糠房陵恃步メモリをTRAMとLEAPが炭嘆
LEAP∈畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭∷が2013 IEDM∈International Electron Devices Meeting∷で券山した糠しい陵恃步メモリ(徊雇獲瘟1)は、TRAM∈Topological switching RAM∷と嘆燒けることが瘋まった。GeTe/Sb2Te3畝呈灰の面のGeの敗瓢だけで你鳥鉤と光鳥鉤をスイッチングする。このカルコゲン亨瘟による畝呈灰を、トポロジカル冷憋攣と濕拉濕妄池の坤腸で鈣んでいる。
哭1 你いエネルギ〖でスイッチング叫丸る糠房陵恃步メモリ 粕み叫し排暗は0.4×0.5V鎳刨 叫諾¨畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭
この糠房の陵恃步メモリTRAMは、今き垂え攙眶が1帛攙笆懼と昔步が警ない。しかも井さなエネルギ〖で光廬にスイッチングできる。驕丸の陵恃步メモリだと、馮窘とアモルファスを蓮敗するため、馮窘を拖かすほど絡きなエネルギ〖が澀妥だった。しかし、このTRAMは畝呈灰菇隴の面のGe付灰が敗瓢することによって光鳥鉤と你鳥鉤の覺輪を侯り叫す。この企つの覺輪を蓮敗するためのエネルギ〖は井さくて貉むうえに、敗瓢箕粗は沒い。すなわち光廬瓢侯が材墻である。敗瓢するエネルギ〖が警ないということは、慨完拉を光めることにもつながる。つまり辦佬話幕である。
哭1は1トランジスタ+1鳥鉤の1ビットセルの哭とTRAM瓢侯を山している。驕丸の陵恃步メモリはGe2Sb2Te5の圭垛で叫丸ている爬が絡きく般う。糠房メモリは畝呈灰菇隴を拜積している爬が絡きく佰なる。你排暗瓢侯ができない眷圭は圭垛陵が叫丸ており畝呈灰菇隴が束れた覺輪になっている。畝呈灰菇隴のTRAMは、今き垂え排暗V(SET)とV(RESET)がそれぞれ1V、2Vと你い。粕み叫し排暗は0.4×0.5V鎳刨ともっと你い。
このほどLEAPは、TRAMの4ビットセルアレイを活侯し、セル粗闖灸について拇べている(徊雇獲瘟2)。クロスポイントセルアレイとして、トランジスタではなく菇隴が詞帽なダイオ〖ドを聯買セルに脫いた(哭2)。セルを聯買する眷圭にはワ〖ド俐∈WL∷をロ〖レベル(儡孟)にして、ビット俐∈BL∷に粕み叫し排暗をかける。聯買されたセルでは、ビット俐から排萎が萎れ叫し、鳥鉤が你いか光いかを浮叫する。このセルを界戎に粕み叫すと哭2のような聯買瓢侯を績す。LEAPは、1トランジスタ+1鳥鉤のセルを脫いたMビット甸メモリも倡券面だとしている。
哭2 1ダイオ〖ド≤1鳥鉤の4ビットセル瓢侯 叫諾¨畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭
このTopological switching RAMは、Ge付灰の芹彌により、排萎が萎れやすい艙疥(エッジ)と萎れにくい艙疥(バルク)を券欄ˇ久糖させることで、光鳥鉤と你鳥鉤の覺輪を侯り叫すことから嘆燒けた。さらに、この畝呈灰亨瘟はトポロジカル冷憋攣とも咐われている。トポロジカル冷憋攣とは、山燙のみ排丹帕瞥拉を積つ冷憋攣のこと∈徊雇獲瘟3∷。畝呈灰馮窘のバルクではk鄂粗においてエネルギ〖バンドギャップが叫丸ているが、山燙ではバンドが誓じるディラックコ〖ン∈Dirac cone∷が叫丸る。ディラックコ〖ンとはk鄂粗でのエネルギ〖妨覺が邊寬妨をしていることを罷蹋する。ここで、バンドが誓じるという覺輪は、帕瞥掠の邊寬の黎と擦排灰掠の邊寬の黎がくっついたような菇隴を罷蹋している。
トポロジカル冷憋攣は、Feなどの姬拉傅燎を鏈く崔まないカルコゲン亨瘟廢の畝呈灰であるのにもかかわらず、姬拉を績すという拉劑もある。姬眷面ではSET排暗と排萎の簇犯が、絡きくシフトし、姬丹鳥鉤が200%も恃わるという。票じ寥喇のカルコゲン亨瘟の圭垛では姬眷面でも鏈く恃步しない。海稿、トポロジカル冷憋攣のデバイスへの炳脫は、糠しい尸填を磊り麥くことになりそうだ。
徊雇獲瘟
1. 警排萎ˇ光廬ˇ1帛攙今き垂え材墻な陵恃步メモリをLEAPが倡券 (2013/12/12)
2. 光焙、≈陵恃步亨瘟を脫いた畝你排暗ˇ稍帶券拉デバイス∽、你煤燎家柴を悸附する畝你排暗デバイスプロジェクト喇蔡鼠桂柴 (2014/01/23)
3. 少筆、≈陵恃步亨瘟におけるトポロジカル冷憋攣の答撩甫墊第びデバイス炳脫∽、グリ〖ンˇナノエレクトロニクスのコア禱窖倡券呵姜喇蔡鼠桂柴、 (2013/12/17)
