翁緩漣屜のSiC パワ〖MOSFET、ロ〖ムが6インチの糠供眷を氟肋
ロ〖ムはSiCパワ〖染瞥攣に蝸を掐れてきたが、SiC MOSFETのデ〖タセンタ〖の痰匿排排富やソ〖ラ〖券排をはじめとして排富脫を面看に叫操が籠えている。2020鉗ごろからのEV∈排丹極瓢賈∷脫龐の橙絡に羹け、これまでの供眷では粗に圭わなくなることから、跺劍の棉稿供眷∈哭1∷にSiCデバイスの6インチラインを籠肋する。
哭1 ロ〖ムの灰柴家であるロ〖ムˇアポロ棉稿供眷の紛茶哭
ロ〖ム灰柴家のロ〖ムˇアポロ家は、哭1のような糠棚を氟肋する紛茶だ。孟懼3超氟て、變べ靜燙姥腆11,000m2になる。緬供は2019鉗2奉の徒年で、階供が2020鉗12奉を徒年している。貸賂の供眷はまだ4インチラインが面看であり、このラインをいずれ6インチへグレ〖ドアップするとしている。
SiC染瞥攣は、ダイオ〖ドは菇隴が帽姐であるため、ロ〖ムは2010鉗4奉にダイオ〖ドの翁緩を倡幌した。SiCショットキダイオ〖ドは、驢眶キャリア燎灰だけに潑にオンからオフへのスイッチングの祿己が驕丸のSi 光廬pinダイオ〖ドと孺べ暗泡弄に警ない。ロ〖ムはSiCショットキダイオ〖ドを翁緩倡幌笆丸、緬悸に欄緩翁を籠やしてきた。しかも頂圭と孺べ、木誤鳥鉤が你く、界排萎を絡きくとれるというメリットがある。界數羹排暗VFは戮家と恃わらないが、排萎を絡きく萎せる。毋えば、SCS310Aの毋では、これまでの瀾墑では界數羹排暗VFが2Vで10Aしか艱れなかったのに灤して、票じ排暗で18A動まで艱れる。その汗は、ロ〖ムが馮窘のインゴットから瀾隴しており、潑にエピタキシャル喇墓禱窖で辦泣の墓があるという。エピ喇墓と甫酸がカギだとしている。
ロ〖ムは、2014鉗からSiC MOSFETを叫操し幌めており、これも靳」に籠えているとしている。デ〖タセンタ〖の痰匿排富∈UPS∷やFA/緩度怠達脫の排富などに掐り幌めている。呵奪はサ〖バ脫の排富の見妥が驢いという。UPSにSiCを何脫すれば、光件僑瓢侯が材墻なためコイルとコンデンサを井さくでき、Siよりも光補瓢侯材墻なため、鄂武にせよ垮武にせよ庶錢フィンの井房步や武笛システムの井房步が哭れるため、コンピュ〖タラックスペ〖スが猴負され、ブレ〖ドサ〖バ〖を納裁できる。毋えば、800V掐蝸で5kWのDC-DCコンバ〖タの毋では、Si IGBTでは呵絡跟唯が96%∈祿己4%∷だったが、SiC MOSFETを蝗えば98.1%∈祿己1.9%∷に懼がった。このためSi IGBTでは呵絡3.3kWだったがSiCモジュ〖ルだと呵絡5kWまで釣推できる。嫡に叫蝸を票辦にすると攣姥は1/7ˉ腳翁は1/5になると斧姥もっている。この箕の5kWのDC-DCコンバ〖タの攣姥は12cm∵18cm∵12.5cmと井さい。
このため排富鏈攣のコストは、SiCによってむしろ布げることができるという攫鼠もある。SiCトランジスタだけではまだ1峰光いが、ト〖タルシステムコストでは奧くなる。デ〖タセンタ〖ではメリットがはっきりしてきたためSiC步は惟ち懼がり幌めている。極瓢賈脫には菠劍をはじめとする光甸賈メ〖カ〖から妥滇が丸ているが、絡翁に蝗われるのはまだ黎になりそうだ。
糠供眷はSiC馮窘の6インチウェ〖ハラインが肩攣となり、欄緩プロセス劉彌は8インチウェ〖ハも艱り胺えるようになっているという。附哼は6インチの見妥には炳えられない覺斗だが、海鉗の布袋には6インチの欄緩翁を籠やしていきたいとしている。
ロ〖ムは2009鉗7奉にドイツのSiC馮窘メ〖カ〖SiCrystal家を傾箭し、馮窘喇墓を極漣で乖っている另圭SiCメ〖カ〖だ。それでもデバイス瀾隴では、柒瀾ウェ〖ハに裁えて嘲嬸からも關掐しているという。サプライチェ〖ンのリスク尸歡のためだ。
ロ〖ムはチップとモジュ〖ルを瀾墑步しているが、モジュ〖ルはSiC倡券碰箕モジュ〖ルメ〖カ〖がチップを傾ってくれなかったために侯ったのだという。これからはSiCの惟ち懼がりにより、チップに蝸を掐れていく。StarPowerやSemikron、Powersem、DanfossなどのSiCパワ〖モジュ〖ルメ〖カ〖にチップ卿りを渴めていくためだという。
