沒(méi)チャンネル跟蔡のないIGZO網(wǎng)脫のMOSトランジスタ
シャ〖プの閉窘ディスプレイの稱(chēng)茶燎にスイッチングトランジスタとして妨喇されているIGZO∈In、Ga、Znの煥步濕∷染瞥攣を猖紊し、リジッドな窗鏈馮窘ではなく、アモ〖ファスでもない≈嚼らかい∽馮窘を染瞥攣エネルギ〖甫墊疥が倡券、染瞥攣LSIに炳脫するため、駱涎ファウンドリのUMCと捏啡した。
哭1 染瞥攣エネルギ〖甫墊疥洛山艱涅舔の懷宏截士會(huì) UMC Technology Forumにて
イグゾ〖と鈣ばれるこの亨瘟は、煥步濕染瞥攣の拉劑を績(jī)し、エネルギ〖バンドギャップが2.8~3.2eVとシリコンの1.1eVよりもずっと光いワイドギャップ染瞥攣になる。このため、冷憋卵暗が光い。≈10nm箕洛になると、シリコンには10の6捐V/cmという端めて光い排腸がかかり、シリコンではもはや卵えられなくなる。だからシリコンに洛わり腮嘿步材墻な染瞥攣を玫していた∽と票甫の洛山艱涅舔の懷宏截士會(huì)∈哭1∷は胳る。すでに30nmル〖ルのMOSFETを活侯しており、10nm箕洛への極慨を斧せる。
ワイドギャップであるから、オフ箕のリ〖ク排萎は付妄弄に井さい。fA∈10の-15捐アンペア¨フェムトアンペアと鈣ぶ∷を6けた笆懼布攙り、盧年嘎腸を汾く畝えるという。このため、補(bǔ)刨を懼げてリ〖ク排萎を盧年、そのアレニウスプロットから、技補(bǔ)でのリ〖ク排萎を斧姥もっている。fAの3ケタ布のaA(アットアンペア)、さらに3ケタ布のzA∈ゼッタアンペア∷笆布になると夸年する(哭2)。リ〖ク排萎が井さければ、オフ箕の久銳排蝸が驕丸よりも6ケタ井さいことになる。この≈嚼らかな馮窘∽を斧つけるのに5鉗粗かかったとしている。
哭2 リ〖ク排萎は盧年嘎腸 叫諾¨染瞥攣エネルギ〖甫墊疥
InGaZnO4と山淡するこの馮窘は、シャ〖プの閉窘ディスプレイでは帽馮窘ではなく、ナノクリスタルという山附するような辦鹼の驢馮窘になっている。また、澎疊供度絡(luò)池の痰怠亨瘟の嘿填建禿兜鑒が緘齒けているInGaZn煥步濕はアモ〖ファス覺(jué)輪を網(wǎng)脫するもので、染瞥攣エネ甫の馮窘とは佰なるとしている。票甫はこの馮窘をCAAC∈c-axis-aligned a-b-plane-anchored crystal∷と鈣んでいる。c即數(shù)羹には馮窘燙が芹羹しているものの、a-b燙ではランダムになっている。InとGa、Znの付灰の粗にO∈煥燎∷付灰がクッション亨として賂哼しており、この嚼らかさはO付灰の芹誤によると雇えている(哭3)。
哭3 c即に芹羹し、煥燎付灰がクッションとなる嚼らかい馮窘 叫諾¨染瞥攣エネルギ〖甫墊疥
この4傅廢の染瞥攣を蝗い、ゲ〖ト墓30nmのMOSFET(ゲ〖ト升W=18µm)を活侯したところ、オフ箕のリ〖ク排萎は呵井10の-14捐A笆布となっている。ただし、ゲ〖ト排暗がゼロの箕ではない。ややデプリ〖ションタイプのFETとなっており、このままでは蝗いづらい。また、光件僑網(wǎng)評(píng)の件僑眶潑拉から、甲們件僑眶30GHzを評(píng)ている。30nmの裁供には排灰ビ〖ムリソグラフィを蝗った。
MOSFETとしての排灰敗瓢刨を盧年したところ、30×40cm2/Vsと、シリコンよりは皖ちるが、アモ〖ファスや驢馮窘Siよりも光い眶猛が評(píng)られている。もう辦つの潑墓は、沒(méi)チャンネル跟蔡が謄惟って附れないことであり、サブスレッショルド排萎の飯きも締皆である。毋えば、ゲ〖ト煥步遂∈SiO2∷が11nmと更く、チャンネル墓が32nmの眷圭でさえ、沒(méi)チャンネル跟蔡は斧えないとする。ただし、トランジスタ菇隴がF(xiàn)inFETというよりも、バックゲ〖トも蝗った4數(shù)羹からゲ〖ト排腸がかかる菇隴になっていることが大涂しているが(哭4)、これだけではないという。エネルギ〖バンドギャップが辦街で弓がるため排萎を甲們する墻蝸が光いとしている。鄂順霖で誓じるという車(chē)前ではないと懷宏會(huì)は雇えている。だからサブスレッショルド排萎の飯きが締皆なのかもしれない。
哭4 InGaZnO4を染瞥攣霖として網(wǎng)脫するMOSFET 4數(shù)羹からゲ〖トで跋まれた菇隴 叫諾¨染瞥攣エネルギ〖甫墊疥
トランジスタはnチャンネルになっているが、ドレイン、ソ〖スにメタルをスパッタリングで慮ちこむと、帽疤セルの煥燎付灰が若び叫し風(fēng)祿を欄み、n+というよりもメタルになる。DRAMセルを活侯してみると、リ〖ク排萎の井さいためにリフレッシュ箕粗がとてつもなく墓く、リフレッシュ袋粗は1鉗だと斧姥もっている。ほぼ稍帶券拉RAMの覺(jué)輪になっている。票家はさまざまなデバイスさらに侯り、メモリからSoCまで屯」な炳脫に蝗えることを悸沮して炳脫を弓げていきたいとする。
リジッドな帽馮窘と孺べると、嚼らかいCAAC馮窘は、妄鱗弄には答塑セルが匣逞妨をしているが、皋逞妨、擠逞妨のセルも釣推する。悸狠の馮窘から眶它改笆懼の答塑セルを囪弧すると、68.3%が匣逞妨、15.5%が皋逞妨、14.5%が擠逞妨だったという。これに灤して、帽馮窘はほぼ100%匣逞妨をしている。遂泰刨はCAACが呵も光く、肌がナノクリスタル、呵も你いのがアモ〖ファスであった。
另じて、この染瞥攣亨瘟がプリミティブな檬超にも勾わらず、馮窘が嚼らかい菇隴になっているため、庭れたMOSFET潑拉が評(píng)られていると票甫は雇えている。かつて、染瞥攣エネルギ〖甫墊疥は、パテントトロ〖ルと咐われたことがあった。リバ〖スエンジニアリング脫の劉彌を驢眶路えているという蘭もあった。しかし、海攙の禱窖は、極ら玫し斧つけた亨瘟/デバイスであり、これまでのイメ〖ジを恃える禱窖でもある。すでに勢(shì)柜、駱涎の長(zhǎng)嘲措度から苞き圭いの蘭を使くが、泣塑から督蹋を績(jī)したところは1家のみだという。グロ〖バル措度は市斧を俊い殿る廬刨も廬いのかもしれない。
