SEMIは2022�Q��4四半期におけるEDA（電子システム設��）�噞が�i�Q同期比11.3%成長を果たしたと発表した。EDA�噞は単なるLSI設��にとどまらず、電子や�X、�v路のふるまいなどを模�Г垢襯轡潺絅譟璽轡腑鵝�CAE）やプリント�v路基��によるパッケージ設��、IP、さらにはサービスなども含み、半導��工��の����をカバーする。EDAグループは数�Q�iにSEMIグループの�k�^になった。 [→��きを読む]
2023�Q��1四半期（1Q）におけるシリコンウェーハの出荷�C積が�i四半期比9.0%��の32億6500万平�汽ぅ鵐舛砲覆辰燭�SEMIが発表した。�i�Q同期比では11.3%��となる。これはSEMIのSMG（Silicon Manufacturers Group）が発表したもの。SMGは、シリコン�T晶ウェーハの���]�vたちの集まり。 [→��きを読む]
�Z載半導��の��要が旺�rだ。2023�Q��1四半期（1Q）における�Q社の���Q発表を見ても�Z載向け半導��分野だけが�i�Q同期比でプラス成長となっている。�Z載半導��の旺�rな��要に合わせ、パワー半導��およびその関連��業への新しい投�@が�\えている。パワー半導��最�j�}のInfineonがドレスデンに300mmの��2工場の建設に���}、さらにモールド����のTOWAや検�h����のタカノがパワー半導��関連��業を�啣修垢�。 [→��きを読む]
2022�Q��4四半期におけるファブレス半導��メーカーのトップテンランキングが発表された。これによると、1位のQualcommは変わらないが売�幢Yが�i四半期比20%��となり、2位Broadcomに��られている。Qualcommと同様にスマートフォンビジネスに�R��してきたMediaTekも26%��と落ち込みが��しく、スマホ向けチップは�Z戦している。 [→��きを読む]
2023�Q4月に最もよく読まれた記��は「Gartner、世�c半導��メーカーの2022�Q確定値ランキングを発表」であった。�x場調�h会社のGartnerは1月に2022�Qのランキングを発表したが（参考�@料1）、その時点では�Q社の販売�Yはまだ確定していなかった。4月になり�Q社の数�Cが確定し再発表となった。 [→��きを読む]
2023�Qの世�c半導���x場は、�i�Q比11.2%��の5322億ドルに��少しそうだと�x場調�h会社のGartnerが4月時点で下�巨T��した。同時に2022�Qの半導���x場も�i�v（2023�Q2月）の調�hを��新し、0.2%成長の5996億ドルとした。2024�Qは、2023�Qの反動を�pけて同18.5%成長の6309億ドルと予�[している。 [→��きを読む]
2023�Q��1四半期の�j�}半導��の���Qが発表された。それによるとメモリのSamsungとSK Hynixは���C、Intelも���Cになった。�k�機△海譴泙任竜�業転換が奏功してソシオネクストがようやく立ち�屬�った。2022�Q度（2023�Q3月期）売り�屬欧��i�Q度比64.7%�\の1928億��、営業�W益率11.3%となった。世�cのファブレスの背中が見えるレベルにまで成長してきた。 [→��きを読む]
英国からIoT Security Foundationの代表団が来日した。IoTは、Ericssonが発表しているセルラー�擬阿世韻任矣Q率20%で�Pびており、その成長性は��るがない。その社会的なメリットは業�cで言われている通り、Industry 4.0やDX（デジタルトランスフォーメーション）の基本�\術となっている。しかし、セキュリティに関してはあまり�Dり組まれていない。来日したFoundationの代表（Managing Director）であるJohn Moor��（図1）にその�Dり組みについて聞いた。 [→��きを読む]
SiCパワー半導���x場が���]に湧き�屬�っている。クルマの電動化によりインバータやオンボードチャージャーにSiCが使われているが、このEV�x場に向けて�W定供給するための戦�S的な提携やM&Aが��発化している。SiCパワー半導��の�x場��模はまだ16億ドル��度だが、2026�QにはCAGR35%で53.3億ドルに�\加するという見通しまで出てきた（図1）。 [→��きを読む]
6月11日から�B都で開��されるVLSI Symposiumのプログラムが��まった。投�M�b文数はこの10�Q間で最�Hの359�P、採�I数は123�P、採�I率は34%となった。2017�Qから�v路とプロセスが�k��化したVLSI Sympoだが、2023�Qの����テーマは「�e��可�Δ別ね茲里燭�、VLSIデバイス�\術と�v路�\術を再始動」である。FinFETの次となるGAAやCFET、など新トランジスタ�\術や裏�C電源�\術などの実���\術が�B��になりそうだ。 [→��きを読む]
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