ブラジルが��電��の実に45%を再�擴��Ε┘優襯�ーで��っていることを日本人は�瑤辰討い襪世蹐Δ�。ほとんどが水��発電だが、ソーラーシステムや風��にも��を入れ始めている。しかも�_要なことは�J�Tの電����との統合システムだ。広い国土に渡って直流送電も行っている。どうやってソーラーや風��などほかの再�擴��Ε┘優襯�ーを導入し、それらを�J�Tの電����とつなげるか、ブラジル���~の問��だ。ここにINRI(インテリジェントネットワーク研�|所)の�咾澆�ある。RD20 2023でブラジルの実��を�Bす、INRI研�|所でソーラーシステムの�\術陣をけん引するLeandro Michels��(ji└)教�b（図1）に�Bを聞いた。 [→��きを読む]
2023�Q��2四半期における世�c半導��ファウンドリの売�幢Yは、�i四半期比（QoQ）1.1%��の262億4900万ドルとなった。�岼�10社の内、最も低い�Pびを��した企業はTSMCで6.4%��であった。�j(lu┛)きな�Pびを��した中国Nexchipは65.4%�\の2.69億ドルであった。トップ10社の内マイナスはTSMCと中国のPSMCだけだった。 [→��きを読む]
半導���噞は��々と進んでいる。ラピダスの進�t�X況について、9月8日の日経�噞新聞が報じている。9月1日に���L�O�h歳�xで��工式を行ったときに日経が�D材して報じたもの。また、半導���噞に�L(f┘ng)かせない�\術�vをはじめとする人材の�啣什�について福�K県が��(sh┫)針を�]ち出し、���L�Oでも議�bが始まっている。 [→��きを読む]
![新半導��会社が誕��、光半導��やフォトニクスをパッケージングまで���]](/assets_c/900px/230908--nttinnovative-devices.png "新半導��会社が誕�據�光半導��やフォトニクスをパッケージングまで���]")
日本にもまた�kつ、半導��企業が誕�擇靴�。NTTエレクトロニクスを吸収合��したNTTイノベーティブデバイスである。NTTは通信からコンピューティングへと��業�覦茲鮃�げ、その�\術となる光半導��を設��・���]する会社としてイノベーティブデバイスを設立した。NTTの��田��社長が昨�Q��に述べていた「半導��企業の協��なしにIOWNを実現できない」という言��を実行に�，靴燭發�。 [→��きを読む]
IntelがTower Semiconductorを�A収するという�Bは中国当局の��可が�uられず破�iとなったが、逆にIntelとTower両社の間で相互にファウンドリ同士での�Tび��けを�咾瓩鞫T果となった。Intelは最先端の微細化工場を運営しており、Towerは65nm以�屬離僖錙爾筌▲淵蹈鞍焼���を�攵�してきた。両社の関係�啣修凌靴燭閉鷏箸聾楜劼縫錺鵐好肇奪廚任離機璽咼皇鷆，砲弔覆�る。 [→��きを読む]
��5�vRD20（Research and Development for clean energy technologies）の開��日時と開��地が��まった。2023�Q10月3〜6日、福��県郡�處xの「ホテルハマツ」で開��される。RD20は、G20が開かれた2019�Qに始まり、カーボンニュートラルに向けた研�|�v同士のディスカッションの場を設けようという�貉櫃濃呂泙辰拭�5�v�`となる今�Qは、国際連携の�啣修塙{�}研�|�v育成という新しい試みが始まる。��5�vRD20の����局長である�噞�\術総合研�|所ゼロエミッション国際共同研�|センター（GZR）の統括研�|主��(chu┐ng)である吉澤徳子��（図1）にRD20 2023の��長や狙いを聞いた。 [→��きを読む]
Samsung Electronicsが12nm級の微細化�\術を使って32GビットDDR5 DRAMを開発した。実�∨，�12nmという表現を半導��メーカーがしたことはこれが初めて。これまでメモリメーカーは20nm以下のプロセスを1x nm、1y nm、1z nm、1α nm、1β nm、1γ nm、と1〜2nmずつ刻んできた。ロジックメーカーは、14/16nmプロセスから10nm、7nm、5nm、4nm、3nmと�}んできたが、実�∨，�14〜13nmで�Vまったままだ。 [→��きを読む]
ようやく半導��や蓄電池などの成長�噞メーカーへの税�U優遇が達成できそうになってきた。これまで世�cでは工場誘致での税�U優遇策を講じてきていたが、日本では税�U優遇がなく他国へ流れたケースが�Hかった。半導��投�@にも��みがつきそうだ。蓄電池も電気�O動�Zだけではなく再�擴��Ε┘優襯�ーにも�~効で、日本での�Dり組みを加�]させる。 [→��きを読む]
ガレージ実�x室から始まったHewlett-Packard社をルーツに�eつKeysight TechnologyがSiCやGaNなど高�]パワーデバイスのダイナミック��性を�Rる���R�_「PD1550A」（図1）をKeysight World 2023で�t��した。もともと高周�S�R定機に�咾�Keysightが、パワー半導��の�R定にもその�咾澆鯣�ｧする。��にSiCのスイッチング動作に�椶泙気譴討�たエンジニアには福音となる。 [→��きを読む]
シミュレーション�\術はかつてCAE（Computer Aided Engineering）と�}ばれ、機械や�O動�Zなど3次元構�]の�`的�颪謀���されることが�Hかった。電子�v路では電子の動き（電流）が�`に見えずシミュレーションは�霾�的にしか使われてこなかった。しかし、3次元ICや先端パッケージなど3次元構�]になるにつれシミュレーションは半導���\術と�Zづいてきた。シミュレーション企業Ansysは、「2023 R2」をリリース、3D-ICなど充実させてきた。 [→��きを読む]
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