Micron、24GビットのDRAMダイをTSVで8綏スタックした24GB HBM3を叫操
Micron Technologyがメモリ推翁24GB∈ギガバイト∷で、啪流レ〖ト∈バンド升∷1.2TB/sという叼絡なHBM∈High Bandwidth Memory∷メモリを倡券、サンプル叫操を倡幌した。このHBM3 Gen2を倡券した妄統(tǒng)は、欄喇AIの池漿に羹け、池漿箕粗の沒教を晾ったためだ、と票家コンピュ〖ト&ネットワ〖キング禍度嬸嚏 VP 敷 ゼネラルˇマネ〖ジャ〖のPraveen Vaidyanathan會は咐う。
哭1 倡券したHBM3 Gen2メモリはプロセッサとセットで蝗うことが驢い 叫諾¨Micron Technology
票會によると、絡憚滔咐胳モデル∈LLM∷の池漿に、叼絡な推翁で光廬の啪流レ〖トを積つこのメモリを蝗えば、池漿箕粗を30%沒教できるため、これまで3カ奉かかっていた池漿が2カ奉で貉むようになる。欄喇AIに澀妥なLLMは、部籬帛という叼絡なパラメ〖タを蝗うため、それに圭わせたプロセッサだけではなく、メモリもそれ陵炳の瀾墑が滇められる。つまり、叼絡なニュ〖ラルネットワ〖クの遍換デ〖タを借妄するプロセッサと叼絡なメモリは、辦斤に答饒に菇喇されるようになる∈哭1∷。
Micronは、欄喇AIによってHBMの見妥はますます光まり、2022鉗から2025鉗までの粗に鉗士堆喇墓唯CAGR50%笆懼で喇墓すると徒盧する。サ〖バ〖などのコンピュ〖タはこれまでの繞脫ではなくAIに廟蝸したコンピュ〖タとなり、メモリおよびストレ〖ジ推翁は絡きく喇墓するだろうと斧ている。
倡券した24GBの絡推翁は、附哼翁緩面のHBMの推翁よりも50%絡きく、1.2TB/sの啪流レ〖トも票屯に附哼翁緩面のHBMよりも50%廬い。また、久銳排蝸碰たりの拉墻は附哼票家のHBM2eと孺べて2.5擒笆懼だとしている。
哭2 HBMメモリの嘲妨は柒嬸で8綏スタックしても辦忍のメモリ瀾墑とそう恃わらない 叫諾¨Micron Technology
メモリ推翁を籠やすため、1β nmプロセス∈徊雇獲瘟1∷で瀾隴した24GビットのDRAMダイを8改スタックし、擴告脫のロジック1改をスタックして菇喇した。ダイ票晃を儡魯するためにTSV (Through Silicon Via) 禱窖を脫いた。驕丸のHBM3と孺べ、TSVの眶は腆2擒、パッケ〖ジの芹俐や芹俐粗持などを25%教井したという。24GB瀾墑のパッケ〖ジサイズは驕丸のHBM3と票じ11mm∵11mm∈哭2∷。1β nmプロセスによる瀾隴は澎弓噴供眷で∈徊雇獲瘟2∷、TSVによるパッケ〖ジングは駱涎で乖っている。
哭3 HBM3 Gen2のロ〖ドマップ 叫諾¨Micron Technology
Micronは海稿のHBMのロ〖ドマップも券山しており∈哭3∷、丸鉗にはHBM3 Gen2瀾墑でスタックした8改のDRAMダイのスタックから12改のダイをスタックする36GBのHBM3 Gen2を倡券、リリ〖スを徒年している。HBM3の肌はHBM3Eになるだろうと、Vaidyanathan會は胳っている。
徊雇獲瘟
1. ≈Micron、1β nmノ〖ドの64GビットのDDR5x-DRAMをサンプル叫操∽、セミコンポ〖タル (2022/11/08)
2. ≈Micronの弓噴供眷、1β nm瀾墑の翁緩叫操を剿う∽、セミコンポ〖タル (2022/11/22)
