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次世代TFET、共鳴TFET、finFETFDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013

次世代TFET、共鳴TFET、finFETFDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013

IEEE IEDM(International Electron Device Meeting)では、トンネルFET(TFET)をはじめとする次世代半導の発表がさまざまな研|所、j学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流のAを峻にできるというメリットがあるため、Q社はこれを擇し、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→きを読む]

世cのエコシステム構築に経営トップレベルが交流できるGSA

世cのエコシステム構築に経営トップレベルが交流できるGSA

世cのエコシステムをどうやって構築していくか、これをテーマにしたパネルディスカッション(図1)がSEMICONジャパンの会場で行われた。主vのGSA(Global Semiconductor Alliance)は、世c中の半導および半導関連企業のトップが集まる人脈ネットワークで、業の拡jと業cの発tに貢献することを最jの狙いとした団だ。 [→きを読む]

NANDフラッシュのx場がデジカメ・スマホからデータストレージにも拡j

NANDフラッシュのx場がデジカメ・スマホからデータストレージにも拡j

ビッグデータ、データセンター、ストレージ、NANDフラッシュ、複雑な高集積プロセス。k見関係のない言だが、半導のプロセスがITデータセンターの\術と今、深くTびついている。AEC/APCレポート(参考@料1)で報告したように、ビッグデータの解析に使うHadoopソフトウエアが、複雑な半導プロセスパラメータの解析にも使われるようになり、NANDフラッシュはHDDとき換わる堙牢にある。 [→きを読む]

Intel、ファウンドリ参入を式表、先端\術でサービスへ

Intel、ファウンドリ参入を式表、先端\術でサービスへ

Intelがファウンドリビジネスに参入することを式に表した。11月23日の日本経済新聞が伝えたものだが、盜饂間21日にIntelは業説会を開した。11月24日の日曜日には、東j学を中心にMRAM開発を日欟ζ韻燃発するというニュースを日本経済新聞が報じた。久しぶりに半導でjきなトピックスが出した。 [→きを読む]

10月の半導]、pRYがiQ同期比で倍\、好調をe

10月の半導]、pRYがiQ同期比で倍\、好調をe

2013Q10月における日本半導]のB/Bレシオが先月の1.25をjきくえ、1.59という値になった。だからといって、文句なしに好況に向かうというlではない。pRは相変わらず峺きだが、販売Yが落ちたために見かけB/Bレシオがjきく屬っただけにすぎないからだ。 [→きを読む]

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