毖柜潑礁2010ˇ蠟紹肋惟のPETEC、ビジネスモデルも侯り叫し極蝸笨蹦哭る
毖柜蠟紹の次いりで肋惟したPETEC∈Printable Electronics Technology Centre∷はプラスチックエレクトロニクスの活侯を乖う卉肋である。2009鉗3奉、頌澎イングランドの井さな錄セッジフィ〖ルドにオ〖プンした。警翁欄緩あるいは活侯欄緩レベルの瀾隴プロセスを倡券し、井憚滔欄緩と絡翁欄緩との顧畔しを乖う。 [ⅹ魯きを粕む]
禱窖尸老∈プロセス∷
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毖柜潑礁2010ˇプロセスに廟蝸しコラボで悸脫步玲めるウェ〖ルズ絡
毖柜ウェ〖ルズ劍スワンシ〖のウェ〖ルズ絡池菇柒には、WCPC∈Welsh Centre for Printing and Coating∷がある。このセンタ〖の勒扦莢∈Centre Director∷であり、步池彩の兜鑒でもあるTim Claypole會は、≈ウェ〖ルズ絡池には20鉗笆懼禽ってきたさまざまな磅湖の瀾隴プロセス禱窖がある。ここでは、瀾隴プロセスの甫墊倡券に廟蝸している∽という。 [ⅹ魯きを粕む]
毖柜潑礁2010ˇ絡池からベンチャ〖肋惟、坤腸面へ銅怠インクを捏丁
毖柜では絡池を面看にプラスチックエレクトロニクスに簇して5つの甫墊凋爬∈Centres of Excellence∷を肋彌しているが、≈鏈攣として甫墊莢の眶は100嘆に懼る∽∈ロンドンインペリアルカレッジのイアンˇマックロ〖チ兜鑒∷。票兜鑒は絡池に丸る漣は、ドイツの絡緘挑墑ˇ步池墑メ〖カ〖のMerckにいた。絡池柒でもプラスチックエレクトロニクスのベンチャ〖を2007鉗に惟ち懼げている。 [ⅹ魯きを粕む]
MIRAIプロジェクト、hp22nm笆布箕洛のGeFETのデバイス回克を評る
MIRAIプロジェクトがhp22 nm箕洛に羹けたMOSトランジスタの回克菇蜜に羹けてキャリヤ敗瓢刨の光いGe∈ゲルマニウム∷トランジスタの活侯覺斗についてまとめた。これは12奉面杰、榜倦俯つくば輝で乖われた≈2009鉗染瞥攣MIRAIプロジェクト喇蔡鼠桂柴∽で券山されたもの。このほど、スライドの蝗脫釣材をセミコンポ〖タルにいただいた。 [ⅹ魯きを粕む]
NXP、RF/ミクストシグナルASICのワンストップショップ攣擴窗位、翁緩へ鏈倡
≈RFやミクストシグナルASICの肋紛から瀾隴ˇパッケ〖ジングˇ翁緩までワンストップショップで杠狄に捏捌できる∽と、NXP Semiconductors家里維ビジネス倡券マネジャ〖のJacob van der Pol會は痘を磨る。これまでのこなれたプロセスを紳達にRFやアナログ、ミクストシグナルのチップの肋紛ツ〖ルの捏丁から瀾隴ˇパッケ〖ジングˇテストまで鏈てを懶け砷う攣擴ができた。 [ⅹ魯きを粕む]
パナソニック、バ〖チャルメトロロジ〖でゲ〖ト煥步遂更のバラつきを徒盧
ウェ〖ハごとにばらつくゲ〖ト煥步遂更の盧年デ〖タを眠姥し、その稿のウェ〖ハごとの恃瓢を徒盧し墑劑瓷妄に欄かす、というパナソニックの欄緩禱窖俠矢がAEC/APC Symposium-Asia 2009のベストペ〖パ〖巨を減巨した。このシンポジウムは澎疊ˇ坷拍辦ツ抖淡前怪撇で乖われ、パナソニックが染瞥攣の墑劑を瓷妄できる禍毋を券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
デンソ〖、SiCのパワ〖MOSFETを極家瀾のSiC馮窘で侯る數恕をタネ湯かし
10奉24泣から辦忍給倡されたモ〖タ〖ショ〖において、カ〖エレクトロニクスの漓嚏メ〖カ〖であるデンソ〖はSiCのMOSFETを鷗績した。ドレイン卵暗1200V、ドレイン排萎は庶錢フィンを燒けて100A鎳刨萎せる。票家が侯瀾するSiC馮窘の墑劑は凡を卻いていると咐われている。なぜ、どうやって光墑劑なSiC馮窘を侯っているのか、デンソ〖に艱亨した。 [ⅹ魯きを粕む]
25件鉗を忿えたIMEC、ずっと寶釜懼がりでやってきたその喇墓の奇を玫る
IMECが料惟25件鉗を忿えた。これまでの卿り懼げはずっと寶釜懼がりでやってきた。2009鉗7奉に糠たにCEOに艦扦したリュックˇバンデンホッフ會にインタビュ〖すると、呵介からグロ〖バルにやってきたわけではないという。部が喇根した妥傍なのか、インタビュ〖を奶してその奇に趨ってみた。 [ⅹ魯きを粕む]
ニュ〖モニクス、塔を積してPCメモリ〖をまもなく翁緩、90nmで128M墑から
スイスに塑家を菇え、八施圭售のSTマイクロエレクトロニクスと勢インテルとの圭售柴家であるニュ〖モニクスが、128Mビットの陵恃步メモリ〖∈PCメモリ〖∷を翁緩する。附哼、潑年ユ〖ザ〖にエンジニアリングサンプルを芹邵面であるが、まもなく辦忍ユ〖ザ〖にも芹邵できるようになる。90nmル〖ルという悸烙のあるプロセスで肋紛している。鉗湯けには1Gビット墑も叫したいと罷丹哈んでいる。 [ⅹ魯きを粕む]
MEMSとCMOSとの呵努な礁姥步によりICの拉墻羹懼が湯澄に
さる9奉面杰、糠熾絡池で倡號された排灰攫鼠奶慨池柴のエレクトロニクスソサイエティ肩號の措茶≈More than Mooreを悸附するMEMS突圭LSI禱窖∽では、MEMSデバイスをCMOSLSIに突圭する眷圭の禱窖の羹かうべき數羹が斧え幌めてきた。MEMSとCMOSを突圭するならMEMSラストにすべき、65nmˇ45nmと腮嘿步の黎眉をゆくCMOSとの突圭なら1チップ步せずSiPを蝗うべき、との鼎奶圭罷が評られた。 [ⅹ魯きを粕む]
