Western Digital、4ビット/セルの768Gビット3D-NANDフラッシュを開発
東��メモリと四日�x工場を共�~しているWestern Digitalは、64層の3D-NANDフラッシュ�\術を使った、4ビット/セルの768Gビット（96Gバイト）メモリを開発した（図1）。��来と同じ数のメモリセルを�eつ3ビット/セルのNANDフラッシュだと、メモリ容量は512Gビット（64Gバイト）だったが、これよりも50%�\加した。
図1 Western Digitalが開発した4ビット/セル�擬阿�3D-NANDフラッシュ
これまでは3D-NANDでは3ビット/セルが最高密度であり、��来のプレーナ型2次元NANDフラッシュでは、4ビット/セルはWestern Digitalが開発していた。�Hビット/セル�\術は、プロセス的には同じセルの数を��いながら、�kつのセルをいくつかに分割して容量を�\やす�桔 Ｄ名錣�1ビット/セルだとオンかオフを1と0に当てはめていたが、�Hビットはそれを分割して�駘�的なセル数を�\やさずにビット数を�\やす�桔，�。
例えば1ビットは、電源電圧3Vで1を、0Vで0に�官�してきた。2ビット/セルでは2ビット（すなわち1ビットのオンとオフ、もう1ビットのオンとオフ）という4つの�X��が��要になるため（すなわち00、01、10、11）として、例えば3Vを11、0Vを00に�官�させるとそれらの間を分割して、2Vを10、1Vを01に�官�させて、4つの�X��を�官�させていた。3ビット、すなわち2の3乗は8つの�X��を作り出す��要がある。3Vが111、2.56Vが110、2.13Vが100、とどんどん細かく分割していき、メモリ�X��を作り出していた。4ビット/セルだと2の4乗、すなわち16の�X��に分割しなければならない。3Vの1111から、0Vの0000まで16の�X��で4ビット分を表現するのだ。
そうなると、オン/オフ比が細かすぎて1と0のマージンが��常に狭くなる。このため、�Hビット/セルの�\術では、メモリビット数の誤り�ﾙ��v路ECCが�Lかせない。Western Digitalは、NANDフラッシュのECCや、同じビットばかりを何度も書き換えない平��化�\術などを含むメモリコントローラ�\術が優れているといわれる。このほど、WDが発表したプレスリリースには、どのようにして実現したのかについては触れていない。
同社は今�v開発したテクノロジーをBiCS3 X4と�}んでおり、この4ビット/セル�\術を次の96層の3D-NANDにも使っていくと述べている。8月にカリフォルニア�Ε汽鵐織�ララで開��されるFlash Memory Summitでは、BiCS3 X4�\術で作ったリムーバブル����とSSD（半導��ディスク����）を見せるとしている。NANDフラッシュ�\術は、プロセス的に平�Cから立��へと向かい、さらに1ビットのメモリセルに�Hビットを構成する�\術、それを��常に動作させるためのコントローラ�\術、と設��アーキテクチャレベルまで含めた��争になっていくようだ。
参考�@料
1. Western Digital Announces Four-Bits-Per-Cell (X4) Technology on 3D NAND (2017/07/24)
