Samsung、64霖3D-NANDの翁緩倡幌
Samsung Electronicsが64霖の256Gビット3D-NANDフラッシュメモリの翁緩を倡幌したと券山した。これまでキ〖カスタマ羹けに64霖の256Gビット3D-NANDフラッシュチップを1奉から欄緩していたが、このほどモバイルやストレ〖ジ劉彌など辦忍輝眷羹けに翁緩を倡幌した。
哭1 Samsungの64霖3D-NAND瀾墑 叫諾¨繼靠捏丁Business Wire
このセルは3ビット/セル數(shù)及で、メモリチャンネルの逢の眶は256G改の1/3ですむ。排富排暗は、48霖の箕の3.3Vより布げ、2.5Vとした。この馮蔡、エネルギ〖跟唯は30%羹懼したとしている。また、你排暗步したことでセルの慨完拉も48霖の256Gビット墑よりも20%羹懼したという。
64霖の3D-NANDフラッシュのデ〖タ啪流廬刨は1Gbpsと廬い。ペ〖ジ帽疤のプログラム箕粗は500µs、と10nm駱のプレ〖ナNANDの諾房弄なスピ〖ドよりも4擒廬く、しかも票家の驕丸の48霖の3ビット/セルの256Gビット墑と孺べても、1.5擒廬い。
驕丸の48霖から64霖に霖眶を籠やすことで、瀾隴プロセスは豈しくなり、潑にMNOS菇隴∈チャ〖ジトラップ數(shù)及∷の稱チャンネルの逢を堆辦にし、しかも稱メモリセルの冷憋攣を泅く堆辦に侯ることが豈しい。Samsungはこの啼瑪を詭繩したとだけ揭べている。
Samsungは64霖3D-NANDの翁緩を締いだ秦肥には澎記家柒のゴタゴタがある。Samsungはストレ〖ジメモリ輝眷で、頂圭とのリ〖ドを蓋めるため、64霖の翁緩を締いだとみられ、鉗瑣までにNANDフラッシュの欄緩翁の50%笆懼をこの媽4坤洛の64霖V-NAND∈Samsungは3D-NANDをV-NANDと鈣んでいる∷に積っていきたいとしている。
5奉29泣にはSamsungは面柜の3D-NANDフラッシュ供眷への抨獲を斧流ったと券山した。碰介、票家は面柜の3D-NAND供眷にも89帛1000它ドル∈腆1名邊煎∷を抨獲すると山湯していた。これも面柜廓の叼絡(luò)な抨獲による納い懼げを焚顫しているためであろう。面柜の染瞥攣緩度は、ファウンドリよりもDRAMとNANDフラッシュに故り哈んで蝸を掐れるように染瞥攣里維を恃構(gòu)してきている。面柜ではDRAM供眷に叼絡(luò)抨獲をすでにしているが、NANDフラッシュ供眷にも票屯の緘を蝗うことは箕粗の啼瑪だ。
Samsungとしては碰燙のライバルである澎記を2016鉗媽4煌染袋に汗を弓げた。媽3煌染袋では澎記との汗は、輝眷シェアで16.8%ポイントだったが、媽4煌染袋には18.8%ポイントへと弓げた。海攙の64霖の翁緩步によって、この汗をさらに弓げようとしている。票箕に3D-NAND禱窖では、布疤礁媚にいたMicronがSamsungの肌にのし懼がり、SamsungとしてはMicron/Intel寥からも汗を弓げたい。Samsungは、面柜抨獲よりも64霖の翁緩惟ち懼げを締ぎ、躥柜柜柒への抨獲に蝸を廟いでいくことになろう。澎記は、メモリ柴家の卿笛でもたもたしているヒマはないはずだが。
