�W��・�W心を認証、仮�[化でシステムを使いやすくしたWind RiverのVxWorks
組み込みソフトウエア�j�}のWind RiverのマルチコアSoC向けのリアルタイムOS（RTOS）であるVxWorks 653 4.0マルチコア版では、仮�[化構成を採ることができるが、その�W��性(safety)とセキュリティについて、来日した同社ビジネス開発ディレクターのAlex Wilson��(図1)が解説した。 [→��きを読む]
�\術分析
» セミコンポータルによる分析 » �\術分析
Nvidia、ディープラーニングの総合��を見せつける
Nvidiaは単なるファブレス半導��メーカーにとどまっていない。AI（デ��ープラーニング）やHPC（高性�Ε灰鵐團紂璽謄�ング）のマシンを設��するコンピュータメーカーでもある。最�咾�GPUであるTesla V100（図1）を使いこなす。AIでは学�{だけではなく推�b��にGPUを動かすための推�bソフトウエアTensorRTの新バージョンも開発した。�O動運転��プラットフォーム、IoT��の推�bアクセラレータも提供する。こんな�eが浮かび�屬�る。 [→��きを読む]
144cm2の�j�C積で効率14.5%のペロブスカイト・ソーラーセル
オランダの�陵枦澱咼灰鵐宗璽轡▲�Sollianceは、144cm2の�C積で変換効率が14.5%と高いペロブスカイト構�]のソーラーモジュールを開発した（図1）。ペロブスカイト構�]の�陵枦澱咾�、�~機材料で構成する塗布型ソーラーセルであり、最�Z�R�`が���]に集まっている。2011�Qに小�C積だが10%を��えるものが発表されて以来、その勢いがあまりにも��だからである。 [→��きを読む]
量���i�呂�SiC パワーMOSFET、ロームが6インチの新工場を建設
ロームはSiCパワー半導��に��を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源��を中心に出荷が�\えている。2020�QごろからのEV（電気�O動�Z）����の拡�jに向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九�Δ涼涕綛�場（図1）にSiCデバイスの6インチラインを�\設する。 [→��きを読む]
ルネサスの28nmフラッシュマイコン、�O動運転向け�U御へ
ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガス���U/低�\�Jに�官�し、コネクテッドカー向けのセキュリティと�j容量フラッシュメモリ容量、そして機���W��のASIL-Dに��拠し�O動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設��したフラッシュマイコン。 [→��きを読む]
組み込みMRAMを今�Q��にファウンドリ2社が�攵凮始
磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今�Q��から�k気に加�]しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ�靆腓�、ファウンドリのGlobalFoundriesは2018�Q��に組み込みMRAM（eMRAM）のリスクプロダクションを開始すると東���j学主��のCIES（Center for Innovative Integrated Electronic Systems）Technology Forumで発表した。 [→��きを読む]
Qualcomm、家庭内機�_をセキュアなWi-Fi Meshで何��でもつなぐ戦�S
家庭内のWi-Fi機�_が数�会�もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークに��を入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON�\術も開発した。 [→��きを読む]
インテリジェントカーが��故を��らす−カーエレ�tから(後��)
クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICの�x場としてもカーエレクトロニクス�x場は�jきい。ヘッドランプ/テールランプ��LEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも��躍する。パワー関係もいくつか�Rってみる。 [→��きを読む]
半導��後工��でのIndustry 4.0をシンガポールInfineonが��らかに
Infineon Technologiesがシンガポールにある同社の後工��工場のIndustry 4.0すなわちスマート工場化を進めていることを��らかにした。同社シンガポール工場長でバイスプレジデントを��めるLaurent Filipozzi��は、スマート化とデジタル化を進めることによって�攵奟率を�屬欧襪世韻任呂覆�、�x場への出荷期間が�]くなり、管理もしやすくなったとしている。 [→��きを読む]
Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採��
Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4�|類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮�^ゲート型のメモリセル構�]を�eつ。東��やSamsungがMNOS構�]を採��したのとは�款氾�。SSDとしての工夫も�Hい。 [→��きを読む]
<<�iのページ 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 次のページ »
