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セミコンポータルによる分析

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Micron、24GビットのDRAMダイをTSVで8スタックした24GB HBM3を出荷

Micron、24GビットのDRAMダイをTSVで8スタックした24GB HBM3を出荷

Micron Technologyがメモリ容量24GB(ギガバイト)で、転送レート(バンド幅)1.2TB/sという巨jなHBM(High Bandwidth Memory)メモリを開発、サンプル出荷を開始した。このHBM3 Gen2を開発した理yは、收AIの学{に向け、学{時間の]縮を狙ったためだ、と同社コンピュート&ネットワーキング業靆 VP 兼 ゼネラル・マネージャーのPraveen Vaidyanathanは言う。 [→きを読む]

シリコンウェーハの出荷C積はx場v復の兆しを反映

シリコンウェーハの出荷C積はx場v復の兆しを反映

2023Q2四半期におけるシリコンウェーハの出荷C積は、i四半期比2.0%\の33億3100万平汽ぅ鵐舛箸覆辰拭iQ同期比ではまだ10.1%だが、ようやく下げVまり、これからv復に向かう兆しが見える。2022Q3四半期の37億4100万平汽ぅ鵐舛鬟圈璽に下がりけてきたが、ようやく下げVまった。 [→きを読む]

GaNT晶からウェーハにスライスするレーザー\術で攵掚を屬欧

GaNT晶からウェーハにスライスするレーザー\術で攵掚を屬欧

GaNパワーデバイスがすでにスマートフォンの]充電_などに使われているが、GaNT晶の加工にもメドがついたようだ。SiC同様、GaNバルクT晶もwく、バルクのインゴットからウェーハにスライスすることがMしかった。ディスコが比較的~単にスライスできる\術を開発、ウェーハとして使える収量も37.5%\やせることがわかった。 [→きを読む]

TSMCの23Q2QQから見える半導不況の現Xと今後

TSMCの23Q2QQから見える半導不況の現Xと今後

2023Q2四半期(2Q)におけるTSMCの業績が発表され、2023Qの売幢Y見通しが約10%と発表された。TSMCの儲け頭は、5nm/7nmプロセスノードをWするHPC(高性Ε灰鵐團紂璽謄ング)とスマートフォン向けのプロセッサだが、スマホ向けがjきく落ちている。またZ載向けはこれまで最高の8%にもなっている。 [→きを読む]

AIの学{・推bに咾Nvidiaが收AIでも咾ねy

AIの学{・推bに咾Nvidiaが收AIでも咾ねy

Nvidiaが半導メーカーの中で唯k、時価総Y1兆ドルをえた。同社の2024Q度1四半期(2023Q2〜4月期)の売幢YはまだiQの金Yにも達しなかったにもかかわらず、次の四半期売幢Yをi四半期比53%\の110億ドルとの見通しを発表したためだ。その原動は收AI向けのGPUだ。に最高性ΔH100というGPUの供給がBりないため、收AI業vはチップを]するTSMCから順番待ちを咾い蕕譴討い襦 [→きを読む]

Infineon、ドイツ、日本、盜颪離泪ぅ灰ポートフォリオを拡j

Infineon、ドイツ、日本、盜颪離泪ぅ灰ポートフォリオを拡j

パワー半導に咾Infineon Technologiesがマイコン(マイクロコントローラ)のポートフォリオを拡jし、現在から来にわたり成長性が約JされているIoT分野をU覇しようという狙いが見えてきた。3QiCypress semiconductorをA収、マイコンがハイエンドからローエンドまで揃い、これから先の狙いがIoTに定まった。独日櫃淋つの文化を咾澆吠僂┐討い可性も咾泙辰討い襦参考@料1)。 [→きを読む]

Z載半導x場の成長と共に拡jするSiCx場

Z載半導x場の成長と共に拡jするSiCx場

パワー半導x場がk般噞からO動Zへと拡jするにつれ、SiCパワーMOSFETx場も拡jしている。それに合わせて新工場の設立や8インチ化の開発が進んでいる。Z載x場もこれまでのEV(電気O動Z)化からインホィールモーター(IWM)や、ステアリング-バイ-ワイヤー(Steering by Wire)などへ拡j、SiCやGaNのx場は拡jする勢いだ。 [→きを読む]

半導工場のファシリティをk括提供、Industry 4.0を推進するNECファシリ

半導工場のファシリティをk括提供、Industry 4.0を推進するNECファシリ

半導工場で培った見をかし、工場施設の管理をk}に引きpけるNECファシリテーズ(図1)。半導工場では、クリーンルーム内での様々な浄工における純水の管理をはじめ、Q|薬供給や{浄な空気供給のシステム、排水設、排気設△覆疋侫.轡螢謄がHい。それらの業をk括アウトソースで引きpけている。ここにもIoTW、すなわちIndustry 4.0の予保が始まった。 [→きを読む]

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