澎記の面紛、NANDフラッシュを喇墓のエンジンに盔える
黎降の5奉22泣、澎記が面袋紛茶を券山し、排灰デバイスを喇墓のエンジンに盔える數克を湯らかにした。排灰デバイス禍度を2016鉗刨に2.2名邊の憚滔、CAGR∈鉗士堆喇墓唯∷が24%に陵碰するという面袋紛茶を閃いている(哭1)。
哭1 2016鉗刨の蒼ぎ片は排灰デバイス ROS (Rate of Sales) は沸撅網弊唯 叫諾¨澎記
澎記の排灰デバイス嬸嚏は、染瞥攣とHDDから喇り惟っているが、その面でも狠惟って喇墓のエンジンとなっているのがやはりNANDフラッシュ。この禍度だけの謄篩垛馳や悸烙を湯らかにしていないが、喇墓の數克は年まった。喇墓を悸附するためには肋灑抨獲は稍材風。そのためのアグレッシブな抨獲をこの1×2鉗で乖う。14泣の泣沸によると、澎記はSanDiskと鼎票で圭紛5000帛邊を3D NANDフラッシュのために抨獲する。澎記はこれとは侍に、すでに4000帛邊の抨獲も瘋めている、と泣沸は候鉗鼠じた∈徊雇獲瘟1∷。
澎記は腮嘿步と3肌傅(3D)菇隴のNANDフラッシュの欄緩箕袋をオ〖バ〖ラップさせる數羹で抨獲していく(哭2)。これまでの19nmNANDフラッシュ瀾墑を媽2坤洛の15nmへと腮嘿にし、この4奉から欄緩を倡幌した。また3D菇隴のNANDフラッシュは2014鉗刨のサンプル叫操を徒年している。
哭2 15nmプロセスと3D步2015鉗刨稿染にオ〖バ〖ラップ 叫諾¨澎記
NANDフラッシュに腳爬を彌くのは、その輝眷がさらに絡きく喇墓しそうだからだ。NANDフラッシュは碰介、啡掠排廈のストレ〖ジから幌まり、デジタルカメラのストレ〖ジ、呵奪ではスマ〖トフォンやタブレットのストレ〖ジに絡翁に叫操されている。これからはSSDへの炳脫が塑呈步すると斧哈んでいる。すでにIBMはSSDへ1000帛邊憚滔の抨獲を候鉗秸に券山している∈徊雇獲瘟2∷。澎記はHDD嬸嚏も積っているため、SSDの輝眷や杠狄に灤してHDDのビジネス杠狄答茸を呵絡嘎に寵脫する、と洛山脊乖舔家墓の拍面底禿會は揭べている。
NANDフラッシュでは、3D NAND羹けの肋灑を絡きく恃えなければならない。これまでのプレ〖ナ房のメモリセルで脫いられてきたポリシリコンのフロ〖ティングゲ〖ト菇隴ではなく、シリコン免步遂を網脫する菇隴へと恃垂する。このためのCVD、エッチャ〖だけではなく、スパッタやメッキ、CMPなど3D菇隴漓脫の肋灑が澀妥になる。海財階供徒年の煌泣輝供眷のY5棚媽2フェ〖ズで15nmラインの翁緩を惟ち懼げた稿、Y4、Y3棚の貸賂の欄緩棚と息啡して抨獲馳を猴負できるように、糠憚にN-Y2棚をY3棚に鎢肋する。N-Y2棚は3D漓脫供鎳の輸錦棚となるとしている。2015鉗財に階供する徒年だ。ここに肌坤洛溪各劉彌、喇遂、エッチングなどの呵黎眉劉彌を界肌瞥掐していく。2015鉗稿染ごろが3D菇隴への敗乖箕袋になるという。
澎記がNANDフラッシュを即に喇墓里維を惟てたもう辦つの秦肥には、2013鉗刨(2014鉗3奉袋瘋換)に排灰デバイスグル〖プの卿懼光が、2012鉗刨の1名2866帛邊から、31.6%籠の1名6934帛邊と締喇墓したことがある。蹦度網弊は、漣鉗刨の977帛邊から13鉗刨には2385帛邊となった。蹦度網弊唯は14%と2ケタ駱に凱びた。なお、染瞥攣禍度で、ディスクリ〖トとシステムLSIも輥機攣劑へ恃えると拍面家墓は揭べたが、その蘋囤は績さなかった。
澎記の稍奧妥燎は、NANDフラッシュの絡緘ユ〖ザ〖が家柒にいないことだ。スマホやタブレットの絡緘はAppleやSamsungであり、SSDを網脫する絡緘ITベンダ〖も家嘲にいる。22泣の沸蹦棱湯柴では、排灰デバイス禍度の戮に、排蝸ˇ家柴インフラ禍度、コミュニティˇソリュ〖ション禍度、ヘルスケア禍度、ライフスタイル禍度についても廈があった。しかし、これらの禍度尸填とNANDフラッシュの輝眷とがかみ圭っていない。哭1に績すように蹦度網弊が呵絡になる禍度は排灰デバイスと肋年しているが、經丸、排灰デバイス禍度の肋灑を抨獲する眷圭には、嘲嬸杠狄とメガトレンドを斧盔えることは稍材風である。
徊雇獲瘟
1. サムスン、3肌傅僥菇隴NANDフラッシュ翁緩倡幌を券山 (2013/08/12)
2. IBM、フラッシュストレ〖ジの糠憚倡券に10帛ドルを抨獲、澎記はどう叫る々 (2013/04/17)
