共に、�盜颯汽鵐離爾燃���されたSPIE Advanced Lithography Symposiumにおいて発表した。TSMCのR&DディレクタであるAnthony Yen��は、「NXE:3300B EUVシステムを使って最�Zテストランをしたところ、光源出��90W以�屬鯤櫃舛覆�ら、24時間で1022��のウェーハを露光した」と述べている。さらに「EUVシステムの可��性を��した�T果に満�Bしている」と��ける。

ASMLによると、このNXE:3300Bシステムは、現在TSMCにある2��の����の内の1��で、新����のNXE:3350Bシステムも2��TSMCへ出荷が予定されている。TSMCは�攵�ラインでEUVを使いたいと述べている。

ASMLのEUVサービスおよび����マーケティング�靆腓�VPであるHans Meiling��によると、「TSMCでのテストランは、NXE:3300Bスキャナーシステムの�ξ�を��した。当社は、2015�Qに1日当たり1000��以�屬離ΕА璽魯廛蹈札垢鰆`�Yとしていた。今後は、光源のパワーをさら�\加させ、システムの（availability）を改��し、数日以�屬謀呂衒�数の顧客が�W定して使えることを�{求する」と述べている。

�k�機▲�ガフォトンはEUVスキャナー��のレーザー�收�プラズマ（LPP）光源のプロトタイプ機で、これまで最高出��の140W、デューティ50%の連��運転を達成した。2014�Q6月��に発表した時は92Wであったから(参考�@料1)、ほぼ予定通りのレベルに達したことになる。出��が向�屬靴人��yは、ドロプレットを微小化し�W定供給したこと、�w��レーザーによるプリパルスとCO2レーザーによるメインパルスの組み合わせ、磁場を�W��したデブリ除去�\術などによるという。

ギガフォトンは、2015�Q��までにプロトタイプLPP光源で250Wを�`指す。この出��はメモリーなどへの量���官�が可�Δ砲覆襯譽戰襪任△襦�

参考�@料
1. EUVリソグラフィ光源、100Wが�o��内に (2014/07/01)

(2015/02/27)