跟唯14.5%のペロブスカイトˇソ〖ラ〖セル
オランダの呂哇排糜コンソ〖シアムSollianceは、144cm2の燙姥で恃垂跟唯が14.5%と光いペロブスカイト菇隴のソ〖ラ〖モジュ〖ルを倡券した∈哭1∷。ペロブスカイト菇隴の呂哇排糜は、銅怠亨瘟で菇喇する派邵房ソ〖ラ〖セルであり、呵奪廟謄が締廬に礁まっている。2011鉗に井燙姥だが10%を畝えるものが券山されて笆丸、その廓いがあまりにも締だからである。 [ⅹ魯きを粕む]
蝗えるフリップチップ禱窖が判眷、IoTデバイスに呵努
これまで豈しかったフリップチップ禱窖によるLSIパッケ〖ジが悸脫步できるようになりそうだ。排端にかかる操腳が驕丸の1/20となる0.12g腳/バンプと井さく、しかも儡圭補(bǔ)刨が80°Cと驕丸の1/3で材墻になるからだ。このようなLSIパッケ〖ジ禱窖を泣塑のベンチャ〖であるコネクテックジャパンが倡券、眶紗鳳の苞き圭いに獅いている。 [ⅹ魯きを粕む]
窗鏈蓋攣泅遂排糜のパ〖トナ〖を滇める毖Ilika家
窗鏈蓋攣の泅遂排糜を毖柜のベンチャ〖Ilika家が倡券しているが、このほど蝗脫補(bǔ)刨認(rèn)跋を絡(luò)きく弓げ、-40°Cから150°Cまで蝗える瀾墑Stereax P180を倡券した。これは極瓢賈をはじめとする供度脫に蝗えるレベルだ。票家のビジネスモデルは、IPベンダ〖であり、絡(luò)緘排灰嬸墑メ〖カ〖にライセンス丁涂することで、翁緩へつなげる罷羹だ。 [ⅹ魯きを粕む]
オランダのDENS、馮窘喇墓をリアルタイムで囪弧するツ〖ル
オランダと咐えば、柜蹦絡(luò)措度フィリップスがエレクトロニクスをけん苞してきた柜、というイメ〖ジが動い。しかし、そのフィリップスから窗鏈迫惟して欄まれたASMLの數(shù)が海や措度憚滔はフィリップスよりも絡(luò)きい。このほどナノテク爽啼媚がやってきた。ナノテクに灤する蠟紹の獲垛は、灤GDP孺で0.04%と戮の柜よりも絡(luò)きい。 [ⅹ魯きを粕む]
極甘庶排警なく1它攙の郊庶排サイクル材墻な鏈蓋攣Liイオン排糜
更さが1mmと泅く、リ〖ク排萎が驕丸のリチウムイオン排糜の1/10、エネルギ〖泰刨がmA/cm2クラスの鏈蓋攣リチウムイオン排糜を毖柜のベンチャ〖、Ilika∈イリカと券不∷が倡券した。ARMと票屯、IPライセンスビジネスを肩蝸に盔え、翁緩パ〖トナ〖を玫している。 [ⅹ魯きを粕む]
CTスキャナ〖の付妄で3D-IC柒嬸を囪盧
客粗の攣の們霖を唬逼するCTスキャナ〖。このComputed Tomography∈トモグラフィ∷禱窖を蝗って3肌傅ICの柒嬸を斧ようという浮漢劉彌をCarl Zeissが倡券面である。3D菇隴のFinFETや3D-NANDセル、あるいはICチップをスタックする3D-ICなど3肌傅菇隴を斧ることができる。 [ⅹ魯きを粕む]
GlobalFoundriesが22nm FD-SOI禱窖を券山した妄統(tǒng)
GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET禱窖と票霹な拉墻を積つ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)禱窖をファウンドリとして捏丁することを券山した。これまでSamsungと辦斤に14nm Fin FET禱窖を倡券してきただけに、なぜ海この禱窖なのか、票家CMOS Platforms Business嬸嚏墓でシニアVPのGregg Bartlett會(哭1)が排廈インタビュ〖で批えた。 [ⅹ魯きを粕む]
沒チャンネル跟蔡のないIGZO網(wǎng)脫のMOSトランジスタ
シャ〖プの閉窘ディスプレイの稱茶燎にスイッチングトランジスタとして妨喇されているIGZO∈In、Ga、Znの煥步濕∷染瞥攣を猖紊し、リジッドな窗鏈馮窘ではなく、アモ〖ファスでもない≈嚼らかい∽馮窘を染瞥攣エネルギ〖甫墊疥が倡券、染瞥攣LSIに炳脫するため、駱涎ファウンドリのUMCと捏啡した。 [ⅹ魯きを粕む]
GaNの殊偽まり90%や、卵暗1200Vの僥房菇隴など糠GaNパワ〖FET
GaNの殊偽まりを90%に懼げられる材墻拉のある肋紛緘恕、GaNの卵暗を1200Vまで懼げてもオン鳥鉤が1.8mΩcm2とSiC事みに奪づけることのできるMOSFETなどが活侯され、GaNデバイスの撅急が恃わりつつある。籬駝俯穗磨メッセで倡號されたテクノフロンティア2015では、糠しいパワ〖染瞥攣GaNに絡(luò)きな渴殊がみられた。 [ⅹ魯きを粕む]
