Intel/MicronがNAND簇犯を浩動步、4ビット/セルの64霖を瀾墑千年
IntelとMicronが3D-NANDフラッシュをそれぞれが迫極に倡券と任卿を渴めるとしたのはほんの眶カ奉漣。このほど浩び鼎票倡券することを山湯した。それも4ビット/セルで96霖の3D-NANDの倡券である。帽疤燙姥碰たりのビット泰刨は呵も光い頂凌蝸のあるチップとなる。
附哼媽2坤洛に陵碰する64霖で、4ビット/セルのメモリは、潑年杠狄の墑劑千年を乖っている檬超に掐っており、帽なる倡券ではなく睛脫步が呵も玲い光泰刨メモリとなりそうだ。媽3坤洛の96霖の3D-NANDは驕丸のTLC∈3ビット/セル∷數及でまだ侯られている。檬超を僻んで64霖から96霖へと羹かうからだ。96霖で4ビット/セルになると、1チップで1T∈テラ∷ビットメモリができるという。
Intel、Micronの3D-NANDフラッシュ禱窖は、64霖の4ビット/セルと96霖の3ビット/セルのチップであり、鼎にCMOS攙烯の懼の驢霖芹俐霖にメモリセルを妨喇している。チップサイズを井さくし拉墻を懼げられるようにするためだ≈頂圭戮家の2燙プレ〖ンに灤して4燙プレ〖ンを何脫しているため、セルの今き哈みˇ粕み叫しを事誤に額瓢できる∽とそのプレスリリ〖スで揭べている(徊雇獲瘟1)。このためシステムレベルでスル〖プットがより光廬に、バンド升はより弓くなるとしている。
Micronの禱窖倡券么碰EVPのScott DeBoer會は、≈64霖で4ビット/セルの３D-NAND禱窖は3ビット/セル數及に孺べ33%光礁姥步ができるため、介めてのシングルチップで1テラビットを畝すメモリ睛墑が緘に掐るようになる∽としている。この黎は96霖で4ビット/セルを晾う。
Intelの稍帶券拉メモリ禱窖倡券么碰のVPであるRV Giridhar會は、≈4ビット/セルの1Tビットメモリの睛墑步は稍帶券拉メモリの悟凰の面でも絡きな辦韋耐となるだろう。このメモリは禱窖燙で剩眶のイノベ〖ションと、肋紛燙で碰家のフロ〖ティングゲ〖ト房3D-NAND禱窖の悸蝸を橙絡するものである∽、としてデ〖タセンタ〖やクライアントのストレ〖ジにおいて礁姥刨とコストに簇して糠しい庭疤拉をもたらすだろうと袋略している。
徊雇獲瘟
1. Micron and Intel Extend Their Leadership in 3D NAND Flash Memory
