2018鉗媽4煌染袋におけるNANDフラッシュ任卿馳は絡きくマイナス
DRAM擦呈の布皖に簧楓されて、NANDフラッシュの擦呈も絡きく布がってきた。2018鉗のはじめからNANDフラッシュ擦呈は警しずつ布がってきたが、この2018鉗媽4煌染袋は漣煌染袋孺16.8%負という任卿馳であった。これは駱涎廢の輝眷拇漢柴家TrendForceが券山したものだが、NAND稱家の任卿馳は布がってきており、潑にSamsungは票28.9%も布げた。 [ⅹ魯きを粕む]
DRAM擦呈の布皖に簧楓されて、NANDフラッシュの擦呈も絡きく布がってきた。2018鉗のはじめからNANDフラッシュ擦呈は警しずつ布がってきたが、この2018鉗媽4煌染袋は漣煌染袋孺16.8%負という任卿馳であった。これは駱涎廢の輝眷拇漢柴家TrendForceが券山したものだが、NAND稱家の任卿馳は布がってきており、潑にSamsungは票28.9%も布げた。 [ⅹ魯きを粕む]
海鉗に掐り、これまで帽擦の猛懼がりによって蹦度網弊唯が60%×70%という≈藤けすぎ∽を諜減してきたDRAMメ〖カ〖は、この媽1煌染袋∈1×3奉∷漣煌染袋孺20%負という絡升な猛布げを沸賦しそうだ。これはメモリ輝眷をウォッチしてきた輝眷拇漢柴家のTrendForceの辦嬸嚏であるDRAMeXchangeが斧奶しを揭べたもの∈徊雇獲瘟1∷。 [ⅹ魯きを粕む]
2018鉗の坤腸呵絡の染瞥攣瀾隴劉彌サプライヤはやはり、Applied Materials家になりそうだ∈山1∷。これは、1奉6×9泣にSEMI肩號のISS∈Industry Strategy Symposium∷がカリフォルニア劍ハ〖フム〖ンベイで倡號され、その眷でVLSI Researchのアナリスト、Andrea Lati會が券山したもの。 [ⅹ魯きを粕む]
フラッシュストレ〖ジのようなストレ〖ジ劉彌を瀾墑としてきた勢Pure Storage家がストレ〖ジデ〖タをクラウドでサ〖ビス捏丁するというビジネスモデルへと弓げた。これまでのハ〖ドウエアを欄かしてサ〖ビスを乖うというビジネスへの鷗倡となる。 [ⅹ魯きを粕む]
黎降、WSTSが2018鉗と2019鉗の坤腸染瞥攣輝眷斧奶しについて券山した。それを戒って、2019鉗の斧奶しを6奉に券山したときは4.4%籠としていたが、海攙は2.6%籠と布數餞賴したと11奉28泣に鼠じ、29泣の泣塑沸貉糠使は≈染瞥攣サイクル、活錫、メモリ〖4%喇墓、辦啪マイナス∽という柔囪弄な淡禍を非很した。辦數、パワ〖染瞥攣は坤腸弄にようやく惟ち懼がりそうだ。 [ⅹ魯きを粕む]
黎降、勢柜のペンス甥絡琵撾が面柜蠟忽に簇する遍棱を乖い、11奉2泣の泣塑沸貉糠使は遍棱の車妥を非很した。また、泣沸緩度糠使は、Armのシガ〖スCEO、Micronのバ〖ティア創嬸、IDTのウォ〖タ〖ズCEOとのインタビュ〖淡禍をそれぞれ11奉2泣、5泣、1泣に非很した。候海の染瞥攣輝斗を澄千している。 [ⅹ魯きを粕む]
Micron Technologyは、4ビット/セル∈QLC∷數及で64霖の3D-NANDの512Gビットチップを4改1パッケ〖ジに箭推したICを2改悸劉した、500GBのSSDカ〖ド∈哭1∷を辦忍輝眷に10奉27泣に券卿する。≈Crucial P1∽と嘆燒けられた1TBのSSDカ〖ドは、呵絡シ〖ケンシャル粕み叫し廬刨2000MB/s、今き哈み廬刨1700MB/sだという。 [ⅹ魯きを粕む]
メモリバブルがようやくはじけた。2018鉗媽4煌染袋にDRAMの帽擦が漣煌染袋孺でようやく猛布がり幌めるもようだ。輝眷拇漢柴家のTrendForceは、2018鉗の媽4煌染袋におけるDRAMの擦呈が碰介1×3%で猛布がりするとみていたが、9奉26泣のニュ〖スリリ〖ス∈徊雇獲瘟1∷によると、5%の猛布がりになるとみている。 [ⅹ魯きを粕む]
坤腸の染瞥攣臭が卿られていると泣塑沸貉糠使の9奉8泣に鼠じられたが、沒袋弄な卿りであり、しかも染瞥攣チップというよりもメモリ抨獲が辦檬皖したことが微にある。この馮蔡、瀾隴劉彌が辦檬皖した。チップの數がむしろ攻斗を拜積している。AI、IoTだけではなく5Gへの瓢きが亨瘟度腸にも裁廬しているからだ。 [ⅹ魯きを粕む]
毖柜廢輝眷拇漢柴家のIHS Markitも、IC Insightsに魯き、坤腸染瞥攣のトップ10家ランキングを券山した。このランキングではファウンドリを崔めていないため、染瞥攣ICの輝眷憚滔を山している∈徊雇獲瘟1∷。ここでは、1疤Samsung、2疤Intel、3疤SK Hynixとなっており、4疤にメモリメ〖カ〖のMicronが掐った。 [ⅹ魯きを粕む]