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ヘテロ集積の先端パッケージ\術はセミコンジャパンの`玉だった

セミコンジャパン2022では、半導パッケージングのブースがの半分Zくをめ、プロセスのi工だけではなく、後工との間にあるに先端パッケージング\術にR`が集まった。12月15日に開されたAPCS(Advanced Packaging and Chiplet Summit)2022では、Intel、TSMC、AMDなどの先端パッケージへのDり組みが`を引いた。

INNOVATION BEYOND CHIP LEVEL

図1 6倍の高集積SoCを作れる先端パッケージング\術


チップレットをはじめとする先端パッケージ\術に世cのトッププレイヤーたちがDり組む最j(lu┛)の理y(t┓ng)がモノリシックで作るよりも、もはや低コストで高集積のSoCが作れるようになる可性にある。TSMCが9月に開いた記v向けの説会では、モノリシックだと500億トランジスタを集積できる時期に、先端パッケージング\術だとその6倍の3000億トランジスタのSoCを作れるとしていた(図1)。今vのセミコンジャパンのAPCS 2022に登場したTSMCの・信頼性および先端パッケージング\術とサービス担当のVPであるJohn Heは、図1と同様な図をい、1000億トランジスタの時代には1兆トランジスタを集積できる、と10倍の高集積SoCができると説した。先端パッケージ\術では、モノリシックなチップとは違いレチクルサイズによるC積のU限をpけない。このため高集積化が可Δ箸覆襦

先端パッケージはインターポーザベースの\術であり、チップレットの接には問がHく、また複雑なレゴゲームでもある、とHeは語っている。基がj(lu┛)きいほど割れやすくなり、日本の材料メーカーとのコラボがL(f┘ng)かせない。コラボによって低い歩里泙蠅鮃發瓩襪海箸できると言う。最j(lu┛)の椶澆蓮△匹Δ笋辰攵掚を屬押∧里泙蠅鮓屬気擦襪である。レゴゲームと同様、接霾をY化し、切り分けや材料がノウハウになるとしている。

高集積化では的にCPUやGPU、DSP、メモリなど様々なプロセッサやv路を集積するヘテロな集積\術になる(図2)。Intel社フェローのRavi Mahajanは、ヘテロ集積が_要になり、DTCO(Design Technology Co-Optimization)からシステム的な考えのSTCO(System Technology Co-Optimization)を進め(参考@料1)、パッケージやソフトウエア、チップの最適化が_要になる。そのためにUCIeのようなY格を進めていくことになるという。


図2 AMDの高集積SoCには3D-ICが使われている 出Z:AMD

UCIe 1.0では、例えばバンプピッチが45µmと微細な格をUCIe-A8やUCIe-A16(数Cはパッド数)とし、Y的なバンプピッチの110µmの格をUCIe-S8やUCIe-S16などとして揃えていく。Intelが開発したPonte Vecchio GPUプロセッサには1000億トランジスタを集積し、47個のアクティブなタイル(チップレット)を敷き詰めており、それらの間に接に11個のEMIBシリコンブリッジを使っているという。

Intelはヘテロ集積の先端パッケージでは、ダイ-ダイ間の配線を駘層やプロトコルスタック、ソフトウエアモデルなどでY化すると、Q社のチップレットをミックス&マッチで~単に接できるようになると共に、パッケージ内陲PCIeやCXLなどの高]インターフェイスを使えるようになり、加価値の高いカスタムが可Δ砲覆襪箸靴討い襦

ヘテロ集積の先端パッケージ\術にを入れるもうkつの理y(t┓ng)が、モノリシックなエリアスケーリング(参考@料2)が28Qごろには和してしまうからだ、とAMDのTechnology &Product Engineering担当シニアVPのMark Fuselierは述べている。なぜ和するのか。3次元でのC積スケーリングではメタルのRCスケーリングしづらくなりK影xを及ぼすようになるからだとしている。その時はもはやCu配線は使えず、高価なCo&Ru配線によってB^を下げるといった工夫が要になるという。チップレットの先端パッケージはコスト的にも~W(w┌ng)だとしている。

ただし、チップレットによる先端パッケージング\術では問はHい。kつはXの問であり、もうkつは電源設の問だとAMDのFuselierはBす。Xによる問として最Z浮屬靴討い襪里半田バンプにおけるエレクトロマイグレーションだ(参考@料3)。Fuselierは、Xのインターフェイスの問が_要だと指~する。チップ内陲離┘譽トロマイグレーションの問ではない。たとえ、KGD(Known Good Die)だとしてもX設のKいチップやチップレットを3次元積層するようになると、ホットスポットがあれば峅爾離船奪廚傍K影xを及ぼし再設となる。

さらに電源供給ではパワーをどう供給するか、どうレギュレートするか、という問もある。先端パッケージではOy(t┓ng)度がj(lu┛)きいため、電源設がMしい。この先、1チップのバックサイドに電源供給ラインを設けることが提案されているが、レギュレータをオンチップする要があるだろうとFuselierは言う。

参考@料
1. 「imec、『ムーアの法Г呂海譴らもVまらない』、STCOでA2世代までく」、セミコンポータル (2022/11/09)
2. 「TSMC研|〜会^限定FreeWebinar(9/28)」、セミコンポータル (2022/10/04)
3. Mutschler, A. S., "3D-IC Reliability Degrades with Increasing Temperature", Semiconductor Engineering (2022/12/14)

(2022/12/20)
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