Cypress、クルマ仕様NORフラッシュをプラットフォーム化
Cypress Semiconductorは、�O動�ZエレクトロニクスへのNORフラッシュをメモリ単��からマイコンも集積したメモリシステムへとソリューション指向を�咾瓩討い襦��O動�Z����では何と言っても信頼性と�W��性は「絶�粥廚世�らである。いわばチップに信頼性と�W��性を組み込み、万が�k��故が��きてもフェイル-セーフシステムを確立する。 [→��きを読む]
�\術分析
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単��、ICからフュージョン、アルゴリズムまでのセンサ��てを提供するams
オーストリアのアナログ半導��メーカーamsは、機械的なセンサから光を�W��するイメージセンサ、化学センサに至るまでさまざまなセンサとその応��に��化することに舵を切り��えた。センサ単��だけではなく、センサとのインタフェースICやアルゴリズムなどソリューションまで�}を広げている。工業��イメージセンサの責任�vであるDIV Image Sensor SolutionsのシニアVP兼GMのStephane Curral��が最�Z来日、その狙いを聞いた。 [→��きを読む]
Intel、3D-Xpoint�\術によるパーシステントメモリを提案、階層構成を見直し
Intelは、データセンターのメモリとストレージの階層構�]を見直すべき、新型メモリをサンプル出荷すると発表した。彼らは、CPUに最も�Zい層では��来のDRAM、次に3D-Xpointメモリを��いたOptaneパーシステントメモリ(図1)、その次に3D-Xpointメモリを��いたSSD、そして3D-NANDのSSDという構成を提案した。サンプル出荷を始めたばかりのパーシステントメモリは、最�j512Gバイトのメモリモジュール。 [→��きを読む]
Intel/MicronがNAND関係を再�啣�、4ビット/セルの64層を����認定
IntelとMicronが3D-NANDフラッシュをそれぞれが独�Oに開発と販売を進めるとしたのはほんの数カ月�i。このほど再び共同開発することを表��した。それも4ビット/セルで96層の3D-NANDの開発である。単位�C積当たりのビット密度は最も高い��争��のあるチップとなる。 [→��きを読む]
ArmがIoTデバイス寄りのプラットフォームMbedを推進
Armは、IoTプラットフォームの「Arm Mbed Platform」を数�Q�iに発表したが、このほどその進化について��らかにした。すでに30万人の開発�vコミュニティと80社以�屬離僉璽肇福軸覿箸魴eち、このほどIBMやGMOグローバルサインとも提携、IBMのWatson IoT Platformでもデバイス管理ができるようにし、GMOがMbed Cloudを�W��できるように認証した。 [→��きを読む]
�W��・�W心を認証、仮�[化でシステムを使いやすくしたWind RiverのVxWorks
組み込みソフトウエア�j�}のWind RiverのマルチコアSoC向けのリアルタイムOS（RTOS）であるVxWorks 653 4.0マルチコア版では、仮�[化構成を採ることができるが、その�W��性(safety)とセキュリティについて、来日した同社ビジネス開発ディレクターのAlex Wilson��(図1)が解説した。 [→��きを読む]
Nvidia、ディープラーニングの総合��を見せつける
Nvidiaは単なるファブレス半導��メーカーにとどまっていない。AI（デ��ープラーニング）やHPC（高性�Ε灰鵐團紂璽謄�ング）のマシンを設��するコンピュータメーカーでもある。最�咾�GPUであるTesla V100（図1）を使いこなす。AIでは学�{だけではなく推�b��にGPUを動かすための推�bソフトウエアTensorRTの新バージョンも開発した。�O動運転��プラットフォーム、IoT��の推�bアクセラレータも提供する。こんな�eが浮かび�屬�る。 [→��きを読む]
144cm2の�j�C積で効率14.5%のペロブスカイト・ソーラーセル
オランダの�陵枦澱咼灰鵐宗璽轡▲�Sollianceは、144cm2の�C積で変換効率が14.5%と高いペロブスカイト構�]のソーラーモジュールを開発した（図1）。ペロブスカイト構�]の�陵枦澱咾�、�~機材料で構成する塗布型ソーラーセルであり、最�Z�R�`が���]に集まっている。2011�Qに小�C積だが10%を��えるものが発表されて以来、その勢いがあまりにも��だからである。 [→��きを読む]
量���i�呂�SiC パワーMOSFET、ロームが6インチの新工場を建設
ロームはSiCパワー半導��に��を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源��を中心に出荷が�\えている。2020�QごろからのEV（電気�O動�Z）����の拡�jに向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九�Δ涼涕綛�場（図1）にSiCデバイスの6インチラインを�\設する。 [→��きを読む]
ルネサスの28nmフラッシュマイコン、�O動運転向け�U御へ
ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガス���U/低�\�Jに�官�し、コネクテッドカー向けのセキュリティと�j容量フラッシュメモリ容量、そして機���W��のASIL-Dに��拠し�O動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設��したフラッシュマイコン。 [→��きを読む]
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