Intel、バンド升512GB/sのHBM2を礁姥したFPGAを券卿
Intelは、バンド升が512Gバイト/擅と端めて弓いHBM2∈High Bandwidth Memory∷を烹很したFPGA≈Stratix 10 MX∽の任卿を倡幌した。HBMはTSV∈Through Silicon Via∷を蝗って、DRAMメモリアレイチップを僥に腳ねた菇隴を積つ光泰刨メモリ。絡(luò)翁のデ〖タを辦丹に萎す脫龐に努している。 [ⅹ魯きを粕む]
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Intelは、バンド升が512Gバイト/擅と端めて弓いHBM2∈High Bandwidth Memory∷を烹很したFPGA≈Stratix 10 MX∽の任卿を倡幌した。HBMはTSV∈Through Silicon Via∷を蝗って、DRAMメモリアレイチップを僥に腳ねた菇隴を積つ光泰刨メモリ。絡(luò)翁のデ〖タを辦丹に萎す脫龐に努している。 [ⅹ魯きを粕む]
勢(shì)柜に覓れること3鉗。泣塑でもAIスピ〖カ〖が判眷してきた。Googleが≈Google Home∽、 Amazonは≈Amazon Echo∽、LINEは≈Clova WAVE∽などが泣塑胳を妄豺する不蘭千急ソフトウエアを蝗ったAIスピ〖カ〖という嘆疚で判眷してきた。不蘭もビ〖ムフォ〖ミングで回羹拉を拇臘することで千急唯を光めることができる。これを材墻にするチップを毖ファブレスのXMOSが抨掐している。 [ⅹ魯きを粕む]
IoT羹けのチップは、センサごとにアナログフロントエンド攙烯が佰なるため、ウェアラブルや供度脫IoTなど脫龐を瘋めて肋紛する澀妥がある。Maxim Integratedは、看秋眶紛盧脫チップMAX86140/86141と、看排哭ˇ欄攣インピ〖ダンス紛盧脫アナログフロントエンド∈AFE∷を礁姥したMAX30001を券山した。さらに剩瀾できないセキュア千沮脫のチップDS28E38も納裁券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
井憚滔FPGAで賂哼炊を績すLattice Semiconductorがエッジデバイスのインテリジェント步に井憚滔FPGAの澀妥拉を潦滇している。IoTシステムでは、デ〖タを鏈てクラウドに懼げ、クラウド懼でデ〖タ借妄するならあまりにもクラウドの砷么が絡(luò)きくなる。このため、IoT眉瑣婁である鎳刨デ〖タ借妄すべきというのがエッジコンピュ〖ティングである。 [ⅹ魯きを粕む]
NXP Semiconductorがクルマ脫ECUの倡券を推白にする糠しいプラットフォ〖ムを捏捌した。これは、ハ〖ドウエアをできるだけ鼎奶步し、ソフトウエアをリユ〖スしやすい妨で瘦賂するという雇え數(shù)に答づく。驕丸のツギハギだらけのクルマのECUのファブリックを超霖菇隴に恃えていく。你コストで怠墻納裁に灤炳できる糠しいクルマ羹けア〖キテクチャといえそうだ。 [ⅹ魯きを粕む]
Intelが辦候鉗Alteraを傾箭、槐布に寥み哈んだ稿、介めてともいえるCPUとFPGAのコラボレ〖ションについて湯らかにした。Intelはデ〖タカンパニ〖になることを篩ぼうしており、コンピュ〖ティングを裁廬する6つの喇墓尸填を年め、それらに灤炳できるソリュ〖ションとして、CPUとASIC、FPGAからなる繞脫のヘテロジニアスコンピュ〖ティングア〖キテクチャ∈哭1∷を捏捌した。 [ⅹ魯きを粕む]
蝗い盡緘の紊さを腳渾しながらもUSB Type-Cソリュ〖ションで呵絡(luò)スピ〖ド10Gbpsを悸附したICチップセットにON Semiconductorが廟蝸している。Type-C憚呈は100Wの排蝸まで丁惦でき、コネクタの懼布がリバ〖シブルという潑墓がある。附哼のスマ〖トフォンの排富は締廬郊排でさえ12W鎳刨だから、Type-Cは締廬郊排材墻な憚呈にもなる。 [ⅹ魯きを粕む]
Everspin Technologies家は、1Gビットという光礁姥のST∈spin torque∷-MRAM∈Magnetoresistive random access memory∷チップのサンプル叫操を幌めた。剩眶の潑年ユ〖ザ〖羹けのチップであり、翁緩は踏年。これまでのST-MRAMの呵光礁姥刨は256Mビットだった。 [ⅹ魯きを粕む]
奠箔排丹供度の染瞥攣嬸嚏を富萎とし、附哼ロ〖ム槐布にあるラピスセミコンダクタが、評(píng)罷な奶慨禱窖を欄かし、IoT漓脫のLPWA∈Low Power Wide Area∷奶慨チップ≈ML7404∽を倡券した。爍巢僑に動(dòng)いIEEE802.15.4kと、舍第しつつあるSigFoxの尉モデムを柒壟することで、灤炳認(rèn)跋を弓げる晾いだ。 [ⅹ魯きを粕む]
澎記メモリと煌泣輝供眷を鼎銅しているWestern Digitalは、64霖の3D-NANDフラッシュ禱窖を蝗った、4ビット/セルの768Gビット∈96Gバイト∷メモリを倡券した∈哭1∷。驕丸と票じ眶のメモリセルを積つ3ビット/セルのNANDフラッシュだと、メモリ推翁は512Gビット∈64Gバイト∷だったが、これよりも50%籠裁した。 [ⅹ魯きを粕む]
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