図1　東���j学国際集積エレクトロニクス研�|開発センター長　遠藤哲�r��

CIESの開発テーマは絞られてきており、�jきく分けて二つになった。M（magnetic）RAMとそれを�W(w┌ng)��するIoT（Internet of Things）デバイスが�kつであり、もう�kつはGaNパワーデバイスである。CIESセンター長の遠藤哲�r��(図１)は、CIESの��つの柱として、MRAMデバイスとカーエレクトロニクス��のGaNパワーデバイス、そして地域連携を掲げる。

MRAMは今、量�忼荷直�iに来ているとする。もはや�噞�cが中心になる時期に来たとしている。MRAMプロジェクトに�f国のSamsungも参加するようになった。量��が�Zい企業なのに参加するのは、ビット不良の問��や誤り�ﾙ�に��要なテールビットの設��問��などメモリの完��理解が求められるために�j学と共同で研�|するようになったという。

またGaNパワーデバイスに関してはパナソニックと共同で電源�v路やモータ�~動�v路を設��してみるなど、カーエレクトロニクスへの応��を念頭に��いたプロジェクトが本格�n働した。GaNはSi�屬坊狙�するGaN on Siが世の中のトレンドであったが、GaN on GaNの研�|も始めた。GaN on Siは耐圧こそ600V��度だが、シリコンのドライバなどの�v路を集積できるというメリットがある。�k��(sh┫)、GaN on GaNだと�e型トランジスタが可�Δ砲覆蝓�1200VといったSiCと同じあるいはそれ以�屬梁儖気鬚箸襪海箸�できる。

パワーデバイスとしての研�|はSiCの��(sh┫)が先行し、GaN on GaNはこれまでLEDで研�|開発が積まれ後発組ではある。しかし、SiCは��華する�T晶であり、成長がこれまでも�Mしかった。しかし、「GaNは材料��性が電子�‘暗戮簑儖気療世�SiCよりも優れている」と遠藤��は述べている。�T晶成長のメカニズムと高����化はこれから実証していく。

企業間の「糊」の役割を果たす�j学としては、MRAMやGaNなどのデバイスを拠点にしようと考えている。2016�Qに、文�隹奮愍覆離廛蹈献Д�トとして、�j学を拠点にするプロジェクトの募集があり、「�劜共創プラットフォーム共同推進プログラム」（通称OPERA）として応募した�T果、4�Pの研�|が採�Iされた。東���jの電子デバイスに加え、�儼曾j学の�~機EL、�@古屋�j学の�O動�Z関連のマシン、広���j学のバイオ�\術が��(li│n)ばれた。これらの��てが�j学を拠点として地域の企業とを�Tぶプロジェクトとなる。

東���j学の周りにはITとクルマの�~��企業が�Hい。例えば、�泥愁螢紂璽轡腑鵐困蓮�LSIやFPGA、ファームウェアの設��業��に加え、デジタルおよびアナログ�v路の検証業��やプロトタイプの検証業��も�个栄蕕辰討い襦�またホンダ�U�`のティア1サプライヤであるケイヒンの研�|開発センターが角田�xにある。トヨタ�U�`のデンソーのように半導��を�}�Xけるかどうかはまだ不��だが、遠藤��は期待している。アルプス電気も仙��開発センターを�eつほか、宮城県内に古川工場、涌谷工場、角田工場、��原工場と4つの工場を�eつ。県内の企業へは、宮城県と経済�噞省東��経済�噞局が積極的に働きかけていると遠藤��は言う。

ケイヒンやアルプス電気のようなグローバル企業と地元の優れた中小企業を�Tぶのが東���j学の役割だと同��は認識している。遠藤��は「企業同士がB2Bとしていきなりアライアンスを組むと、本当に��来にわたって組むべきパートナー企業としてふさわしいかどうかわからないまま��けるとお互い不�mになる。だから�j学を間に挟むと緩いアライアンスとなり、リスクヘッジになる。これをBUB（Business University Business）と�}んでいる」と、遠藤��は語る。しかも、�k般に企業がイノベーティブであればあるほど、�j企業と下�个韻箸い��峅軸愀犬魴�うため、中立な�j学がクッションとして水平分業のアライアンスを�}伝う�T味は�jきい。BUBは�j学の新しいファンクションだと文科省が見ているという。

ただし、どの�j学でもこれができるという�lではなさそうだ。遠藤��は、「東���j学が企業同士をマッチングさせるのに、�\術と人材が��要。東���jの�咾澆篭\術を�eっていることだ」と述べる。�\術があれば企業にアドバイスを提言できる。単なる御��聞きで��まらないという。また、�劜連携が�咾垢�るため、�j学が研�|発表をなかなかさせてもらえないことが�Hいという�L点はある。