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セミコンポータルによる分析

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配線金鑠譴鬚匹里茲Δ粉韶にもけられるi-SB\術を岩}jが業化へ

配線金鑠譴鬚匹里茲Δ粉韶にもけられるi-SB\術を岩}jが業化へ

プリント基だけではなく、テフロンなどの基にも密性の良い配線を形成できる\術を岩}j学が開発、高周S性の優れたv路を容易に形成できるようになる。岩}jのi-SBと}ばれる\術は、分子接合材をいる異|材料接合\術である。噞cもすでに`し始め、実化に向けたエコシステムの構築中だ。この\術を普及させるためのプラットフォームを今秋には構築する画で進めている。 [→きを読む]

Samsungが20Q間で31兆投@、菱電機は8インチのSiCラインに投@

Samsungが20Q間で31兆投@、菱電機は8インチのSiCラインに投@

Samsungがf国内に今後20Q間で300兆ウォン(約31兆)を投じ、新たな半導攵妌場を設立すると表した。また、日本ではf国との懸案項であった半導材料3`の輸出管理を緩和すると経済噞省が発表した。また、菱電機はy本のパワー半導工場において1000億を投@、SiCのための新棟を建設する。InfineonがZ載マイコンでUMCと長期契約した。 [→きを読む]

Imec、脱炭素のためのリソとエッチング工のh価}法を開発

Imec、脱炭素のためのリソとエッチング工のh価}法を開発

半導工場の脱炭素化が求められるようになってきたが、ベルギーの研|開発会社であるimecは、リソグラフィとエッチング工における環境負荷を定量的にh価するシミュレーションを発表した。半導プロセスの環境h価によりCO2削への敢を]つことができる。まずはリソとエッチング工でEUVの優位性がされた。 [→きを読む]

半導の人材育成、プログラムを創設する経愱、レゾナックは新人U度

半導の人材育成、プログラムを創設する経愱、レゾナックは新人U度

半導噞がかつてないほどrり屬りを見せているが、問となっている人材育成に関して経済噞省から新しいプログラムを創設するという画が発表された。旧昭和電工は日立化成をA収してレゾナックと社@を改め、半導を念頭にいた人U度を刷新する。LOもラピダスмqの新組Eを作る。盜颪魯ぅ鵐匹犯焼で協するという覚書を交わした。 [→きを読む]

2023QはDRAMの主がモバイルからサーバー向けにjきく転換するQに

2023QはDRAMの主がモバイルからサーバー向けにjきく転換するQに

サーバーのDRAMが2023Q中にモバイルDRAMを記憶容量のビット数でえるという見込みをTrendForceが発表した。DRAMの総ビット出荷量は、サーバー向けが37.6%になるのに瓦靴謄皀丱ぅ觚けは36.8%に里泙襪藩女[した。つまりこれまで、DRAMのビット出荷量をけん引していたモバイル向けがとって代わられることになる。 [→きを読む]

2月に最もよく読まれた記は「1200VのパワーGaNベンチャー」

2月に最もよく読まれた記は「1200VのパワーGaNベンチャー」

2023Q2月に最もよく読まれた記は、「GaNの常識を戮1200Vの\術でEVx場を狙うパワー半導ベンチャー」であった。GaNは650Vまで、SiCは1200V以屬皺帖△箸いΔ海譴泙任両鐚韻戮GaN HEMT構]を見直したT果、横型HEMTでも1200V、20A度のパワートランジスタを作れることを実証した。ソニー出身のエンジニアが設立したGaNのベンチャー「パウデック」を紹介した記だ。GaNでもe型にすれば1200Vは可Δ世噺世錣譴討い襪、作りやすくW価な可性のある横型で高耐圧を実現した。 [→きを読む]

ラピダスの2nmノードに瓦掘JSファンダリはパワーでM負

ラピダスの2nmノードに瓦掘JSファンダリはパワーでM負

日本発の先端ファウンドリのラピダス社がLOのh歳xに量妌場の設をめた。元洋電機の半導工場であった新觜場を日本のファンドがA収、JSファンダリとして2022Q12月に出発したが、そのレポートを3月6日の日経噞新聞が報じた。SiC開発を進めてきたロームがGaNパワーIC\術にも乗り出している。 [→きを読む]

「少量H|のAIチップにはFPGAが最適」、東工j発ベンチャー

「少量H|のAIチップにはFPGAが最適」、東工j発ベンチャー

AIチップならFPGAが向いている。こういった考えでAI(機械学{)プラットフォームを作り、さまざまな分野に応するため業した東B工業j学発のスタートアップがいる。Tokyo Artisan Intelligence(TAI)社だ。漁の養殖場での_数R作業をO動化し、鉄Oのレール検hなどにもAIをし、POC(実証実x)を終えたところにいる。 [→きを読む]

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