CTスキャナ〖の付妄で3D-IC柒嬸を囪盧
客粗の攣の們霖を唬逼するCTスキャナ〖。このComputed Tomography∈トモグラフィ∷禱窖を蝗って3肌傅ICの柒嬸を斧ようという浮漢劉彌をCarl Zeissが倡券面である。3D菇隴のFinFETや3D-NANDセル、あるいはICチップをスタックする3D-ICなど3肌傅菇隴を斧ることができる。
これは、澎頌絡池柜狠礁姥エレクトロニクス甫墊倡券センタ〖∈CIES∷が肩號する2nd CIES Technology Forumにおいて、Carl Zeiss家のRaj Jammy會が湯らかにしたもの。IC禱窖は靳」に3肌傅步が渴んでいる。プロセスでは、Intelが22nmのプロセッサHaswellからFinFETを蝗い、16/14nmプロセスではMOSトランジスタは鏈てFinFETに恃わった。海倡券面の10nmプロセスでもFinFETが肩萎になるが、7nmプロセスではSi-GeのFinFETになりそうだとJammy 會は咐う。5nmではおそらくナノワイヤ〖菇隴が驢警なりとも艱り掐れられるのではないだろうか。このCIESでは、僥菇隴のナノワイヤ〖FETについて甫墊倡券している。
NANDフラッシュメモリも、プロセス禱窖で24霖、32霖、36霖、48霖といったメモリセルの3肌傅をSamsungが黎片に惟って渴めており、瀾墑步のフェ〖ズに掐っている。SK Hynixや澎記、Micronなども3D-NANDプロセスの倡券を渴めている。
TSV∈Through Silicon Via∷を奶してチップそのものを腳ねるスタック數(shù)及のNANDはまだ悸脫步されていないが、DRAMに簇してはMicronとAMDがそれぞれHMC∈Hybrid Memory Cube∷ 、HBM∈High Bandwidth Memory∷という嘆疚で、3Dメモリを瀾墑步している。この眷圭はDRAMを腳ねるというよりもメモリセルを腳ねて、呵布霖のチップにセンスアンプを肋けて粕み叫すというような糠しいメモリア〖キテクチャを瞥掐している。CMOSイメ〖ジセンサでもフォトダイオ〖ドと粕み叫し攙烯や茶嚨借妄ICをTSVでスタックしている。
ただ、3肌傅步が渴むにつれ、毋えばFinFETではアスペクト孺の絡きな光いFinが妨喇されるが、その婁燙にゲ〖ト冷憋遂が妨喇されるため、≈わずかなラインラフネスがゲ〖ト稍紊を苞き彈こすようになる∽とJammy會は焚桂する。チップをTSVで腳ねる3D-ICは、笆漣からハンダボ〖ルが賴しく妨喇され儡魯されているのか斧ることができない、と回紐されていた。排丹弄潑拉を斧るしか緘はなかった。しかし、トモグラフィ禱窖で木儡囪盧できるようになるため、どの艙疥のゲ〖ト冷憋遂が泅いのか、あるいはどのハンダボ〖ルの泰緬拉が礙いのかを夢ることができる。
ZeissのトモグラフィはX俐を脫いてFinFETの們燙繼靠を唬逼し、それらを圭喇して3肌傅茶燙を侯る。このため3肌傅茶嚨をビデオとして囪弧することになる。トモグラフィを蝗ってチップ鏈攣のどのFiｎFETが纏しいかを斧つけると、肌はそれを橙絡して澄千する。その眷圭は、In-Situモニタリングとも咐うべき、≈們燙を猴り(ミリング)≤囪弧(イメ〖ジング∽によって、肝俱改疥を票年する。
Zeissは、パ〖トナ〖であるInvensasのMEMSストレス活賦によるハンダボ〖ルの昔步を囪弧したこともあるという。
X俐唬逼から茶嚨圭喇までの箕粗は、1箕粗染鎳刨であり、2箕粗もあれば票箕ミリングの眷圭でも鼻嚨は窗喇するとしている。3肌傅茶嚨をもしTEM∈譬冊房排灰覆腮獨∷で唬逼し、茶嚨圭喇するなら借妄箕粗はもっとかかる。BGAパッケ〖ジの悸劉の毋では、30尸で貉んだとしている。悸狠の茶嚨に簇しては稿泣、非很する徒年である。
