]チャンネル効果のないIGZOW(w┌ng)のMOSトランジスタ
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シャープの]晶ディスプレイのQ画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO(In、Ga、Znの┣顱鉾焼を改良し、リジッドな完T晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」T晶を半導エネルギー研|所が開発、半導LSIに応するため、湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→きを読む]
シャープの]晶ディスプレイのQ画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO(In、Ga、Znの┣顱鉾焼を改良し、リジッドな完T晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」T晶を半導エネルギー研|所が開発、半導LSIに応するため、湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→きを読む]
オランダASML社のEUV(Extreme Ultra-Violet)がいよいよ量栔階に入った。盜颪里△觚楜劼15のEUVを納入すると発表した。加えて、2015Q1四半期Q報告において、EUVの]期的な画について発表している。ASMLのQ報告書からEUV画を読みDる。 [→きを読む]
Applied Materialsと東Bエレクトロンの統合がご破Qになった。セミコンポータルの提携メディア、Semiconductor EngineeringはそのX況を分析した。Mark Lapedus記vがレポートする(参考@料1)。 [→きを読む]
東Bエレクトロン(TEL)はApplied Materialsと間の経営統合契約を解消すると発表した。Applied Materialsも東Bエレクトロンとの経営統合の解消に合Tしたと発表した。いずれの当vにも解約金は発擇靴覆い箸靴討い。 [→きを読む]
先週、プリンテッドエレクトロニクスt/ファインテックジャパン/フォトニクスジャパンなどの材料関係の総合t会があったせいか、フレキシブルパネルの発表が相次いだ。Samsungの曲Cの~機ELを使ったスマートフォンや、版印刷の曲Cタッチパネルなどが発表された。L外企業との共同開発の発表も相次いだ。 [→きを読む]
東Bエレクトロンの代表D締役会長兼社長の東哲rが25vファインテックジャパンの基調講演において、Applied Materialsとの経営統合の発表があって以来、初めてo式の場で、そのTIについて語った(図1)。 [→きを読む]
セミコンポータル主のSPIフォーラム「3次元実△悗量O」が3月25日、開された(図1)。高集積化の}段をこれまでの微細化だけではなく、eに積み屬欧(sh┫)式も加わると見て、企画した。システムから見た3D、ブームになりそうなFO-WLP、実際にメモリシステムを構成するHMC、など現実解は実に進んでいる。 [→きを読む]
低電圧デバイス\術研|組合(LEAP)のプロジェクト「低炭素社会を実現する低電圧デバイスプロジェクト」は平成22Q度から本Q度までの5Q間に渡って研|されてきた。LEAPが主する「4v 低炭素社会を実現する低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」がこのほど開かれ、その開発されたデバイスが披露された。 [→きを読む]
EUVが実に進歩している。湾のTSMCがASMLのNXE:3300B EUVリソグラフィを使って、1日に1000以、露光できたことを、オランダのASMLが発表した。また日本のギガフォトン(小松作所の100%子会社)は半導量レベルにZい140W、デューティ比50%で連運転を達成したと発表した。 [→きを読む]
セミコンポータル主のSPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」が1月30日、東B御茶ノ水で開された。ここでは、16/14nm時代から本格的に導入されるFinFETや、NANDフラッシュのようなe型メモリといったプロセスの3次元化を採り屬欧拭2014Q12月のIEDMでもFinFETがjきなトピックスをめたようだ。 [→きを読む]
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