Imec、忙煤燎のためのリソとエッチング供鎳の刪擦緘恕を倡券
染瞥攣供眷の忙煤燎步が滇められるようになってきたが、ベルギ〖の甫墊倡券柴家であるimecは、リソグラフィとエッチング供鎳における茨董砷操を年翁弄に刪擦するシミュレ〖ションを券山した。染瞥攣プロセスの茨董刪擦によりCO2猴負への灤忽を慮つことができる。まずはリソとエッチング供鎳でEUVの庭疤拉が績された。 [ⅹ魯きを粕む]
禱窖尸老∈プロセス∷
» セミコンポ〖タルによる尸老 » 禱窖尸老 » 禱窖尸老∈プロセス∷
GaNの撅急を勝す1200Vの禱窖でEV輝眷を晾うパワ〖染瞥攣ベンチャ〖
光卵暗のパワ〖染瞥攣には、濕劑潑拉としてSiよりも冷憋卵暗の光いSiCやGaNの數が銅網だ。しかしながらSiCでは1200Vの卵暗を評られるが、光擦でなかなか舍第しない。GaNの玻房HEMTトランジスタは650V鎳刨しか卵暗が評られない。こんな撅急がSi、SiC、GaNのパワ〖染瞥攣でこれまでまかり奶っていた。 [ⅹ魯きを粕む]
黎眉パッケ〖ジの3D-ICパッケ〖ジングの你補悸劉を夸渴するコネクテック
黎眉パッケ〖ジ禱窖が肌坤洛の光礁姥步禱窖として廟謄されている。チップレットや3肌傅ICのパッケ〖ジングでは、これまでとは佰なる禱窖が滇められる。甫墊倡券羹け染瞥攣チップのパッケ〖ジングを緘齒けるコネクテックジャパンがインプリント恕で10µmピッチの排端を妨喇する禱窖や、80°Cで染拍バンプをチップ儡魯する禱窖で減廟を懲評し魯けている∈哭1∷。 [ⅹ魯きを粕む]
PCMメモリ礁姥で賈很ドメインコントロ〖ラ/SDVを晾うSTMicroelectronics
STMicroelectronicsが極瓢賈慌屯にPCM∈陵恃步メモリ∷を礁姥したマイクロコントロ〖ラ∈MCU∷Stellarファミリを澎疊ビッグサイトで倡號されたオ〖トモ〖ティブワ〖ルド2023で鷗績した。Intel/Micron息圭がPCMを網脫したX-Point Memoryの禍度を們前したのとは灤救弄だ。STの晾うのはあくまでも160°Cのような光補でも蝗えるPCMを倡券、賈很コンピュ〖タへの炳脫だ。なぜか。 [ⅹ魯きを粕む]
ヘテロ礁姥の黎眉パッケ〖ジ禱窖はセミコンジャパンの謄短だった
セミコンジャパン2022では、染瞥攣パッケ〖ジングのブ〖スが鏈攣の染尸奪くを貍め、プロセスの漣供鎳だけではなく、稿供鎳との粗にある潑に黎眉パッケ〖ジング禱窖に廟謄が礁まった。12奉15泣に倡號されたAPCS∈Advanced Packaging and Chiplet Summit∷2022では、Intel、TSMC、AMDなどの黎眉パッケ〖ジへの艱り寥みが謄を苞いた。 [ⅹ魯きを粕む]
imec、≈ム〖アの恕摟はこれからも賄まらない∽、STCOでA2坤洛まで魯く
ム〖アの恕摟、すなわち睛脫の染瞥攣瀾墑に礁姥されるトランジスタの眶は2鉗ごとに擒籠する、という沸貉恕摟は、偽まることを夢らない。腮嘿步は賄まっているもののDTCOによって3肌傅步で礁姥刨を光める禱窖は魯いているからだ。ベルギ〖の染瞥攣甫墊疥imecは、經丸に灑えSTCO∈System Technology Co-Optimization∷を捏晶し、CMOSのスケ〖リングがさらに魯く蘋囤を績した。 [ⅹ魯きを粕む]
Mottスイッチを網脫する稍帶券拉CeRAMセル瓢侯を澄千したSymetrix
Mott蓮敗と鈣ばれる、垛擄と冷憋攣との恃步を網脫したメモリであるCeRAM∈徊雇獲瘟1∷のデバイス甫墊が辦殊渴んだ。このメモリは、蓮敗垛擄煥步濕の潑拉を欄かし、光鳥鉤か你鳥鉤かの覺輪を侯り叫し、1と0に灤炳させている。300mmウェ〖ハ懼にメモリセルを侯り叫し、その瓢侯を澄千した。 [ⅹ魯きを粕む]
TSMCがN2プロセスまでの里維を券山、倡券抨獲はますます叼馳に
TSMCが8奉30泣に駱涎でTechnology Symposiumを倡號した稿、海攙は3鉗ぶりに泣塑に惟ち大りその車維を疽拆、N2プロセスノ〖ドまでのロ〖ドマップを績した。ただ、1肌傅弄な腮嘿步潰恕はもはや罷蹋がなく、TSMCは1肌傅弄なスケ〖リングから2肌傅弄な燙姥スケ〖リングへとシフトしてきている。票家ビジネス倡券のシニアVP、Kevin Zhang會∈哭1∷に票家の里維を使く。なお、9奉28泣に倡號徒年のセミコンポ〖タル柴鎊嘎年Free Webinarは≈TSMC甫墊∽がテ〖マである。 [ⅹ魯きを粕む]
Micronの232霖NANDフラッシュは1Tビットの光礁姥+2.4GB/sの光廬步
Micron Technologyがこれまで呵驢のセル霖眶である232霖の3D-NANDフラッシュメモリを倡券∈哭1∷、それを烹很したCrucialブランドのSSDのサンプル叫操を嘎年ユ〖ザ〖羹けに幌めた∈徊雇獲瘟1∷。翁緩は2022鉗瑣になる斧哈みだ。232霖と3ビット/セル禱窖でNANDフラッシュは1Tビットのチップと2Tバイトのパッケ〖ジ推翁を悸附できるという。 [ⅹ魯きを粕む]
3nmプロセスノ〖ドでTSMCとSamsungが楓しく頂い圭う
3nmプロセスを戒ってTSMCとSamsungが禱窖を頂っている。TSMCは、6奉に勢柜で倡いたTechnology Symposiumで3nmプロセスノ〖ドのN3およびN3EのFinFET禱窖と、2nmノ〖ドのN2プロセスを券山した。SamsungはGAA∈ゲ〖トオ〖ルアラウンド∷菇隴の3nmプロセスノ〖ドでチップ欄緩を幌めたと券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
